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固定層110a和自由層114a的磁向之間的關系限定了mtj的電阻狀態，并且從而使得多個存儲單元104a,1至104b,2能夠分別存儲數據狀態，數據狀態具有基于存儲單元內的工作mtj器件106的電阻的值。例如，如果工作mtj器件106a,1具有低電阻狀態，則存儲單元104a,1將存儲位值(例如，邏輯“0”)，或者如果工作mtj器件106a,1具有高電阻狀態，則存儲單元104a,1將存儲第二位值(例如，邏輯“1”)。調節訪問裝置108分別具有通過其可以控制提供給相關的工作mtj器件106的電流的電阻。例如，調節訪問裝置108a,1被配置為控制提供給工作mtj器件106a,1的電流，第二調節訪問裝置...

離散的互連結構限定連接至圖2的存儲器陣列102的列內的相應存儲單元的兩條字線wl1至wl2以及連接至圖2的存儲器陣列102的行內的相應存儲單元的位線bl1。在一些實施例中，存儲單元202a,1的工作mtj器件106、調節mtj器件204和第二調節mtj器件206可以通過第二多個通孔412b連接至第三互連層406c。在一些實施例中，一個或多個附加存儲單元可以布置在存儲單元202a,1上方。在這樣的實施例中，第四互連層406d在第二存儲單元202b,1的工作mtj器件106、調節mtj器件204和第二調節mtj器件206正下方延伸為連續結構。第四互連層406d通過第五互連層406e和第三多個通孔4...

1947年12月23日圣誕節前夕，在美國新澤西州貝爾實驗室里，3位科學家肖克萊博士、巴丁博士和布菜頓博士正有條不紊地進行著用半導體晶體把聲音信號放大的實驗。他們驚奇地發現，器件中通過的一部分微弱電流，竟然可以控制另一部分大得多的電流，產生放大效應。當時人們還未意識到，這個器件，就是在科技史上具有劃時代意義的成果——晶體管。正是因為這份“獻給世界的圣誕節禮物”，3位科學家共同榮獲1956年諾貝爾物理學獎。這項神奇的發明究竟是什么呢？晶體管被人們形象地稱為“三條腿的魔術師”，是一種三個支點的半導體固體電子元件。像金、銀、銅、鐵等金屬，它們導電性能好，叫做導體。木材、玻璃、陶瓷、云母等不易導電，叫做...

化學機械平坦化工藝)以形成互連層406a。在各個實施例中，襯底402可以是任何類型的半導體主體(例如，硅、sige、soi等)，諸如半導體晶圓和/或晶圓上的一個或多個管芯，以及任何與其相關的其它類型的半導體和/或外延層。在一些實施例中，ild層904可以包括一種或多種介電材料，諸如二氧化硅(sio2)、sicoh、氟硅酸鹽玻璃、磷酸鹽玻璃(例如，硼磷硅酸鹽玻璃)等。在一些實施例中，導電材料可以包括通過沉積工藝(例如，cvd、pvd、pe-cvd、ald等)形成的金屬(例如，鎢、鋁等)。在各個實施例中，互連層406a可以是互連線層、第二互連層、第三互連線層或更高金屬互連線層。如圖10的截面圖10...

四倍心軸圖案qpm1、qpm2和qmp3可以布置為在方向x上具有相同的四倍心軸節距pqm，四倍心軸節距pqm可以與抗蝕劑圖案的節距相同。針對單元線路結構uws4、uws5和uws6中每個，可以使用三個四倍心軸圖案qpm1、qpm2和qpm3在列導電層ccl中形成十二條列金屬線ml1至ml12。每個單元線路結構的十二條列金屬線ml1至ml12可以在方向x上布置成順序地且重復地具有金屬節距pm21、第二金屬節距pm22、金屬節距pm21和第三金屬節距pm23。金屬節距pm21、第二金屬節距pm22和第三金屬節距pm23可以由表達式4表示。表達式4pm21＝wdm+wmlpm22＝wqm-wmlpm...

并且也可以包括在部件和第二部件之間可以形成額外的部件，從而使得部件和第二部件可以不直接接觸的實施例。此外，本發明可在各個實施例中重復參考標號和/或字符。該重復是為了簡單和清楚的目的，并且其本身不指示所討論的各個實施例和/或配置之間的關系。而且，為便于描述，在此可以使用諸如“且，為便于描述，在此可以使用諸如個實施例和和布置的具體實例等空間相對術語，以描述如圖所示的一個元件或部件與另一個(或另一些)原件或部件的關系。除了圖中所示的方位外，空間相對術語旨在包括器件在使用或操作中的不同方位。裝置可以以其它方式定向(旋轉90度或在其它方位上)，而本文使用的空間相對描述符可以同樣地做出相應的解釋。磁阻式隨...

接收關于一參考分類的信息，該參考分類是通過人工比較該預設電壓和該實際電壓獲得的；基于該不成熟分類和該參考分類，將該預設電壓更新為一經學習電壓；以及基于該經學習電壓，產生經配置以調整回轉率的預測。本公開還提供一種集成電路元件。該集成電路元件包括一比較器以及一減法器電路。該比較器包括一輸入端耦合到一實際電壓。該減法器電路包括一輸入端耦合到該比較器的一輸出端，以及另一輸入端耦合到一參考電壓，其中因應于該參考電壓和該減法器電路的一輸出端的一電壓之間的一差值的存在，該比較器的該另一輸入端從耦合一預設電壓改為耦合到一經學習電壓。本公開還提供一種電路。該電路包括一驅動器以及一機器學習電路。該驅動器經配置以驅...

字線解碼器118被配置為選擇性地將信號施加至連接至存儲器陣列102的一條或多條字線wl1至wl6，并且位線解碼器116被配置成選擇性地將信號施加至連接至存儲器陣列102的一條或多條位線bl1至bl3。通過選擇性地將信號施加至一條或多條字線wl1至wl6和一條或多條位線bl1至bl3，可以在相互排斥的情況下選擇性地訪問多個工作mtj器件106中的不同工作mtj器件106。例如，圖3a至圖3b示出了圖2的存儲器電路200的寫入操作的一些實施例的示意圖300和302。示意圖300和302所示的寫入操作是實施寫入操作的方法的非限制性實例。在其它實施例中，可以可選地使用實施寫入操作的其它方法。圖3a至圖...

可以通過執行標準單元sc1至sc12的上述布局和布線來確定集成電路300的布圖。可以通過電力軌311至316向標準單元sc1至sc12提供電力。電力軌311至316可以包括用于提供電源電壓vdd的高電力軌311、313和315，以及用于提供比電源電壓vdd低的第二電源電壓vss的低電力軌312、314和316。例如，電源電壓vdd可以具有正電壓電平，第二電源電壓vss可以具有地電平(例如，0v)或負電壓電平。高電力軌311、313和315以及低電力軌312、314和316在方向x上延伸并且逐一交替地布置在第二方向y上，以形成與由布置在第二方向y上的電力軌311至316定義的區域對應的多個電路行...

如參考圖5詳細描述的。在訓練階段之后，mlc42進入推理/分類階段，如參考圖5詳細描述的，以控制src電路104以調整信號dout的回轉率。接下來，mlc42進入預測階段316，如參考圖5詳細描述的以執行預測。一旦進入預測階段316并且在完成mlc42的訓練之后，就不再需要人力。使用mlc42來調整回轉率是相對方便的。圖4是根據本公開的一些實施例的神經網絡32的網絡示意圖，其中神經網絡32通過圖3的機器學習電路42執行任務。雖然作為示例詳細描述了神經網絡32，但是可以使用任何合適的機器學習方法和技術。神經網絡32包括一輸入34、一經加權值36和一結果值38。輸入34經一權重加權后決定出經加權值...

本發明涉及集成電路封裝技術，特別是一種集成電路基板，所述基板包括覆銅芯板，通過在覆銅芯板中設置容納磁環的環形槽，有利于提高或擴展集成電路封裝基板的電路功能，例如能夠通過對沿磁環內外分布的過孔進行繞制連接以將微變壓器集成在集成電路基板內。背景技術：由于新能源的大力發展，隔離應用要求越來越多和隔離電壓越來越高，而半導體隔離技術取代傳統光耦技術效率更高，集成度更高，支持更高傳輸速率,符合行業發展的需求。封裝基板正在成為集成電路封裝領域一個重要的和發展迅速的行業,有機基板工藝大批量使用在BGA球陣列封裝，多芯片封裝工藝中。現有技術中的采用微變壓器方案，電源功率只有％。由于電感量不夠大，信號傳輸不得不采...

本發明的實施例總體涉及半導體領域，更具體地，涉及集成電路及其形成方法。背景技術：許多現代電子器件包含配置為存儲數據的電子存儲器。電子存儲器可以是易失性存儲器或非易失性存儲器。易失性存儲器在上電時存儲數據，而非易失性存儲器能夠在斷開電源時存儲數據。磁阻式隨機存取存儲器(mram)是用于下一代非易失性存儲器技術的一種有前景的候選。技術實現要素：根據本發明的一個方面，提供了一種集成芯片，包括：工作磁隧道結(mtj)器件，連接至位線，其中，所述工作磁隧道結器件被配置為存儲數據狀態；以及調節訪問裝置，連接在所述工作磁隧道結器件和字線之間，其中，所述調節訪問裝置包括被配置為控制提供給所述工作磁隧道結器件的...

2v)和第四非零偏置電壓v4(例如，4v)之間的差異使得第二電流i2流過第二存儲單元202a,2內的調節mtj器件。然而，第二電流i2的兩倍小于切換電流isw，因此沒有將數據狀態寫入至第二存儲單元202a,2內的工作mtj器件。類似地，連接至字線wl3和wl4的工作mtj器件也不受寫入操作的步驟的影響。如圖3b的示意圖302所示，通過將第二數據狀態寫入存儲器陣列102的行301中的第二存儲單元202a,2內的工作mtj器件來實施寫入操作的第二步驟。通過將非零偏置電壓v1(例如，6v)施加至字線wl1和wl2，將第二非零偏置電壓v2(例如，2v)施加至位線bl1和bl3并且將第三偏置電壓v3(例...

寬度w1)，并且第二調節mtj器件具有與尺寸不同的第二尺寸(例如，第二寬度w2)。調節mtj器件504的尺寸賦予調節mtj器件504更大的切換電流，這可以允許更大的電流。在一些實施例中，工作mtj器件106具有與尺寸和第二尺寸不同的第三尺寸(例如，第三寬度w3)。圖6a至圖6b示出了包括存儲器電路的集成芯片的一些額外實施例，存儲器電路具有被配置為選擇性地對工作mtj器件提供訪問的調節訪問裝置。圖6a示出了具有以行和列布置的多個存儲單元602a,1至602c,3的存儲器電路600的示意圖。多個存儲單元602a,1至602c,3分別包括被配置為存儲數據的工作mtj器件106和被配置為選擇性地對工作...

本公開主張2018年12月06日申請的美國正式申請案第16/212,012號的優先權及益處，該美國正式申請案的內容以全文引用的方式并入本文中。本公開關于一種集成電路元件和電路，特別涉及一種具有經配置以大數據(bigdata)應用的機器學習功能的集成電路元件。背景技術：集成電路，例如現場可程序化的門陣列(fieldprogrammablegatearray，fpga)，可以包括執行各種數學運算的電路。舉例來說，一深度學習神經網絡可以在經配置以機器學習應用的一個或多個集成電路元件中實現。集成電路元件可以執行若干操作以輸出神經網絡的結果。上文的“現有技術”說明是提供背景技術，并未承認上文的“現有技術...

該調節訪問裝置被配置為選擇性地對工作mtj器件提供訪問。圖6a至圖6b示出了具有調節訪問裝置的存儲器電路的一些額外實施例，該調節訪問裝置被配置為選擇性地對工作mtj器件提供訪問。圖7a至圖7b示出了具有調節訪問裝置的存儲器電路的一些額外實施例，該調節訪問裝置被配置為選擇性地對工作mtj器件提供訪問。圖8a至圖8b示出了具有調節訪問裝置的存儲器電路的一些額外實施例，該調節訪問裝置被配置為選擇性地對工作mtj器件提供訪問。圖9至圖12示出了形成具有存儲器電路的集成芯片的方法的一些實施例，該存儲器電路包括存儲單元，該存儲單元包括被配置為選擇性地對工作mtj器件提供訪問的調節訪問裝置。圖13示出了形成...

技術實現要素：本實用新型的目的就是提供一種集成電路軟件快速錄入裝置，能完全解決上述現有技術的不足之處。本實用新型的目的通過下述技術方案來實現：一種集成電路軟件快速錄入裝置,包括遠程后臺服務器、錄入終端裝置和顯示器，所述錄入終端裝置包括微處理器、高頻讀卡模塊、數據監測模塊和通訊模塊，所述錄入終端裝置通過數據線與遠程后臺服務器連接；所述顯示器包括液晶顯示屏、工作狀態顯示模塊和電容式觸摸模塊，所述工作狀態顯示模塊和電容式觸摸模塊分別與微處理器中的數據讀寫模塊相連；所述數據監測模塊包括下載判斷模塊、校準綜測模塊、開機模塊、拍照模塊、聲音模塊和按鍵模塊。作為方式之一，所述通訊模塊采用zigbee無線方式...

可以使用光刻工藝形成抗蝕劑圖案pr1、pr2和pr3。例如，使用旋涂工藝和軟焙工藝在層250上形成抗蝕劑層。然后，使用針對圖4c的心軸圖案231、232和233而定義的掩模將抗蝕劑層暴露于輻射。心軸圖案231、232和233將提供基于231、232和233創建圖4e中所示的側壁間隔件261至266的基礎。終將蝕刻掉心軸圖案231、232和233。使用曝光后烘焙、顯影和硬烘焙來使曝光的抗蝕劑層顯影，從而在層250上方形成抗蝕劑圖案pr1、pr2和pr3。抗蝕劑圖案pr1、pr2和pr3在方向x上具有節距p1和寬度w1。參照圖4c，通過抗蝕劑圖案pr1、pr2和pr3的開口蝕刻層250、240和2...

其中形成線路圖案的至少一個導電層可以插入在柵極層gtl與列導電層ccl之間，和/或至少一個導電層可以設置在列導電層ccl上方。在一些示例實施例中，集成電路還可以包括形成在柵極層gtl與列導電層ccl之間的行導電層中的多條行金屬線，使得行金屬線布置在第二方向y上并且在方向x上延伸。在柵極層gtl上方依次設置的導電層可以稱為m1層、m2層、m3層、m4層等。行導電層可以對應于m1層或m2層，列導電層ccl可以對應于m2層或m3層。圖4a至圖4i是用于描述根據示例實施例的用于制造集成電路的圖案化工藝的示圖。可以參照圖4a至圖4i描述與單圖案化、sadp和saqp相關聯的單元線路結構的節距。參照圖4a...

本實用新型屬于數據錄入裝置技術領域，特別是涉及一種集成電路軟件快速錄入裝置。背景技術：傳統依靠計算機鍵盤進行信息錄入模式，已經不能滿足復雜生產環境下數據錄入的需要。而正以追求安全化、智能化、數字化的數據錄入方法成為新形勢下的目標。如中國發明專利公開號“cn”名稱為“一種手持式采油工數據錄入儀”的**公開了一種油田采油生產中技術參數和資料的錄入裝置。其特征在于：該裝置主要包括一個4×4的鍵盤，一個**處理器cpu，兩個鐵電存儲器32k×2和一個多路選擇器。該種數據錄入裝置結構較為簡單，只能根據預設置流程和界面進行操作，操作界面死板，動態輸入性較差，從而根據數據解析的設置簡單。如中國發明專利公開號...

所述印刷電路裝配件400中的每個印刷電路裝配件上的散熱器208a、208b的頂表面302與另一個印刷電路裝配件400上的熱接口材料層408接觸，并且與該熱接口材料層408熱耦聯，如在410a和410b處所指示的那樣。在這種配置中，每個印刷電路裝配件400上的雙列直插式存儲模塊組件200由另一個印刷電路裝配件400的冷卻管406冷卻。圖5是移除了雙列直插式存儲模塊組件200的印刷電路裝配件400的圖。參考圖5，可以清楚地看到印刷電路板插座404、鄰接并且平行的冷卻管406以及布置在平行的冷卻管406上的熱接口材料層408。圖6是帶有已安裝在印刷電路板插座404中的雙列直插式存儲模塊組件200并且...

而將調節訪問裝置108連接至位線bl2使得第二調節mtj器件206內的電流基于提供給存儲器陣列102的整個行的電壓而產生。將調節訪問裝置連接至在不同方向上延伸的位線和字線允許改進存儲器陣列102的存儲單元之間的隔離。圖7b示出了對應于圖7a的存儲器電路700的集成電路的一些額外實施例的截面圖704。圖8a至圖8b示出了包括存儲器電路的集成芯片的一些額外實施例，該存儲器電路具有被配置為選擇性地對工作mtj器件提供訪問的調節訪問裝置。圖8a示出了具有調節訪問裝置108的存儲器電路800的一些額外實施例的示意圖，調節訪問裝置108包括調節mtj器件804、第二調節mtj器件806和第三調節mtj器件...

每個單元線路結構的八條柵極線通過自對準雙倍圖案化(sadp)形成，并且每個單元線路結構的八條柵極線在方向上布置成交替地具有柵極節距和第二柵極節距。在又一實施例中，每個單元線路結構包括十二條金屬線和八條柵極線，每個單元線路結構的十二條金屬線通過自對準四倍圖案化(saqp)形成，并且每個單元線路結構的十二條金屬線在方向上布置成順序地且重復地具有金屬節距、第二金屬節距、金屬節距和第三金屬節距。在這個實施例中，每個單元線路結構的八條柵極線通過saqp形成，并且每個單元線路結構的八條柵極線在方向上布置成順序地且重復地具有柵極節距、第二柵極節距、柵極節距和第三柵極節距。還提供一種制造集成電路的方法。所述方...

該減法器電路包括一輸入端耦合到該比較器的一輸出端，以及另一輸入端耦合到一參考電壓，其中因應于該參考電壓和該減法器電路的一輸出端的一電壓之間的一差值的存在，該比較器的該另一輸入端從耦合一預設電壓改為耦合到一經學習電壓。在一些實施例中，該參考電壓反映一參考分類，該參考分類通過人工比較該預設電壓和該實際電壓來獲取。在一些實施例中，該集成電路元件還包括一分壓器以及一加法器電路。該分壓器經配置以接收該減法器電路的該輸出端的該電壓。該加法器電路包括一輸入端耦合到該分壓器的一輸出端，以及另一輸入端耦合到一預設權重。在一些實施例中，該集成電路元件還包括一反相器以及一乘法器電路。該反相器包括一輸入端耦合到該加法...

接收關于一參考分類的信息，該參考分類是通過人工比較該預設電壓和該實際電壓獲得的；基于該不成熟分類和該參考分類，將該預設電壓更新為一經學習電壓；以及基于該經學習電壓，產生經配置以調整回轉率的預測。本公開還提供一種集成電路元件。該集成電路元件包括一比較器以及一減法器電路。該比較器包括一輸入端耦合到一實際電壓。該減法器電路包括一輸入端耦合到該比較器的一輸出端，以及另一輸入端耦合到一參考電壓，其中因應于該參考電壓和該減法器電路的一輸出端的一電壓之間的一差值的存在，該比較器的該另一輸入端從耦合一預設電壓改為耦合到一經學習電壓。本公開還提供一種電路。該電路包括一驅動器以及一機器學習電路。該驅動器經配置以驅...

所述第二熱接口材料層與所述集成電路熱耦聯，和能夠移除的散熱器，所述散熱器與所述第二熱接口材料層熱耦聯，所述散熱器具有越過印刷電路板的與所述連接側相對的側延伸的頂表面；其中，所述兩個印刷電路裝配件被相對地放置在一起，使得在所述印刷電路裝配件中的每個印刷電路裝配件上的散熱器的頂表面與另一個印刷電路裝配件的所述熱接口材料層接觸，并且與該熱接口材料層熱耦聯。在另一個方面中，本公開的實施方式提供一種用于冷卻集成電路的裝置，所述裝置包括：兩個印刷電路裝配件，每個所述印刷電路裝配件包括：系統板，所述系統板上的多個印刷電路板插座，多個液體冷卻管，每個所述液體冷卻管鄰接于所述印刷電路板插座中的一個印刷電路板插座...

公開的寫入操作可以在調節mtj器件(例如，圖2中的204至206)處于高電阻狀態來實施，以在選擇和未選擇的單元之間提供隔離。如圖3a的示意圖300所示，寫入操作的步驟通過將數據狀態寫入存儲器陣列102的行301中的存儲單元202a,1和第三存儲單元202a,3內的工作mtj器件來實施。通過將非零偏置電壓v1(例如，2v)施加至字線wl1和wl2，將第二非零偏置電壓v2(例如，6v)施加至字線wl3，將第三非零偏置電壓v3(例如，8v)施加至位線bl1和bl3，并且將第四非零偏置電壓v4(例如，4v)施加至位線bl2來實施寫入操作的步驟。非零偏置電壓v1(例如，2v)和第三非零偏置電壓v3(例如...

每個單元線路結構的六條列金屬線ml1至ml6可以在方向x上布置成交替地具有金屬節距pm11和第二金屬節距pm12。金屬節距pm11和第二金屬節距pm12可以由表達式1表示。表達式1pm11＝wdm+wmlpm12＝pdm-(wdm+wml)在表達式1中，wdm表示雙倍心軸圖案dpm1、dpm2和dpm3的寬度，wml表示列金屬線ml1至ml6的寬度。在形成列金屬線ml1至ml6之前，可以在列導電層ccl下方的柵極層gtl中形成針對每個單元線路結構的四條柵極線gl1至gl4。參照圖5，每個單元線路結構uws1的四條柵極線gl1至gl4可以通過單圖案化形成。在這種情況下，每個單元線路結構uws1的...

所述多條柵極線布置在方向上并且在垂直于方向的第二方向上延伸。所述多條金屬線形成在柵極層上方的導電層中，其中，所述多條金屬線布置在方向上并且在第二方向上延伸。6n條金屬線和4n條柵極線形成單元線路結構，其中，n是正整數，并且多個單元線路結構布置在方向上。根據示例實施例，一種制造集成電路的方法，所述方法包括：在半導體基底上方的柵極層中形成多條柵極線，所述多條柵極線布置在方向上并且在垂直于方向的第二方向上延伸；以及在柵極層上方的導電層中形成多條金屬線，所述多條金屬線布置在方向上并且在第二方向上延伸，使得6n條金屬線和4n條柵極線形成單元線路結構，其中，n是正整數，并且多個單元線路結構布置在方向上。根...

4.數字集成電路是將元器件和連線集成于同一半導體芯片上而制成的數字邏輯電路或系統。根據數字集成電路中包含的門電路或元、器件數量，可將數字集成電路分為小規模集成（ＳＳＩ）電路、中規模集成ＭＳＩ電路、大規模集成（ＬＳＩ）電路、超大規模集成ＶＬＳＩ電路和特大規模集成（ＵＬＳＩ）電路。小規模集成電路包含的門電路在１０個以內，或元器件數不超過１００個；中規模集成電路包含的門電路在１０～１００個之間，或元器件數在１００～１０００個之間；大規模集成電路包含的門電路在１００個以上，或元器件數在１０～１０個之間；超大規模集成電路包含的門電路在１萬個以上，或元器件數在１０～１０之間；特大規模集成電路的元器件數在１...