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本實用新型屬于數(shù)據(jù)錄入裝置技術(shù)領(lǐng)域，特別是涉及一種集成電路軟件快速錄入裝置。背景技術(shù)：傳統(tǒng)依靠計算機鍵盤進行信息錄入模式，已經(jīng)不能滿足復(fù)雜生產(chǎn)環(huán)境下數(shù)據(jù)錄入的需要。而正以追求安全化、智能化、數(shù)字化的數(shù)據(jù)錄入方法成為新形勢下的目標(biāo)。如中國發(fā)明專利公開號“cn”名稱為“一種手持式采油工數(shù)據(jù)錄入儀”的 公開了一種油田采油生產(chǎn)中技術(shù)參數(shù)和資料的錄入裝置。其特征在于：該裝置主要包括一個4×4的鍵盤，一個 處理器cpu，兩個鐵電存儲器32k×2和一個多路選擇器。該種數(shù)據(jù)錄入裝置結(jié)構(gòu)較為簡單，只能根據(jù)預(yù)設(shè)置流程和界面進行操作，操作界面死板，動態(tài)輸入性較差，從而根據(jù)數(shù)據(jù)解析的設(shè)置簡單。如中國發(fā)明專利公開號“c...

在半導(dǎo)體基底200上方形成中間層210、220和230。半導(dǎo)體基底200包括作為半導(dǎo)體晶圓的硅。在各種實施例中，半導(dǎo)體基底200可以包括另一元素半導(dǎo)體(諸如，鍺)、化合物半導(dǎo)體(諸如，碳化硅、砷化鎵、磷化鎵、磷化銦、砷化銦和/或銻化銦)、合金半導(dǎo)體(諸如，gaasp、alinas、algaas、ingaas、gainp和/或gainasp)或它們的組合。半導(dǎo)體基底200可以包括有源區(qū)、外延特征、隔離結(jié)構(gòu)、鰭狀半 導(dǎo)體區(qū)域和/或其他合適的特征。在一些示例實施例中，半導(dǎo)體基底200包括多晶硅層，該多晶硅層可被用于形成多晶硅柵電極或者用于在柵極替換工藝中形成虛設(shè)柵電極。中間層210、220和230可...

夾層ito涂層作為工作面，四個角上引出四個電極，內(nèi)層ito為屏蔽層以保證良好的工作環(huán)境。當(dāng)手指觸摸在金屬層上時，由于人體電場，用戶和觸摸屏表面形成以一個耦合電容，對于高頻電流來說，電容是直接導(dǎo)體，于是手指從接觸點吸走一個很小的電流。這個電流分別從觸摸屏的四角上的電極中流出，并且流經(jīng)這四個電極的電流與手指到四角的距離成正比，控制器通過對這四個電流比例的精確計算，得出觸摸點的位置。所述高頻讀卡模塊通過rfid卡刷卡進行數(shù)據(jù)傳輸連接并存儲該數(shù)據(jù)。作為一種實施方式，所述高頻讀卡模塊采用rpd220mdic卡讀卡模塊,其為符合iso15693的高頻()rfid非接觸ic卡讀寫模塊。該模塊體積小，工作電壓...

每個單元線路結(jié)構(gòu)的八條柵極線通過自對準(zhǔn)雙倍圖案化(sadp)形成，并且每個單元線路結(jié)構(gòu)的八條柵極線在方向上布置成交替地具有柵極節(jié)距和第二柵極節(jié)距。在又一實施例中，每個單元線路結(jié)構(gòu)包括十二條金屬線和八條柵極線，每個單元線路結(jié)構(gòu)的十二條金屬線通過自對準(zhǔn)四倍圖案化(saqp)形成，并且每個單元線路結(jié)構(gòu)的十二條金屬線在方向上布置成順序地且重復(fù)地具有金屬節(jié)距、第二金屬節(jié)距、金屬節(jié)距和第三金屬節(jié)距。在這個實施例中，每個單元線路結(jié)構(gòu)的八條柵極線通過saqp形成，并且每個單元線路結(jié)構(gòu)的八條柵極線在方向上布置成順序地且重復(fù)地具有柵極節(jié)距、第二柵極節(jié)距、柵極節(jié)距和第三柵極節(jié)距。還提供一種制造集成電路的方法。所述方...

根據(jù)示例實施例的集成電路以及制造和設(shè)計所述集成電路的方法可以通過單元線路結(jié)構(gòu)提高集成電路的設(shè)計效率和性能。實施例可以應(yīng)用于任何電子裝置和系統(tǒng)。例如，實施例可以應(yīng)用于諸如存儲器卡、固態(tài)驅(qū)動器(ssd)、嵌入式多媒體卡(emmc)、移動電話、智能電話、個人數(shù)字助理(pda)、便攜式多媒體播放器(pmp)、數(shù)碼相機、便攜式攝像機、個人計算機(pc)、服務(wù)器計算機、工作站、膝上型計算機、數(shù)字tv、機頂盒、便攜式、導(dǎo)航系統(tǒng)、可穿戴裝置、物聯(lián)網(wǎng)(iot)裝置、萬物網(wǎng)(ioe)裝置、電子書、虛擬現(xiàn)實(vr)裝置、增強現(xiàn)實(ar)裝置等的系統(tǒng)。前述內(nèi)容是對示例實施例的說明，而不應(yīng)被解釋為對其進行限制。盡管已經(jīng)...

可以在柵極層gtl上方順序地形成四倍心軸圖案qpg以及雙倍心軸圖案dpg1和dpg2。例如，四倍心軸圖案qpg可以在方向x上布置成具有可以等于抗蝕劑圖案的節(jié)距的相同的四倍心軸節(jié)距pqg。在這種情況下，每個單元線路結(jié)構(gòu)uws3的四條柵極線gl1至gl4可以在方向x上布置成順序地具有柵極節(jié)距pg21、第二柵極節(jié)距pg22、柵極節(jié)距pg21和第三柵極節(jié)距pg23。在一些實施例中，第三柵極節(jié)距pg23是距下一個單元線路結(jié)構(gòu)的距離。柵極節(jié)距pg21、第二柵極節(jié)距pg22和第三柵極節(jié)距pg23可以彼此不同。柵極節(jié)距pg21、第二柵極節(jié)距pg22和第三柵極節(jié)距pg23可以由表達式3表示。表達式3pg21＝w...

工作mtj器件通過設(shè)置在襯底上方的介電結(jié)構(gòu)與調(diào)節(jié)mtj器件橫向分隔開。在一些實施例中，集成芯片還包括布置在位于工作mtj器件正上方的存儲單元內(nèi)的第二工作mtj器件，第二工作mtj器件被配置為存儲第二數(shù)據(jù)狀態(tài)。在一些實施例中，工作mtj器件通過不延伸穿過襯底的連續(xù)導(dǎo)電路徑連接在位線和字線之間。在其它實施例中，本發(fā)明涉及集成電路。集成電路包括布置在襯底上方的介電結(jié)構(gòu)內(nèi)的互連層，互連層通過介電結(jié)構(gòu)與襯底分隔開；以及調(diào)節(jié)mtj器件，布置在互連層正上方并且被配置為存儲數(shù)據(jù)狀態(tài)，工作mtj器件通過包括多個互連層并且不延伸穿過襯底的連續(xù)導(dǎo)電路徑電連接在位線和字線之間。在一些實施例中，集成電路還包括調(diào)節(jié)訪問裝...

所述基板包括覆銅芯板，通過在覆銅芯板中設(shè)置容納磁環(huán)的環(huán)形槽，有利于提高或擴展集成電路封裝基板的電路功能，例如能夠通過對沿磁環(huán)內(nèi)外分布的過孔進行繞制連接以將變壓器集成在集成電路基板內(nèi)。本發(fā)明技術(shù)方案如下：一種集成電路基板，其特征在于，包括基板本體，所述基板本體中包括覆銅芯板，所述覆銅芯板包括芯板和結(jié)合于芯板表面的上覆銅層以及結(jié)合于芯板底面 的下覆銅層，所述芯板上設(shè)置有開口朝上的環(huán)形槽，所述開口延伸至所述上覆銅層之外。所述環(huán)形槽為控深銑槽，所述開口位于所述上覆銅層的部分為蝕刻開口。所述環(huán)形槽中固定有磁環(huán)。沿所述環(huán)形槽的外圈外側(cè)設(shè)置有若干外過孔，沿所述環(huán)形槽的內(nèi)圈內(nèi)側(cè)設(shè)置有若干內(nèi)過孔。所述外過孔和內(nèi)...

將磁芯或者說磁環(huán)所處的覆銅芯板靠近電路板內(nèi)側(cè)的銅箔蝕刻掉)。所述環(huán)形槽中固定有磁環(huán)(例如，對應(yīng)各環(huán)形槽的磁環(huán)4，第二磁環(huán)5，第三磁環(huán)6等)。沿所述環(huán)形槽的外圈外側(cè)設(shè)置有若干外過孔(例如，環(huán)初級繞組外過孔10，環(huán)次級繞組外過13，第二環(huán)初級繞組外過14，第二環(huán)次級繞組外過孔17，第三環(huán)初級繞組外過18，第三環(huán)次級繞組外過孔21等)，沿所述環(huán)形槽的內(nèi)圈內(nèi)側(cè)設(shè)置有若干內(nèi)過孔(例如，環(huán)次級繞組內(nèi)過孔11，環(huán)次級繞組內(nèi)過孔12，第二環(huán)初級繞組內(nèi)過孔15，第二環(huán)次級繞組內(nèi)過16，第三環(huán)初級繞組內(nèi)過孔19，第三環(huán)次級繞組內(nèi)過20等)。所述外過孔和內(nèi)過孔均采用激光打孔(例如，激光過孔技術(shù)實現(xiàn) 精確打孔)。所述...

隔線板7的存在，可以有效地將信號線束收集整理，可以防止顯示驅(qū)動集成電路結(jié)構(gòu)內(nèi)的信號線雜亂，影響裝置運行和檢修，并且通過設(shè)置可插拔的方形橡膠塞8隔斷信號線，便于根據(jù)信號線的接入位置隨意調(diào)節(jié)橡膠塞8的位置，靈活方便。主板1的下方安裝有信號接頭9，信號接頭9包括母頭91、卡扣92和93，母頭91的兩側(cè)設(shè)置有卡扣92，卡扣92的底端焊接在93的上方，母頭91焊接在主板1的底部，93連接在信號線上，設(shè)置信號接頭9來取代將信號線直接焊接在主板1上，能夠便于后期對信號線的的檢修和更換。主板1的邊角處裝設(shè)有減震螺栓10，減震螺栓10包括螺桿101、彈簧102、墊片103、第二墊片104、第二彈簧105和限位塊...

等的半導(dǎo)體或者例如sige、sic、gaas、inas、inp等的化合物半導(dǎo)體。在一些示例實施例中，基底110可以具有絕緣體上硅(soi)結(jié)構(gòu)。基底110可以包括導(dǎo)電區(qū)域，例如，摻雜雜質(zhì)的阱或摻雜雜質(zhì)的結(jié)構(gòu)。標(biāo)準(zhǔn)單元可以包括器件區(qū)rx1、第二器件區(qū)rx2以及使器件區(qū)rx1和第二器件區(qū)rx2沿第二方向y分離的有源切口區(qū)acr。器件區(qū)rx1和第二器件區(qū)rx2中的每個可以包括從基底110沿第三方向z突出的多個鰭型有源區(qū)ac(參見圖12c)。多個有源區(qū)ac可以在方向x上彼此平行地延伸。器件隔離層112可以沿著第二方向y在基底110上位于多個有源區(qū)ac之間。多個有源區(qū)ac以鰭的形式沿著第三方向z從器件隔...

工作mtj器件通過設(shè)置在襯底上方的介電結(jié)構(gòu)與調(diào)節(jié)mtj器件橫向分隔開。在一些實施例中，集成芯片還包括布置在位于工作mtj器件正上方的存儲單元內(nèi)的第二工作mtj器件，第二工作mtj器件被配置為存儲第二數(shù)據(jù)狀態(tài)。在一些實施例中，工作mtj器件通過不延伸穿過襯底的連續(xù)導(dǎo)電路徑連接在位線和字線之間。在其它實施例中，本發(fā)明涉及集成電路。集成電路包括布置在襯底上方的介電結(jié)構(gòu)內(nèi)的互連層，互連層通過介電結(jié)構(gòu)與襯底分隔開；以及調(diào)節(jié)mtj器件，布置在互連層正上方并且被配置為存儲數(shù)據(jù)狀態(tài)，工作mtj器件通過包括多個互連層并且不延伸穿過襯底的連續(xù)導(dǎo)電路徑電連接在位線和字線之間。在一些實施例中，集成電路還包括調(diào)節(jié)訪問裝...

四倍心軸圖案qpm1、qpm2和qmp3可以布置為在方向x上具有相同的四倍心軸節(jié)距pqm，四倍心軸節(jié)距pqm可以與抗蝕劑圖案的節(jié)距相同。針對單元線路結(jié)構(gòu)uws4、uws5和uws6中每個，可以使用三個四倍心軸圖案qpm1、qpm2和qpm3在列導(dǎo)電層ccl中形成十二條列金屬線ml1至ml12。每個單元線路結(jié)構(gòu)的十二條列金屬線ml1至ml12可以在方向x上布置成順序地且重復(fù)地具有金屬節(jié)距pm21、第二金屬節(jié)距pm22、金屬節(jié)距pm21和第三金屬節(jié)距pm23。金屬節(jié)距pm21、第二金屬節(jié)距pm22和第三金屬節(jié) 距pm23可以由表達式4表示。表達式4pm21＝wdm+wmlpm22＝wqm-wmlp...

在半導(dǎo)體基底200上方形成中間層210、220和230。半導(dǎo)體基底200包括作為半導(dǎo)體晶圓的硅。在各種實施例中，半導(dǎo)體基底200可以包括另一元素半導(dǎo)體(諸如，鍺)、化合物半導(dǎo)體(諸如，碳化硅、砷化鎵、磷化鎵、磷化銦、砷化銦和/或銻化銦)、合金半導(dǎo)體(諸如，gaasp、alinas、algaas、ingaas、gainp和/或gainasp)或它們的組合。半導(dǎo)體基底200可以包括有源區(qū)、外延特征、隔離結(jié)構(gòu)、鰭狀半 導(dǎo)體區(qū)域和/或其他合適的特征。在一些示例實施例中，半導(dǎo)體基底200包括多晶硅層，該多晶硅層可被用于形成多晶硅柵電極或者用于在柵極替換工藝中形成虛設(shè)柵電極。中間層210、220和230可...

所述基板包括覆銅芯板，通過在覆銅芯板中設(shè)置容納磁環(huán)的環(huán)形槽，有利于提高或擴展集成電路封裝基板的電路功能，例如能夠通過對沿磁環(huán)內(nèi)外分布的過孔進行繞制連接以將變壓器集成在集成電路基板內(nèi)。本發(fā)明技術(shù)方案如下：一種集成電路基板，其特征在于，包括基板本體，所述基板本體中包括覆銅芯板，所述覆銅芯板包括芯板和結(jié)合于芯板表面的上覆銅層以及結(jié)合于芯板底面 的下覆銅層，所述芯板上設(shè)置有開口朝上的環(huán)形槽，所述開口延伸至所述上覆銅層之外。所述環(huán)形槽為控深銑槽，所述開口位于所述上覆銅層的部分為蝕刻開口。所述環(huán)形槽中固定有磁環(huán)。沿所述環(huán)形槽的外圈外側(cè)設(shè)置有若干外過孔，沿所述環(huán)形槽的內(nèi)圈內(nèi)側(cè)設(shè)置有若干內(nèi)過孔。所述外過孔和內(nèi)...

示出了一個處理器1500。可選地，多個處理器可以包括在設(shè)計系統(tǒng)1000中。此外，處理器1500可以包括增加計算容量的高速緩存存儲器。這樣，根據(jù)示例實施例的集成電路和設(shè)計集成電路的方法可以通過單元線路結(jié)構(gòu)提高集成電路的設(shè)計效率和性能。圖15是示出圖14的設(shè)計系統(tǒng)的示例操作的流程圖。參照圖14和圖15，設(shè)計模塊1400可以接收定義集成電路的輸入數(shù)據(jù)di(s11)。布局模塊1200可以參照包括如上所述的多個標(biāo)準(zhǔn)單元的標(biāo)準(zhǔn)單元庫1110，以便提取與輸入數(shù)據(jù)di對應(yīng)的標(biāo)準(zhǔn)單元，并且可以使用提取的標(biāo)準(zhǔn)單元執(zhí)行單元布局(s12)。布線模塊1300可以針對布局的單元執(zhí)行信號布線(s13)。當(dāng)信號布線不成功時(...

可以通過執(zhí)行標(biāo)準(zhǔn)單元sc1至sc12的上述布局和布線來確定集成電路300的布圖。可以通過電力軌311至316向標(biāo)準(zhǔn)單元sc1至sc12提供電力。電力軌311至316可以包括用于提供電源電壓vdd的高電力軌311、313和315，以及用于提供比電源電壓vdd低的第二電源電壓vss的低電力軌312、314和316。例如，電源電壓vdd可以具有正電壓電平，第二電源電壓vss可以具有地電平(例如，0v)或負(fù)電壓電平。高電力軌311、313和315以及低電力軌312、314和316在方向x上延伸并且逐一交替地布置在第二方向y上，以形成與由布置在第二方向y上的電力軌311至316定義的區(qū)域?qū)?yīng)的多個電路行...

圖2是圖1的俯視方向示意圖。附圖標(biāo)記列示如下：1-芯板；2-上覆銅層；3-下覆銅層；4-磁環(huán)；5-第二磁環(huán)；6-第三磁環(huán)；7-環(huán)形槽；8-第二環(huán)形槽；9-第三環(huán)形槽；10-環(huán)初級繞組外過孔；11-環(huán)初級繞組內(nèi)過孔；12-環(huán)次級繞組內(nèi)過孔；13-環(huán)次級繞組外過孔；14-第二環(huán)初級繞組外過孔；15-第二環(huán)初級繞組內(nèi)過孔；16-第二環(huán)次級繞組內(nèi)過孔；17-第二環(huán)次級繞組外過孔；18-第三環(huán)初級繞組外過孔；19-第三環(huán)初級繞組內(nèi)過孔；20-第三環(huán)次級繞組內(nèi)過孔；21-第三環(huán)次級繞組外過孔。具體實施方式下面結(jié)合附圖(圖1-圖2)對本發(fā)明進行說明。圖1是實施本發(fā)明一種集成電路基板的結(jié)構(gòu)示意圖，圖1表現(xiàn)的是...

每個單元線路結(jié)構(gòu)uws5的八條柵極線gl1至gl8可以通過sadp形成。如參照圖4a至圖4i所述，可以在柵極層gtl上方形成雙倍心軸圖案dpg1至dpg4。例如，雙倍心軸圖案dpg1至dpg4可以被在方向x上布置成具有可以等于抗蝕劑圖案的節(jié)距的相同的雙倍心軸節(jié)距pdg。在這種情況下，每個單元線路結(jié)構(gòu)uws5的八條柵極線gl1至gl8可以在方向x上布置成交替地具有柵極節(jié)距pg11和第二柵極節(jié)距pg12。 柵極節(jié)距pg11和第二柵極節(jié)距pg12可以彼此不同。柵極節(jié)距pg11和第二柵極節(jié)距pg12可以由表達式2表示。參照圖10，每個單元線路結(jié)構(gòu)uws6的八條柵極線gl1至gl8可以通過saqp形成。...

四倍心軸圖案qpm1、qpm2和qmp3可以布置為在方向x上具有相同的四倍心軸節(jié)距pqm，四倍心軸節(jié)距pqm可以與抗蝕劑圖案的節(jié)距相同。針對單元線路結(jié)構(gòu)uws4、uws5和uws6中每個，可以使用三個四倍心軸圖案qpm1、qpm2和qpm3在列導(dǎo)電層ccl中形成十二條列金屬線 ml1至ml12。每個單元線路結(jié)構(gòu)的十二條列金屬線ml1至ml12可以在方向x上布置成順序地且重復(fù)地具有金屬節(jié)距pm21、第二金屬節(jié)距pm22、金屬節(jié)距pm21和第三金屬節(jié)距pm23。金屬節(jié)距pm21、第二金屬節(jié)距pm22和第三金屬節(jié)距pm23可以由表達式4表示。表達式4pm21＝wdm+wmlpm22＝wqm-wmlp...

存儲介質(zhì)1100(例如，存儲裝置)可以存儲標(biāo)準(zhǔn)單元庫sclb1110。標(biāo)準(zhǔn)單元庫1110可以從存儲介質(zhì)1100被提供給設(shè)計模塊1400。標(biāo)準(zhǔn)單元庫1110可以包括多個標(biāo)準(zhǔn)單元，并且標(biāo)準(zhǔn)單元可以是用于設(shè)計塊、器件和/或芯片的小的(例如，小的)單元。存儲介質(zhì)1100可以包括用于將命令和/或數(shù)據(jù)提供給計算機作為計算機可讀存儲介質(zhì)的任何計算機可讀存儲介質(zhì)。例如，計算機可讀存儲介質(zhì)可以包括諸如隨機存取存儲器(ram)、只讀存儲器(rom)等的易失性存儲器，以及諸如閃存、磁阻ram(mram)、相變ram(pram)、電阻式ram(rram)等的非易失性存儲器。計算機可讀存儲介質(zhì)可以入到計算機中，可以被集...

可以通過電力軌71與第二電力軌72之間沿第二方向y的距離定義標(biāo)準(zhǔn)單元scl的單元高度ch。可以沿著與電力軌71和72平行的方向x定義標(biāo)準(zhǔn)單元scl的單元寬度cw。線路m1的節(jié)距會由于小節(jié)距規(guī)則而需要滿足限制。例如，線路m1會需要根據(jù)“前列到側(cè)面”約束和“圓角”約束來滿足限制。線路m1的尺寸、布置和間隔可能受到這些約束的限制。下通孔接觸件v0和線路m1可以具有阻擋層和線路導(dǎo)電層的堆疊結(jié)構(gòu)。阻擋層可以由例如tin、tan、它們的組合等形成。線路導(dǎo)電層可以由例如w、cu、它們的合金、它們的組合等形成。可以使用cvd方法、ald方法和/或電鍍方法來形成線路m1和下通孔接觸件v0。根據(jù)一些示例實施例的集...

根據(jù)示例實施例的集成電路以及制造和設(shè)計所述集成電路的方法可以通過單元線路結(jié)構(gòu)提高集成電路的設(shè)計效率和性能。實施例可以應(yīng)用于任何電子裝置和系統(tǒng)。例如，實施例可以應(yīng)用于諸如存儲器卡、固態(tài)驅(qū)動器(ssd)、嵌入式多媒體卡(emmc)、移動電話、智能電話、個人數(shù)字助理(pda)、便攜式多媒體播放器(pmp)、數(shù)碼相機、便攜式攝像機、個人計算機(pc)、服務(wù)器計算機、工作站 、膝上型計算機、數(shù)字tv、機頂盒、便攜式、導(dǎo)航系統(tǒng)、可穿戴裝置、物聯(lián)網(wǎng)(iot)裝置、萬物網(wǎng)(ioe)裝置、電子書、虛擬現(xiàn)實(vr)裝置、增強現(xiàn)實(ar)裝置等的系統(tǒng)。前述內(nèi)容是對示例實施例的說明，而不應(yīng)被解釋為對其進行限制。盡管已...

在半導(dǎo)體基底200上方形成中間層210、220和230。半導(dǎo)體基底200包括作為半導(dǎo)體晶圓的硅。在各種實施例中，半導(dǎo)體基底200可以包括另一元素半導(dǎo)體(諸如，鍺)、化合物半導(dǎo)體(諸如，碳化硅、砷化鎵、磷化鎵、磷化銦、砷化銦和/或銻化銦)、合金半導(dǎo)體(諸如，gaasp、alinas、algaas、ingaas、gainp和/或gainasp)或它們的組合。半導(dǎo)體基底200可以包括有源區(qū)、外延特征、隔離結(jié)構(gòu)、鰭狀半 導(dǎo)體區(qū)域和/或其他合適的特征。在一些示例實施例中，半導(dǎo)體基底200包括多晶硅層，該多晶硅層可被用于形成多晶硅柵電極或者用于在柵極替換工藝中形成虛設(shè)柵電極。中間層210、220和230可...

圖2是圖1的俯視方向示意圖。附圖標(biāo)記列示如下：1-芯板；2-上覆銅層；3-下覆銅層；4-磁環(huán)；5-第二磁環(huán)；6-第三磁環(huán)；7-環(huán)形槽；8-第二環(huán)形槽；9-第三環(huán)形槽；10-環(huán)初級繞組外過孔；11-環(huán)初級繞組內(nèi)過孔；12-環(huán)次級繞組內(nèi)過孔；13-環(huán)次級繞組外過孔；14-第二環(huán)初級繞組外過孔；15-第二環(huán)初級繞組內(nèi)過孔；16-第二環(huán)次級繞組內(nèi)過孔；17-第二環(huán)次級繞組外過孔；18-第三環(huán)初級繞組外過孔；19-第三環(huán)初級繞組內(nèi)過孔；20-第三環(huán)次級繞組內(nèi)過孔；21-第三環(huán)次級繞組外過孔。具體實施方式下面結(jié) 合附圖(圖1-圖2)對本發(fā)明進行說明。圖1是實施本發(fā)明一種集成電路基板的結(jié)構(gòu)示意圖，圖1表現(xiàn)的...

本實用新型屬于數(shù)據(jù)錄入裝置技術(shù)領(lǐng)域，特別是涉及一種集成電路軟件快速錄入裝置。背景技術(shù)：傳統(tǒng)依靠計算機鍵盤進行信息錄入模式，已經(jīng)不能滿足復(fù)雜生產(chǎn)環(huán)境下數(shù)據(jù)錄入的需要。而正以追求安全化、智能化、數(shù)字化的數(shù)據(jù)錄入方法成為新形勢下的目標(biāo)。如中國發(fā) 明 公開號“cn”名稱為“一種手持式采油工數(shù)據(jù)錄入儀”的 公開了一種油田采油生產(chǎn)中技術(shù)參數(shù)和資料的錄入裝置。其特征在于：該裝置主要包括一個4×4的鍵盤，一個 處理器cpu，兩個鐵電存儲器32k×2和一個多路選擇器。該種數(shù)據(jù)錄入裝置結(jié)構(gòu)較為簡單，只能根據(jù)預(yù)設(shè)置流程和界面進行操作，操作界面死板，動態(tài)輸入性較差，從而根據(jù)數(shù)據(jù)解析的設(shè)置簡單。如中國發(fā)明專利公開號“c...

所述基板包括覆銅芯板，通過在覆銅芯板中設(shè)置容納磁環(huán)的環(huán)形槽，有利于提高或擴展集成電路封裝基板的電路功能，例如能夠通過對沿磁環(huán)內(nèi)外分布的過孔進行繞制連接以將變壓器集成在集成電路基板內(nèi)。本發(fā)明技術(shù)方案如下：一種集成電路基板，其特征在于，包括基板本體，所述基板本體中包括覆銅芯板，所述覆銅芯板包括芯板和結(jié)合于芯板表面的上覆銅層以及結(jié)合于 芯板底面的下覆銅層，所述芯板上設(shè)置有開口朝上的環(huán)形槽，所述開口延伸至所述上覆銅層之外。所述環(huán)形槽為控深銑槽，所述開口位于所述上覆銅層的部分為蝕刻開口。所述環(huán)形槽中固定有磁環(huán)。沿所述環(huán)形槽的外圈外側(cè)設(shè)置有若干外過孔，沿所述環(huán)形槽的內(nèi)圈內(nèi)側(cè)設(shè)置有若干內(nèi)過孔。所述外過孔和內(nèi)...

具備以下有益效果：該組合式集成電路芯片，通過設(shè)置有空心導(dǎo)熱塊、空心散熱塊和第二空心散熱塊，當(dāng)芯片本體與集塵電路板安裝的時候，首先把l形桿插入螺紋塊的凹槽中，接著通過螺母與螺紋塊連接，達到固定散熱機構(gòu)的目的，之后打開管蓋，并通過導(dǎo)管向空心導(dǎo)熱塊內(nèi)加注部分純凈水，接著蓋上管蓋，在芯片本體工作散發(fā)熱量的時候，熱量被空心導(dǎo)熱塊吸收，同時空心導(dǎo)熱塊內(nèi)部的純凈水受熱蒸發(fā)，并通過連通管和第二連接管進入到空心散熱塊和第二散熱塊中，利用空心散熱塊和第二空心散熱塊較 大的散熱面積快速的把熱量導(dǎo)出，然后水蒸汽凝結(jié)成水珠，水珠回到空心導(dǎo)熱塊中繼續(xù)吸收熱量，該結(jié)構(gòu)能夠有效提高芯片的散熱效率，同時提高了芯片運行的流暢性，...

每個單元線路結(jié)構(gòu)的八條柵極線通過自對準(zhǔn)雙倍圖案化(sadp)形成，并且每個單元線路結(jié)構(gòu)的八條柵極線在方向上布置成交替地具有柵極節(jié)距和第二柵極節(jié)距。在又一實施例中，每個單元線路結(jié)構(gòu)包括十二條金屬線和八條柵極線，每個單元線路結(jié)構(gòu)的十二條金屬線通過自對準(zhǔn)四倍圖案化(saqp)形成，并且每個單元線路結(jié)構(gòu)的十二條金屬線在方向上布置成順序地且重復(fù)地具有金屬節(jié)距、第二金屬節(jié)距、金屬節(jié)距和第三金屬節(jié)距。在這個實施例中，每個單元線路結(jié)構(gòu)的八條柵極線通過saqp形成，并且每個單元線路結(jié)構(gòu)的八條柵極線在方向上布置成順序地且重復(fù)地具有柵極節(jié)距、第二柵極節(jié)距、柵極節(jié)距和第三柵極節(jié)距。還提供一種制造集成電路的方法。所述方...

在半導(dǎo)體基底200上方形成中間層210、220和230。半導(dǎo)體基底200包括作為半導(dǎo)體晶圓的硅。在各種實施例中，半導(dǎo)體基底200可以包括另一元素半導(dǎo)體(諸如，鍺)、化合物半導(dǎo)體(諸如，碳化硅、砷化鎵、磷化鎵、磷化銦、砷化銦和/或銻化銦)、合金半導(dǎo)體(諸如，gaasp、alinas、algaas、ingaas、gainp和/或gainasp)或它們的組合。半導(dǎo)體基底200可以包括有源區(qū)、外延特征、隔離結(jié)構(gòu)、鰭狀半 導(dǎo)體區(qū)域和/或其他合適的特征。在一些示例實施例中，半導(dǎo)體基底200包括多晶硅層，該多晶硅層可被用于形成多晶硅柵電極或者用于在柵極替換工藝中形成虛設(shè)柵電極。中間層210、220和230可...