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本發明涉及不具有驅動晶體管(即，存取晶體管)的存儲單元(例如，mram單元)。而且，存儲單元包括調節訪問裝置，該調節訪問裝置具有被配置為選擇性地對工作mtj器件提供訪問的一個或多個調節mtj器件。在一些實施例中，本發明涉及集成芯片。集成芯片包括連接至位線的工作磁隧道結(mtj)器件，工作mtj器件被配置為存儲數據狀態；以及連接在工作mtj器件和字線之間的調節訪問裝置，調節訪問裝置包括被配置為控制提供給工作mtj器件的電流的一個或多個調節mtj器件。在一些實施例中，一個或多個調節mtj器件分別包括固定層、介電阻擋層和通過介電阻擋層與固定層分隔開的自由層。在一些實施例中，調節訪問裝置還包括連接在第...

在介電層220以及心軸圖案231、232和233的上方設置間隔層260。間隔層260包括與介電層220和心軸圖案231、232和233不同的一種或更多種材料，使得間隔層260針對蝕刻工藝具有不同的蝕刻選擇性。可以通過cvd工藝、pvd工藝、原子層沉積(ald)工藝或其他合適的沉積技術形成間隔層260。參照圖4e，針對間隔層260執行蝕刻工藝，因此定義側壁間隔件261至266。側壁間隔件261(類似地，262至266)在此可以稱為第二心軸圖案。如圖4e中所示，心軸圖案231在蝕刻之前存在。圖4f中示出蝕刻掉心軸圖案231后的結果(例如，側壁間隔件261和262保留)。在一些實施例中，在261與2...

使得在所述印刷電路裝配件中的每個印刷電路裝配件上的散熱器的頂表面與另一個印刷電路裝配件上的熱接口材料層接觸，并且與所述熱接口材料層熱耦聯。圖5是移除了雙列直插式存儲模塊組件的印刷電路裝配件的圖。圖6是印刷電路裝配件的圖，包括已安裝在印刷電路板插座中的雙列直插式存儲模塊組件200并且包括已附接的分流管。圖7a和圖7b示出了根據一個實施例的、特征在于外部鉸鏈的雙列直插式存儲模塊組件。圖8a和圖8b示出了根據一個實施例的、特征在于內部鉸鏈的雙列直插式存儲模塊組件。圖9示出了根據一個實施例的流程。附圖是非詳盡的，并且不限制本公開至所公開的精確形式。具體實施方式諸如雙列直插式存儲模塊(dimm)的集成電...

在半導體基底200上方形成中間層210、220和230。半導體基底200包括作為半導體晶圓的硅。在各種實施例中，半導體基底200可以包括另一元素半導體(諸如，鍺)、化合物半導體(諸如，碳化硅、砷化鎵、磷化鎵、磷化銦、砷化銦和/或銻化銦)、合金半導體(諸如，gaasp、alinas、algaas、ingaas、gainp和/或gainasp)或它們的組合。半導體基底200可以包括有源區、外延特征、隔離結構、鰭狀半導體區域和/或其他合適的特征。在一些示例實施例中，半導體基底200包括多晶硅層，該多晶硅層可被用于形成多晶硅柵電極或者用于在柵極替換工藝中形成虛設柵電極。中間層210、220和230可以...

國內集成電路發展非常之快，并非想象中那么落后了，所以就業前景很不錯的。好好學習吧，學長給你一點建議，認真對待每一門課程，很多大二的學長會告訴你什么高數無用，線代無用，那是因為他們本身都沒學好都沒有認識到這些課程的重要性，所以你能西安郵電學院的集成電路設計與集成系統專業到底怎么樣西電在IC設計領域國內還是挺靠前的吧，我覺得這個專業能數的上來的就這么幾個學校：清華，北大（偏器件和理論），復旦，上交，東南，成電，西電。IC設計還是得讀研，得去流片，要不跟沒學一樣。集成電路設計與集成系統屬于哪個學院專業的全國排名順序怎屬于電氣學院把~~~這種專業比較少，專業不怎么好排名把~~~電子科技大學，就業沒...

模塊可以包括軟件組件、類組件、任務組件、過程、功能、屬性、步驟、子例程、程序代碼段、驅動程序、固件、微代碼、電路、數據、數據庫、數據結構、表、陣列、參數等。模塊可以被劃分為執行詳細功能的多個模塊。布局模塊1200可以使用處理器1500基于定義集成電路和標準單元庫1110的輸入數據di來布置標準單元。布線模塊1300可以針對從布局模塊1200提供的單元布局執行信號布線。如果布線不成功，則布局模塊1200可以修改先前的單元布局，并且布線模塊1300可以利用修改的單元布局執行信號布線。當布線成功完成時，布線模塊1300可以提供定義集成電路的輸出數據do。布局模塊1200和布線模塊1300可以由單個集...

字線解碼器118被配置為選擇性地將信號施加至連接至存儲器陣列102的一條或多條字線wl1至wl6，并且位線解碼器116被配置成選擇性地將信號施加至連接至存儲器陣列102的一條或多條位線bl1至bl3。通過選擇性地將信號施加至一條或多條字線wl1至wl6和一條或多條位線bl1至bl3，可以在相互排斥的情況下選擇性地訪問多個工作mtj器件106中的不同工作mtj器件106。例如，圖3a至圖3b示出了圖2的存儲器電路200的寫入操作的一些實施例的示意圖300和302。示意圖300和302所示的寫入操作是實施寫入操作的方法的非限制性實例。在其它實施例中，可以可選地使用實施寫入操作的其它方法。圖3a至圖...

同樣的附圖標記始終表示同樣的元件?？梢允÷灾貜偷拿枋觥Ｔ谙挛闹?，在三維空間中使用方向x、第二方向y和第三方向z描述根據示例實施例的集成電路的結構。方向x可以是行方向，第二方向y可以是列方向，第三方向z可以是豎直方向。方向x、第二方向y和第三方向z可以交叉，例如，可以彼此正交或垂直。圖1是示出制造集成電路的方法的流程圖。參照圖1，在半導體基底上方的柵極層中形成多條柵極線，其中，所述多條柵極線布置在方向上并且在垂直于方向的第二方向上延伸(s100)。在柵極層上方的導電層中形成多條金屬線，其中，所述多條金屬線布置在方向上并且在第二方向上延伸，使得6n條金屬線和4n條柵極線形成單元線路結構，其中，n是...

調節)提供給工作mtj器件的電流來選擇性地對工作mtj器件提供訪問。通過使用調節訪問裝置來選擇性地對存儲器陣列內的工作mtj器件提供訪問，可以減小存儲器陣列內的存儲單元(例如，mram單元)的尺寸，因為該尺寸不再取決于驅動晶體管的尺寸。圖1示出了具有調節訪問裝置的存儲器電路100的一些實施例的示意圖，該調節訪問裝置被配置為選擇性地對工作mtj器件提供訪問。存儲器電路100包括具有多個存儲單元104a,1至104b,2的存儲器陣列102。多個存儲單元104a,1至104b,2以行和/或列布置在存儲器陣列102內。例如，行存儲單元包括存儲單元104a,1和104a,2，而列存儲單元包括存儲單元10...

每個單元線路結構的六條列金屬線ml1至ml6可以在方向x上布置成交替地具有金屬節距pm11和第二金屬節距pm12。金屬節距pm11和第二金屬節距pm12可以由表達式1表示。表達式1pm11＝wdm+wmlpm12＝pdm-(wdm+wml)在表達式1中，wdm表示雙倍心軸圖案dpm1、dpm2和dpm3的寬度，wml表示列金屬線ml1至ml6的寬度。在形成列金屬線ml1至ml6之前，可以在列導電層ccl下方的柵極層gtl中形成針對每個單元線路結構的四條柵極線gl1至gl4。參照圖5，每個單元線路結構uws1的四條柵極線gl1至gl4可以通過單圖案化形成。在這種情況下，每個單元線路結構uws1的...

調節)提供給工作mtj器件的電流來選擇性地對工作mtj器件提供訪問。通過使用調節訪問裝置來選擇性地對存儲器陣列內的工作mtj器件提供訪問，可以減小存儲器陣列內的存儲單元(例如，mram單元)的尺寸，因為該尺寸不再取決于驅動晶體管的尺寸。圖1示出了具有調節訪問裝置的存儲器電路100的一些實施例的示意圖，該調節訪問裝置被配置為選擇性地對工作mtj器件提供訪問。存儲器電路100包括具有多個存儲單元104a,1至104b,2的存儲器陣列102。多個存儲單元104a,1至104b,2以行和/或列布置在存儲器陣列102內。例如，行存儲單元包括存儲單元104a,1和104a,2，而列存儲單元包括存儲單元10...

模塊可以包括軟件組件、類組件、任務組件、過程、功能、屬性、步驟、子例程、程序代碼段、驅動程序、固件、微代碼、電路、數據、數據庫、數據結構、表、陣列、參數等。模塊可以被劃分為執行詳細功能的多個模塊。布局模塊1200可以使用處理器1500基于定義集成電路和標準單元庫1110的輸入數據di來布置標準單元。布線模塊1300可以針對從布局模塊1200提供的單元布局執行信號布線。如果布線不成功，則布局模塊1200可以修改先前的單元布局，并且布線模塊1300可以利用修改的單元布局執行信號布線。當布線成功完成時，布線模塊1300可以提供定義集成電路的輸出數據do。布局模塊1200和布線模塊1300可以由單個集...

包括樣品用量，訂單用量，預計用量）Endcustomer:終用戶Endcountry:終使用地點（國家）Designlocation:設計方（國家，公司）Purchaseschedule:采購計劃其他信息：Applianceenvironment:產品應用環境Deliverylocation:交貨地點（大陸某地或中國香港）Paymentitems:付款條件當然，需要得到的并不是一個價格，應該至少包括以下一些內容：Price:價格MPQ:小包裝MOQ:小訂購量Leadtime:交貨期Deliverylocation:交貨地點Paymentitems:付款條件三、產品種類產品有多樣的，例如：⑴繼電...

圖3示出了印刷電路板202、集成電路204a、204b、熱接口材料206a、206b的層、散熱器板208a、208b以及彈性夾210a、210b、210c。所公開的技術的特別值得注意的特征包括散熱器板208的頂表面302，所述頂表面由越過印刷電路板202的與連接側304相對的側延伸的一個或多個側板208形成。這些特征將在下面更詳細地討論。圖4a示出了根據一個實施例的兩個相同的印刷電路裝配件400a和400b。印刷電路裝配件400a和400b中的每個包括系統板402，多個印刷電路板插座平行地安裝在系統板上，所述印刷電路板插座中的一個印刷電路板插座標記為404。冷卻管406鄰接地且平行于每個印刷電...

該比較器經配置以通過將一預設電壓與一實際電壓進行比較來產生關于該不成熟分類的信息。在一些實施例中，該預設電壓的微分決定該信號的預設回轉率。在一些實施例中，該機器學習電路還包括一測量電路。該測量電路經配置以通過實際測量該信號來提供該實際電壓。在一些實施例中，該測量電路包括一取樣保持電路、一第二取樣保持電路以及一減法器電路。該取樣保持電路經配置以取樣該信號的一電壓。該第二取樣保持電路經配置以取樣該信號的一第二電壓。該減法器電路經配置以通過從該第二電壓中減去該電壓來提供該實際電壓。在一些實施例中，該實際電壓的微分決定該信號的實際回轉率。在一些實施例中，該機器學習電路還包括一加法器電路。該加法器電路經...

包括樣品用量，訂單用量，預計用量）Endcustomer:終用戶Endcountry:終使用地點（國家）Designlocation:設計方（國家，公司）Purchaseschedule:采購計劃其他信息：Applianceenvironment:產品應用環境Deliverylocation:交貨地點（大陸某地或中國香港）Paymentitems:付款條件當然，需要得到的并不是一個價格，應該至少包括以下一些內容：Price:價格MPQ:小包裝MOQ:小訂購量Leadtime:交貨期Deliverylocation:交貨地點Paymentitems:付款條件三、產品種類產品有多樣的，例如：⑴繼電...

可以通過執行標準單元sc1至sc12的上述布局和布線來確定集成電路300的布圖。可以通過電力軌311至316向標準單元sc1至sc12提供電力。電力軌311至316可以包括用于提供電源電壓vdd的高電力軌311、313和315，以及用于提供比電源電壓vdd低的第二電源電壓vss的低電力軌312、314和316。例如，電源電壓vdd可以具有正電壓電平，第二電源電壓vss可以具有地電平(例如，0v)或負電壓電平。高電力軌311、313和315以及低電力軌312、314和316在方向x上延伸并且逐一交替地布置在第二方向y上，以形成與由布置在第二方向y上的電力軌311至316定義的區域對應的多個電路行...

所述主板的下方安裝有信號接頭，所述主板的邊角處裝設有減震螺栓，所述減震螺栓的下方焊接有支撐桿，所述支撐桿的內部安裝有緊固螺栓，所述緊固螺栓的下方套設有連桿，所述連桿的上方安裝有線夾。的，所述散熱板為鰭形設計。的，所述橡膠塞為方形設計，所述橡膠塞鑲嵌在隔線板內部均勻開設的方形通孔內。的，所述信號接頭包括母頭、卡扣和，所述母頭的兩側設置有卡扣，所述卡扣的底端焊接在的上方，所述母頭焊接在主板的底部，所述連接在信號線上。的，所述減震螺栓包括螺桿、彈簧、墊片、第二墊片、第二彈簧和限位塊，所述螺桿的頂部套設有彈簧，所述彈簧的下方焊接有墊片，所述墊片的下方安裝有第二墊片，所述第二墊片的下方焊接有第二彈簧，所...

本實用新型涉及集成電路芯片技術領域，尤其涉及一種組合式集成電路芯片。背景技術：集成電路是一種微型電子器件或部件，使電子元件向著微小型化、低功耗、智能化和高可靠性方面邁進了一大步，而集成電路芯片是包括一硅基板、至少一電路、一固定封環、一接地環及至少一防護環的電子元件，其電路形成于硅基板上，電路具有至少一輸出/輸入墊，固定封環形成于硅基板上，并圍繞電路及輸出/輸入墊，接地環形成于硅基板及輸出/輸入墊之間，并與固定封環電連接，防護環設置于硅基板之上，并圍繞輸出/輸入墊，用以與固定封環電連接。目前集成電路芯片在使用的時候會散發大量的熱量，但現有的芯片散熱效率較低，導致芯片長時間處于高溫環境中，高溫不光...

并且因此熱耦聯至熱接口材料806。側板808可以由鋁制成。然而，可以使用其他材料來形成側板808。能夠移除的一個或多個彈性夾810可定位在側板808周圍，以將側板808壓靠在熱接口材料806上，以確保合適的熱耦聯。圖9示出了根據一個實施例的流程900。盡管流程的步驟以特定順序示出，這些步驟的部分或全部可以以其他順序執行、并行地執行或兩者的組合。一些步驟可以被省略。參考圖9，在902處，提供兩個印刷電路裝配件400。每個印刷電路裝配件400包括：系統板402；平行地安裝在系統板402上的多個印刷電路板插座404；和多個冷卻管406，每個所述冷卻管安裝在系統板402上、平行且鄰接于所述印刷電路板插...

sr)調整程序以進行另一次迭代的調整程序以前，使用者采取的步驟。在調整流程中，在操作200中調整信號dout的回轉率，直到操作202中產生的信號dout在操作204中的測量滿足在操作208中獲取的規范，其中使用者于操作206中評估該測量。應當注意，該規范對于操作206中的評估可能是關鍵的。此外，應該注意，該規范通常是非正式的，并且可以不由圖1的使用者應用端12輸入?？傊?，前述操作被迭代地執行，直到經調整回轉率滿足規范的要求。經配置以測量信號dout的電壓的示波器120的尺寸相對較大。此外，需要手動調整回轉率。結果，比較方法相對不方便。圖3是根據本公開的一些實施例的具有一機器學習電路(machi...

所述方法包括：提供兩個印刷電路裝配件，每個所述印刷電路裝配件包括：系統板，在所述系統板上的多個印刷電路板插座，多個液體冷卻管，每個所述液體冷卻管鄰接于所述印刷電路板插座中的一個印刷電路板插座地耦聯至所述系統板，連接至所述印刷電路板插座的多個集成電路模塊，和多個散熱器，每個所述散熱器與所述集成電路模塊中的一個集成電路模塊熱耦聯；以及將所述印刷電路裝配件彼此相對地布置，使得所述兩個印刷電路裝配件的集成電路模塊彼此交錯，并且所述印刷電路裝配件中的每個印刷電路裝配件的散熱器的頂表面與另一個印刷電路裝配件的液體冷卻管熱耦聯。附圖說明參考下列附圖，根據一個或多個不同實施例詳細描述了本公開。附圖出于說明的目...

三星始終關注商務人士的使用環境，2006年三星從產品層面的衍生，提升到關注商務人士的生活方式，體現了三星筆記本電腦的人文關懷。尤其值得注意的是：1999年，三星決策加入奧林匹克TOP計劃（TheOlympicPlan，全球贊助商計劃）以提高品牌形象。自此，三星將奧運理念融入企業品牌。三星堅信，三星品牌與體育休閑產業是一種完美的結合。通過三星（SAMSUNG）韓國品牌三星為自己的定位是：數字融合的**；其品牌內涵是：數字世三星設計研究所怎么樣韓三星韓語說能走高層領導比較困難待遇看具體技術類員技術類能些說比般企些歐美企業能比有誰了解在集成電路中大的展會是什么時候的哪家舉辦的謝謝有誰了解在集成電...

在多個底電極通孔正上方形成多個mtj器件。多個mtj器件包括工作mtj器件和一個或多個調節mtj器件。圖10示出了對應于步驟1306的一些實施例的截面圖1000。在步驟1308中，在多個mtj器件正上方形成多個頂電極通孔。圖11示出了對應于步驟1308的一些實施例的截面圖1100。在步驟1310中，在多個頂電極通孔上方形成具有多個互連結構的第二互連層。多個互連結構限定位線和一條或多條字線。圖11示出了對應于步驟1310的一些實施例的截面圖1100。步驟1302至1310在襯底上方形成存儲單元。在一些實施例中，可以重復步驟1302至1310(如步驟1312所示)以在存儲單元上方形成第二存儲單元。...

但這個發展速度也是非常驚人的。集成電路是一門高科技，它促進了很多門學科的發展，包括自動化、裝備生產、精密儀器、微細加工等產業。1美金的芯片所能帶動的GDP相當于100美金，而全世界一年的芯片產值所撬動的GDP，相當于中國和美國的GDP之和，而且，這個產業對我們國家的信息安全具有非常重要的作用。中國的芯片市場占了全世界的，是世界上大的芯片需求市場，但自給率卻不到10%。從2008年開始，我國的集成電路進口占據了進口商品中大的一部分，甚至超過了石油和糧食。目前，我國集成電路生產技術還比較落后，面臨著巨大的挑戰。首先，為了降低成本，我們要盡量在單位面積上制造出更多的晶體管，縮小電路板面積。其次，努力...

示出了一個處理器1500?？蛇x地，多個處理器可以包括在設計系統1000中。此外，處理器1500可以包括增加計算容量的高速緩存存儲器。這樣，根據示例實施例的集成電路和設計集成電路的方法可以通過單元線路結構提高集成電路的設計效率和性能。圖15是示出圖14的設計系統的示例操作的流程圖。參照圖14和圖15，設計模塊1400可以接收定義集成電路的輸入數據di(s11)。布局模塊1200可以參照包括如上所述的多個標準單元的標準單元庫1110，以便提取與輸入數據di對應的標準單元，并且可以使用提取的標準單元執行單元布局(s12)。布線模塊1300可以針對布局的單元執行信號布線(s13)。當信號布線不成功時(...

同樣的附圖標記始終表示同樣的元件?？梢允÷灾貜偷拿枋?。在下文中，在三維空間中使用方向x、第二方向y和第三方向z描述根據示例實施例的集成電路的結構。方向x可以是行方向，第二方向y可以是列方向，第三方向z可以是豎直方向。方向x、第二方向y和第三方向z可以交叉，例如，可以彼此正交或垂直。圖1是示出制造集成電路的方法的流程圖。參照圖1，在半導體基底上方的柵極層中形成多條柵極線，其中，所述多條柵極線布置在方向上并且在垂直于方向的第二方向上延伸(s100)。在柵極層上方的導電層中形成多條金屬線，其中，所述多條金屬線布置在方向上并且在第二方向上延伸，使得6n條金屬線和4n條柵極線形成單元線路結構，其中，n是...

本發明的實施例總體涉及半導體領域，更具體地，涉及集成電路及其形成方法。背景技術：許多現代電子器件包含配置為存儲數據的電子存儲器。電子存儲器可以是易失性存儲器或非易失性存儲器。易失性存儲器在上電時存儲數據，而非易失性存儲器能夠在斷開電源時存儲數據。磁阻式隨機存取存儲器(mram)是用于下一代非易失性存儲器技術的一種有前景的候選。技術實現要素：根據本發明的一個方面，提供了一種集成芯片，包括：工作磁隧道結(mtj)器件，連接至位線，其中，所述工作磁隧道結器件被配置為存儲數據狀態；以及調節訪問裝置，連接在所述工作磁隧道結器件和字線之間，其中，所述調節訪問裝置包括被配置為控制提供給所述工作磁隧道結器件的...

字線解碼器118被配置為選擇性地將信號施加至連接至存儲器陣列102的一條或多條字線wl1至wl6，并且位線解碼器116被配置成選擇性地將信號施加至連接至存儲器陣列102的一條或多條位線bl1至bl3。通過選擇性地將信號施加至一條或多條字線wl1至wl6和一條或多條位線bl1至bl3，可以在相互排斥的情況下選擇性地訪問多個工作mtj器件106中的不同工作mtj器件106。例如，圖3a至圖3b示出了圖2的存儲器電路200的寫入操作的一些實施例的示意圖300和302。示意圖300和302所示的寫入操作是實施寫入操作的方法的非限制性實例。在其它實施例中，可以可選地使用實施寫入操作的其它方法。圖3a至圖...

該減法器電路包括一輸入端耦合到該比較器的一輸出端，以及另一輸入端耦合到一參考電壓，其中因應于該參考電壓和該減法器電路的一輸出端的一電壓之間的一差值的存在，該比較器的該另一輸入端從耦合一預設電壓改為耦合到一經學習電壓。在一些實施例中，該參考電壓反映一參考分類，該參考分類通過人工比較該預設電壓和該實際電壓來獲取。在一些實施例中，該集成電路元件還包括一分壓器以及一加法器電路。該分壓器經配置以接收該減法器電路的該輸出端的該電壓。該加法器電路包括一輸入端耦合到該分壓器的一輸出端，以及另一輸入端耦合到一預設權重。在一些實施例中，該集成電路元件還包括一反相器以及一乘法器電路。該反相器包括一輸入端耦合到該加法...