2023年5月，新加坡—麻省理工學院研究與技術聯(lián)盟的科學家開發(fā)了世界上**小的LED（發(fā)光二極管）。 [10]2024年2月5日，中國科學院寧波材料技術與工程研究所團隊深挖機理、創(chuàng)新工藝，制備出一款高效穩(wěn)定的鈣鈦礦發(fā)光二極管，相關論文發(fā)于國際學術期刊《自然·光子學》。 [12]發(fā)光二極管與普通二極管一樣是由一個PN結組成，也具有單向導電性。當給發(fā)光二極管加上正向電壓后，從P區(qū)注入到N區(qū)的空穴和由N區(qū)注入到P區(qū)的電子，在PN結附近數(shù)微米內分別與N區(qū)的電子和P區(qū)的空穴復合，產(chǎn)生自發(fā)輻射的熒光。不同的半導體材料中電子和空穴所處的能量狀態(tài)不同。當電子和空穴復合時釋放出的能量多少不同，釋放出的能量越多，則發(fā)出的光的波長越短。常用的是發(fā)紅光、綠光或黃光的二極管。發(fā)光二極管的反向擊穿電壓大于5伏。它的正向伏安特性曲線很陡，使用時必須串聯(lián)限流電阻以控制通過二極管的電流。在正常使用的電流范圍內，導通時二極管的端電壓幾乎維持不變，這個電壓稱為二極管的正向電壓。虹口區(qū)特點二極管設計

動態(tài)電阻二極管特性曲線靜態(tài)工作點附近電壓的變化與相應電流的變化量之比。 [4]電壓溫度系數(shù)電壓溫度系數(shù)指溫度每升高一攝氏度時的穩(wěn)定電壓的相對變化量。 [4]比較高工作頻率比較高工作頻率是二極管工作的上限頻率。因二極管與PN結一樣，其結電容由勢壘電容組成。所以比較高工作頻率的值主要取決于PN結結電容的大小。若是超過此值。則單向導電性將受影響。 [4]比較大整流電流比較大整流電流是指二極管長期連續(xù)工作時，允許通過的比較大正向平均電流值，其值與PN結面積及外部散熱條件等有關。因為電流通過管子時會使管芯發(fā)熱，溫度上升，溫度超過容許限度（硅管為141℃左右，鍺管為90℃左右）時，就會使管芯過熱而損壞。所以在規(guī)定散熱條件下，二極管使用中不要超過二極管比較大整流電流值金山區(qū)國產(chǎn)二極管設計二極管就是由一個PN結加上相應的電極引線及管殼封裝而成的。

PN結單向導電性在PN結外加正向電壓V，在這個外加電場的作用下，PN結的平衡狀態(tài)被打破，P區(qū)中的空穴和N區(qū)的電子都往PN結方向移動，空穴和PN結P區(qū)的負離子中和，電子和PN結N區(qū)的正離子中和，這樣就使PN結變窄。隨著外加電場的增加，擴散運動進一步增強，漂移運動減弱。當外加電壓超過門檻電壓，PN結相當于一個阻值很小的電阻，也就是PN結導通。 [6]點接觸型二極管點接觸型二極管的PN結接觸面積小，不能通過較大的正向電流和承受較高的反向電壓，但它的高頻性能好，適宜在高頻檢波電路和開關電路中使用 [5]。

面接觸型二極管面接觸型二極管的PN結接觸面積大，可以通過較大的電流，也能承受較高的反向電壓，適宜在整流電路中使用 [5]。平面型二極管平面型二極管在脈沖數(shù)字電路中作開關管使用時PN結面積小，用于大功率整流時PN結面積較大 [5]。穩(wěn)壓管穩(wěn)壓管穩(wěn)壓管是一種特殊的面接觸型半導體硅二極管，具有穩(wěn)定電壓的作用。穩(wěn)壓管與普通二極管的主要區(qū)別在于，穩(wěn)壓管是工作在PN結的反向擊穿狀態(tài)。通過在制造過程中的工藝措施和使用時限制反向電流的大小，能保證穩(wěn)壓管在反向擊穿狀態(tài)下不會因過熱而損壞。 [4]二極管是用半導體材料(硅、硒、鍺等)制成的一種電子器件 [1]。

變容二極管將萬用表紅、黑表筆怎樣對調測量，變容二極管的兩引腳間的電阻值均應為無窮大。如果在測量中，發(fā)現(xiàn)萬用表指針向右有輕微擺動或阻值為零，說明被測變容二極管有漏電故障或已經(jīng)擊穿壞。 [8]單色發(fā)光二極管在萬用表外部附接一節(jié)能1.5V干電池，將萬用表置R×10或R×100擋。這種接法就相當于給予萬用表串接上了1.5V的電壓，使檢測電壓增加至3V(發(fā)光二極管的開啟電壓為2V)。檢測時，用萬用表兩表筆輪換接觸發(fā)光二極管的兩管腳。若管子性能良好，必定有一次能正常發(fā)光，此時，黑表筆所接的為正極紅表筆所接的為負極。當正向電壓大于死區(qū)電壓以后，PN結內電場被克服，二極管正向導通，電流隨電壓增大而迅速上升。奉賢區(qū)制造二極管生產(chǎn)企業(yè)

因為PN結的單向導電性，二極管導通時電流方向是由陽極通過管子內部流向陰極。虹口區(qū)特點二極管設計

N型半導體形成的原理和P型原理相似。在本征半導體中摻入五價原子，如磷等。摻入后，它與硅原子形成共價鍵，產(chǎn)生了自由電子。在N型半導體中，電子為多數(shù)載流子，空穴為少數(shù)載流子。 [6]PN結因此，在本征半導體的兩個不同區(qū)域摻入三價和五價雜質元素，便形成了P型區(qū)和N型區(qū)，根據(jù)N型半導體和P型半導體的特性，可知在它們的交界處就出現(xiàn)了電子和空穴的濃度差異，電子和空穴都要從濃度高的區(qū)域向濃度低的區(qū)域擴散，它們的擴散使原來交界處的電中性被破壞。 [6]虹口區(qū)特點二極管設計

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