產(chǎn)品中心
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磁存儲技術(shù)與其他存儲技術(shù)的融合發(fā)展趨勢日益明顯。與固態(tài)存儲（如閃存）相比，磁存儲具有大容量和低成本的優(yōu)勢，而固態(tài)存儲則具有高速讀寫的特點。將...
擴(kuò)散硅電容具有獨(dú)特的特性，在多個領(lǐng)域展現(xiàn)出重要應(yīng)用價值。從特性上看，擴(kuò)散工藝使得硅材料內(nèi)部形成特定的電容結(jié)構(gòu)，其電容值穩(wěn)定性高，受外界環(huán)境變...
分子磁體磁存儲是一種基于分子水平的磁存儲技術(shù)。它利用分子磁體的特殊磁性性質(zhì)來存儲數(shù)據(jù)，分子磁體是由具有磁性的分子組成的材料，其磁性可以通過化...
高精度硅電容在精密測量與控制系統(tǒng)中具有重要的應(yīng)用價值。在精密測量領(lǐng)域，如電子天平、壓力傳感器等，對電容的精度要求極高。高精度硅電容能夠提供穩(wěn)...
蘇州凌存科技有限公司（以下簡稱凌存科技）成立于2021年12月，坐落于美麗的陽澄湖畔。公司是基于電壓控制磁性技術(shù)開發(fā)不同品類產(chǎn)品的高科技初創(chuàng)公司，并在該領(lǐng)域處于先進(jìn)的地位。凌存科技取得技術(shù)原始、核心專利授權(quán)20項，涵蓋材料、器件、工藝與電路等全套技術(shù)。此外，公司已申請國家發(fā)明專利15項。目前，凌存科技已經(jīng)完成涵蓋8英寸和12英寸多種技術(shù)節(jié)點的流片，性能指標(biāo)處于先進(jìn)地位。 公司擁有一支國際化團(tuán)隊，成員來自中國大陸，美國，中國臺灣，日本等地。公司研發(fā)人員占比超70%。凌存科技將助力我國突破“卡脖子”技術(shù)，旨在開發(fā)出世界上高速度、高容量、低成本和低功耗的第三代磁存儲芯片---電壓控制磁存儲器(MeRAM)芯片，磁性真隨機(jī)數(shù)發(fā)生器芯片。
