MOSFET的特性和作用：MOS管導作用，MOS管的柵極G和源極S之間是絕緣的，由于SiO2絕緣層的存在，在柵極G和源極S之間等效是一個電容存在，電壓VGS產生電場從而導致源source和drain是可以對調的，他們都是在P型backgate中形成的N型區。在多數情況下，這個兩個區是一樣的，即使兩端對調也不會影響器件的性能。這樣的器件被認為是對稱的。目前在市場應用方面，排名頭一的是消費類電子電源適配器產品。而MOS管的應用領域排名第二的是計算機主板、NB、計算機類適配器、LCD顯示器等產品，隨著國情的發展計算機主板、計算機類適配器、LCD顯示器對MOS管的需求有要超過消費類電子電源適配器的現象了。第三的就屬網絡通信、工業控制、汽車電子以及電力設備領域了，這些產品對于MOS管的需求也是很大的，特別是現在汽車電子對于MOS管的需求直追消費類電子了。場效應管的使用方法需要注意輸入電壓和功率的限制，避免損壞器件。佛山金屬場效應管尺寸

在要求輸入阻抗較高的場合使用時，必須采取防潮措施，以免由于溫度影響使場效應管的輸入電阻降低。如果用四引線的場效應管，其襯底引線應接地。陶瓷封裝的芝麻管有光敏特性，應注意避光使用。對于功率型場效應管，要有良好的散熱條件。因為功率型場效應管在高負荷條件下運用，必須設計足夠的散熱器，確保殼體溫度不超過額定值，使器件長期穩定可靠地工作。總之，確保場效應管安全使用，要注意的事項是多種多樣，采取的安全措施也是各種各樣，廣大的專業技術人員，特別是廣大的電子愛好者，都要根據自己的實際情況出發，采取切實可行的辦法，安全有效地用好場效應管。佛山金屬場效應管尺寸JFET具有電路簡單、工作穩定的特點，適合于低頻放大器設計。

場效應管的用途：一、場效應管可應用于放大。由于場效應管放大器的輸入阻抗很高，因此耦合電容可以容量較小，不必使用電解電容器。二、場效應管很高的輸入阻抗非常適合作阻抗變換。常用于多級放大器的輸入級作阻抗變換。三、場效應管可以用作可變電阻。四、場效應管可以方便地用作恒流源。五、場效應管可以用作電子開關。場效應管在電子應用中非常普遍，了解基礎知識之后我們接下來就可以運用它做一些電子開發了。場效應管是利用輸入回路的電場效應來控制輸出回路電流的一種半導體器件。場效應管又是單極型晶體管，即導電過程中幾乎只有一種載流子運動，類似金屬導電。

導電溝道的形成：當vGS數值較小，吸引電子的能力不強時，漏——源極之間仍無導電溝道出現，如圖1(b)所示。vGS增加時，吸引到P襯底表面層的電子就增多，當vGS達到某一數值時，這些電子在柵極附近的P襯底表面便形成一個N型薄層，且與兩個N+區相連通，在漏——源極間形成N型導電溝道，其導電類型與P襯底相反，故又稱為反型層，如圖1(c)所示。vGS越大，作用于半導體表面的電場就越強，吸引到P襯底表面的電子就越多，導電溝道越厚，溝道電阻越小。場效應管可通過控制柵極電壓來調節輸出電流，具有較好的線性特性。

場效應管與雙極性晶體管的比較：1.場效應管是電壓控制器件，柵極基本不取電流，而晶體管是電流控制器件，基極必須取一定的電流。因此，在信號源額定電流極小的情況，應選用場效應管。2.場效應管是多子導電，而晶體管的兩種載流子均參與導電。由于少子的濃度對溫度、輻射等外界條件很敏感，因此，對于環境變化較大的場合，采用場效應管比較合適。3.場效應管除了和晶體管一樣可作為放大器件及可控開關外，還可作壓控可變線性電阻使用。4.場效應管的源極和漏極在結構上是對稱的，可以互換使用，耗盡型MOS管的柵——源電壓可正可負。因此，使用場效應管比晶體管靈活。場效應管在功率電子領域具有重要作用，如變頻器、逆變器等，提高電能轉換效率。佛山金屬場效應管尺寸

場效應管可構成恒流源，為負載提供穩定的電流，應用于精密測量、激光器等領域。佛山金屬場效應管尺寸

場效應管由源極（Source）、漏極（Drain）和柵極（Gate）三個主要部分組成。在JFET中，柵極和通道之間通過PN結隔離；而在MOSFET中，柵極和通道之間由一層絕緣材料（通常是二氧化硅）隔離。當在柵極施加適當的電壓時，會在柵極下方的半導體中形成一個導電溝道，從而控制漏極和源極之間的電流流動。主要參數閾值電壓（Vth）：使場效應管開始導電的較小柵極電壓。閾值電壓是場效應管從截止區（Cutoff Region）過渡到飽和區（Saturation Region）的臨界電壓。當柵極-源極電壓（VGS）低于Vth時，場效應管處于關閉狀態，通道不導電；當VGS超過Vth時，通道形成，電流開始流動。佛山金屬場效應管尺寸