從持續時間的角度上分類，強磁場可以分為脈沖強磁場和穩態強磁場。脈沖強磁場可以產生很高的磁場，能為一些科學實驗提供所需要的磁場環境。但磁場持續的時間短，且磁場的強度在短時刻內是脈沖尖峰狀態。穩態強磁場是持續時間相對較長的磁場，并且磁場的強度時保持相對穩定的狀態，但目前的技術條件場強無法做到很高，穩態磁場強度的建設投資大、需求的電源容量大、冷卻系統大并且維護成本高。為了一些同時對磁場強度和穩定度都有很高要求的科學實驗，我們就需要提供**度、高穩定度的磁場環境，于是結合到上述兩種磁場產生的特點，科學家們提出了脈沖平頂磁場。這種磁場在滿足磁場強度高的條件下兼顧磁場的穩定性。另外，脈沖平頂磁場可以降低測量的干擾，減小樣品產生的渦流。總之，脈沖平頂磁場間距脈沖磁場和穩恒磁場的優點，為一些特殊要求的實驗提供了研究的環境。其原理與變壓器類似，實現了對原邊電壓的隔離測量。珠海循環測試電壓傳感器報價

儲能電容的計算：1）根據工程經驗估算：根據工程實踐經驗，裝置的功率與前端儲能電容有對應的關系。整個裝置的功率P=UI=2060=1.2Kw，每瓦對應儲能電容容量1μF，則可選用電容至少1200μF。2）根據能量關系式計算：儲能電容為后續的DC/DC變換提供直流電壓，其本身的電壓波動反應在電容上可以認為是電容器電能的補充和釋放過程。要保持電容器端電壓不變，每個周期中儲能電容器對電路提供的能量和其本身充電所得的能量相等。儲能電容在整流橋輸出端，同時也須承擔濾波的任務。為了保證對整個裝置提供足夠的能量，我們所選用的儲能電容最小值為1200UF。寧波大量程電壓傳感器案例目前的濾波裝置級數低，濾波效果較差，輸出端 可以采用LCCL三階濾波器。

在本設計中為防止單臂直通設置了兩路保護：1）在超前橋臂和滯后橋臂上分別放置電流霍爾分辨監測兩橋臂上的電流值，電流霍爾的輸出端連接至保護電路。如果出現過電流則保護電路**終動作于PWM波輸出模塊，將4路輸出PWM波的比較器鎖死，使得輸出為低電平，進而關斷橋臂上4個開關管。2）驅動電路模塊內部有過流監測。在所設計的驅動電路中，主驅動芯片M57962內部有保護電路監測IGBT的飽和壓降從而判斷是否過流。當出現過流時M57962將***驅動信號實現對IGBT的關斷。

對于前端儲能電容還需要考慮的參數是其耐壓值，直流母線上電壓峰值為373v，留一定裕量，可以選擇耐壓值為500v的電解電容作為儲能電容。在電力電子變換和控制電路中，都是以各種電力半導體器件為基礎的。我們在設計電路時，也有很多可供選擇的電力半導體器件，BJT、MOSFET、GTO、GTR、IGBT等。但是每種元件都有其自身特點以及**適合應用場合。例如MOSFET開關頻率高，動態響應速度快，但其電流容量相對小，耐壓能力低，適用于低功率、高頻的場合[13][14]。門級可關斷晶閘管具有自關斷能力、電流容量大、耐壓能力好，適用于大功率逆變場合。IGBT的性能相對來說是介于兩者之間，有較高的工作頻率（20K以上），有較大的電流容量和較好的耐壓能力。在本實驗中，裝置的功率在10kW以下，頻率在20K以下可以滿足要求，故而綜合考慮選用全控、壓控型器件IGBT作為開關管。接下來，我們可以討論兩個串聯電容器的電壓劃分。

周期中斷子程序和下溢中斷子程序執行流程圖，在每一個周期中分別發生一次周期中斷和下溢出中斷，每進入中斷一次分別更新兩個比較寄存器的值，相應的輸出PWM波的移相也每一個周期都更新。在解決了具有移相角度差的PWM信號的產生問題后，需要解決的另一個問題是怎樣應用采集到的電壓信號和電流信號來實時動態控制移相角的大小，形成閉環反饋從而得到我們所需的滿足動態性能的高精度電流電壓信號。PID閉環反饋系統的設計一直是補償電源**關鍵的部分，補償系統設計的好壞直接關系到補償電源穩恒。按照輸出信號分可以分為模擬量輸出電壓傳感器和數字量輸出電壓傳感器。成都化成分容電壓傳感器聯系方式

電壓傳感器按照極性分可以分為直流電壓傳感器和交流電壓傳感器。珠海循環測試電壓傳感器報價

在科學實驗中， 產生強磁場的磁體實際是一個大電感線圈，由大容量的電源系 統瞬時放電， 通過給磁體提供瞬間的大電流，在磁體中產生響應的強磁場。實驗中磁體可以等效為電阻Rm和大電感Lm串聯，產生的磁場強度和通過電感的電流時呈線性關系的，要想得到高穩定度的脈沖平頂磁場，我們相應的給磁體提供脈沖平頂的大電流。然而上述只是建立在理想的物理模型上得到的理想結果。在工程實踐中， 提供 給磁體的大電流實際是給磁體提供一個脈沖式高穩定度的直流電壓。珠海循環測試電壓傳感器報價