橋堆的檢測1．全橋的檢測大多數的整流全橋上，均標注有“+”、“-”、“~”符號（其中“+”為整流后輸出電壓的正極，“-”為輸出電壓的負極，“~”為交流電壓輸入端），很容易確定出各電極。檢測時，可通過分別測量“+”極與兩個“~”極、“-”極與兩個“~”之間各整流二極管的正、反向電阻值（與普通二極管的測量方法相同）是否正常，即可判斷該全橋是否已損壞。若測得全橋內鞭只二極管的正、反向電阻值均為0或均為無窮大，則可判斷該二極管已擊穿或開路損壞。2．半橋的檢測半橋是由兩只整流二極管組成，通過用萬用表分別測量半橋內部的兩只二極管的正、反電阻值是否正常，即可判斷出該半橋是否正常通過用萬用表檢測其正、反向電阻值，可以判別出二極管的電極，還可估測出二極管是否損壞。可變三極管供應

10、半導體二極管的伏安特性：二極管的基本特性是單向導電性（注：硅管的導通電壓為0.6－0.8V；鍺管的導通電壓為0.2－0.3V），而工程分析時通常采用的是0.7V.11、半導體二極管的伏安特性曲線：（通過二極管的電流Ｉ與其兩端電壓Ｕ的關系曲線為二極管的伏安特性曲線。）見圖三.圖三硅和鍺管的伏安特性曲線12、半導體二極管的好壞判別:用萬用表(指針表)R﹡100或R﹡1K檔測量二極管的正,反向電阻要求在1K左右,反向電阻應在100K以上.總之,正向電阻越小,越好.反向電阻越大越好.若正向電阻無窮大,說明二極管內部斷路,若反向電阻為零,表明二極管以擊穿,內部斷開或擊穿的二極管均不能使用。可變三極管供應晶體管設計，就選深圳市凱軒業科技，讓您滿意，期待您的光臨！

肖特基二極管SBD(SchottkyBarrierDiode)它是具有肖特基特性的“金屬半導體結”的二極管。其正向起始電壓較低。其金屬層除鎢材料外，還可以采用金、鉬、鎳、鈦等材料。其半導體材料采用硅或砷化鎵，多為型半導體。這種器件是由多數載流子導電的，所以，其反向飽和電流較以少數載流子導電的PN結大得多。由于肖特基二極管中少數載流子的存貯效應甚微，所以其頻率響但為RC時間常數限制，因而，它是高頻和快速開關的理想器件。其工作頻率可達100GHz。并且，MIS（金屬－絕緣體－半導體）肖特基二極管可以用來制作太陽能電池或發光二極管。

三極管三極管在電路中通常用于信號的放大、開關等。在數據手冊上通常標有三個反向擊穿電壓數值：（1）Vceo：在集極開路的情況下，集電極和發射極之間的擊穿電壓；（2）Vcbo:在發射極開路的情況下，集電極和基極之間的擊穿電壓；（3）Vebo:在集電極開路的情況下，發射極與基極之間的擊穿電壓；三極管的三個反向擊穿電壓雖然在形式上，三極管看似為兩個反向的二極管串聯，但在工藝上，三極管的發射集區、基極區、集電極區半導體性質和摻雜濃度不同，使得上面三個反向擊穿電壓不同，通常情況下它們之間的關系為：Vcbo>Vceo>>Vebo晶體管可單獨包裝或在一個非常小的的區域，可容納一億或更多的晶體管集成電路的一部分。

整流二極管有單向導電性，可以將方向交替變換的交流電轉換為單一方向的脈沖直流電。2、限幅二極管兩端加正向電壓導通后，正向壓降基本保持不變，可以將信號的幅度限制在一定的范圍內。3、續流在開關電源的電感中或繼電器的感性負載中起到續流的作用。4、變容通過施加反向電壓改變PN結的靜電容量，達到變容的功能二極管具有陽極和陰極兩個端子，電流只能往單一方向流動。也就是說，電流可以從陽極流向陰極，而不能從陰極流向陽極。對二極管所具備的這種單向特性的應用，通常稱之為“整流”功能,可將交流電轉變為脈動直流電。晶體二極管為一個由p型半導體和n型半導體形成的p-n結。光敏三極管采購

檢測晶體三極管時，選擇反應靈敏的指針萬用表。將萬用表的量程調整至擋，并進行調零校正。可變三極管供應

7、用萬用表判斷半導體三極管的極性和類型(用指針式萬用表).a;先選量程：R﹡100或R﹡1K檔位.b;判別半導體三極管基極：用萬用表黑表筆固定三極管的某一個電極，紅表筆分別接半導體三極管另外兩各電極，觀察指針偏轉，若兩次的測量阻值都大或是都小，則改腳所接就是基極（兩次阻值都小的為NPN型管，兩次阻值都大的為PNP型管），若兩次測量阻值一大一小，則用黑筆重新固定半導體三極管一個引腳極繼續測量，直到找到基極。c;.判別半導體三極管的c極和e極：確定基極后，對于NPN管，用萬用表兩表筆接三極管另外兩極，交替測量兩次，若兩次測量的結果不相等，則其中測得阻值較小得一次黑筆接的是e極，紅筆接得是c極（若是PNP型管則黑紅表筆所接得電極相反）。d;判別半導體三極管的類型.如果已知某個半導體三極管的基極,可以用紅表筆接基極,黑表筆分別測量其另外兩個電極引腳,如果測得的電阻值很大,則該三極管是NPN型半導體三極管,如果測量的電阻值都很小,則該三極管是PNP型半導體三極管.可變三極管供應