橋式整流電路是使用較多的一種整流電路。這種電路,只要增加兩只二極管口連接成"橋"式結構,便具有全波整流電路的優點,而同時在一定程度上克服了它的缺點。橋式整流電路的工作原理如下:e2為正半周時,對D1、D3和方向電壓,Dl,D3導通;對D2、D4加反向電壓,D2、D4截止。電路中構成e2、Dl、Rfz 、D3通電回路,在Rfz ,上形成上正下負的半波整洗電壓,e2為負半周時,對D2、D4加正向電壓,D2、D4導通;對D1、D3加反向電壓,D1、D3截止。電路中構成e2、D2Rfz 、D4通電回路,同樣在Rfz 上形成上正下負的另外半波的整流電壓凱軒業通過嚴格檢測，保證場效應管質量達標。上海場效應管

使用穩壓二極管的關鍵是設計好它的電流值。穩壓二極管的特點就是擊穿后，其兩端的電壓基本保持不變。 這樣，當把穩壓管接入電路以后，若由于電源電壓發生波動，或其它原因造成電路中各點電壓變動時，負載兩端的電壓將基本保持不變。使用穩壓二極管的關鍵是設計好它的電流值。穩壓二極管的特點就是擊穿后，其兩端的電壓基本保持不變。 這樣，當把穩壓管接入電路以后，若由于電源電壓發生波動，或其它原因造成電路中各點電壓變動時，負載兩端的電壓將基本保持不變。上海場效應管凱軒業場效應管在功率放大電路中發揮重要作用。

11、PIN 型二極管（PIN Diode）這是在 P 區和 N 區之間夾一層本征半導體（或低濃度雜質的半導體）構造的晶體二極管。PIN 中的 I 是“本征”意義的英文略語。當其工作頻率超過 100MHz 時，由于少數載流子的存貯效應和“本征”層中的渡越時間效應，其二極管失去整流作用而變成阻抗元件，并且，其阻抗值隨偏置電壓而改變。在零偏置或直流反向偏置時，“本征”區的阻抗很高；在直流正向偏置時，由于載流子注入“本征”區，而使“本征”區呈現出低阻抗狀態。因此，可以把 PIN 二極管作為可變阻抗元件使用。它常被應用于高頻開關（即微波開關）、移相、調制、限幅等電路中。

早期的二極管也就是半導體的制作工藝是將兩個立體的摻雜材料放在一起高溫熔接而成，現在的二極管和原來相比只是制作工藝更加精確，讓兩個相鄰的不同摻雜區域組合構成，一個區域是在半導體材料中摻入施主原子產生自由電子的n區域，另一個是摻入受主原子形成有自由空穴的p型區域，兩個區域的交界就是二極管的物理結，其電子結包括各區域的狹窄邊緣，稱為耗盡層也就是上面介紹的PN結，二極管的p型區域為正極，n型區域則相反，大體結構圖如下。場效應管能快速響應電信號變化，準確調控電流大小。

大體意義上講，PN結的定義為：采用不同的摻雜工藝，通過擴散作用，將P型半導體與N型半導體制作在同一塊半導體基片上，一般半導體的材料選擇為硅或者鍺，在它們的交界面就形成空間電荷區稱為PN結。具體介紹PN結的形成大體分為三步，首先擴散運動，P區的空穴濃度遠大于N區的自由電子濃度，因此，P區的空穴必然向N區擴散，并與N區中的自由電子復合而消失；同樣，N區的自由電子必然向P區漂移，并與P區中的空穴復合而消失。其次是空間電荷區的產生，擴散運動導致了P區一側失去空穴而留下負離子，N區一側失去電子而留下正離子，這些不能移動的帶電離子稱為空間電荷，相應地這個區域稱為空間電荷區，較后由于有正離子和負離子，這樣在空間電荷區內就會產生一個內電場，內電場的產生讓多子的擴散和少子的漂移達到了一個動態平衡，較后形成了PN結。場效應管是電子元器件中較被人們需要的一款型號，深圳市凱軒業電子科技有限公司廠家直銷，價格優勢。陜西多功能場效應管

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10、穩壓二極管是代替穩壓電子二極管的產品。被制作成為硅的擴散型或合金型。是反向擊穿特性曲線急驟變化的二極管。作為控制電壓和標準電壓使用而制作的。二極管工作時的端電壓（又稱齊納電壓）從 3V 左右到 150V，按每隔 10%，能劃分成許多等級。在功率方面，也有從 200mW 至 100W 以上的產品。工作在反向擊穿狀態，硅材料制作，動態電阻 RZ 很小，一般為 2CW 型；將兩個互補二極管反向串接以減少溫度系數則為 2DW 型。使用穩壓二極管的關鍵是設計好它的電流值。穩壓二極管的特點就是擊穿后，其兩端的電壓基本保持不變。 這樣，當把穩壓管接入電路以后，若由于電源電壓發生波動，或其它原因造成電路中各點電壓變動時，負載兩端的電壓將基本保持不變。上海場效應管