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金屬層310可以代換為金屬層510。圖6所示剖面600的**是晶圓層320。該結構300所形成的芯片可以是矩形，也可以是正方形。在該晶圓層320的中間是該金屬層310。該金屬層310的上下軸長度611與左右軸長度612可以是相同，也可以不同。當兩者相同時，該金屬層310的剖面是正方形。該金屬層310剖面與該晶圓層320外緣之間，是該晶圓層320用于包圍該金屬層310的四個邊框。該四個邊框的厚度可以相同，也可以不同。舉例來說，相對于上下外緣的厚度621與623可以相同，相對于左右外緣的厚度622與624可以相同。但厚度621與622可以不同。本領域普通技術人員可以透過圖6理解到，本申請并...

在氣泡內的氣體和/或蒸汽溫度降至室溫t0或達到時間段τ2后(在時間段τ2內，設置電源輸出為零)，電源輸出恢復至頻率f1及功率水平p1。在步驟15270中，檢查晶圓的清潔度，如果晶圓尚未清潔到所需程度，則重復步驟15210-15260。或者，可能不需要在每個周期內檢查清潔度，取而代之的是，使用的周期數可能是預先用樣品晶圓通過經驗確定。參考圖15d所示，氣泡內氣體和/或蒸汽的溫度不需要冷卻至室溫t0，但是**好使溫度冷卻至遠低于內爆溫度ti。此外，在步驟15250中，只要氣泡膨脹力不破壞或損壞圖案結構15034，氣泡的尺寸可以略大于圖案結構15034的間距w。參考圖15d所示，步驟1524...

在本發明的一個或多個實施方式中，排氣口包含多個穿孔。本發明的另一實施方式提供一種半導體晶圓干燥方法。半導體晶圓干燥方法包含：將半導體晶圓設置于腔室內；對半導體晶圓發射微波，以將半導體晶圓上的水加熱并轉換成水蒸氣；以及將水蒸氣排出腔室。在本發明的一個或多個實施方式中，半導體晶圓干燥方法進一步包含：旋轉半導體晶圓。在本發明的一個或多個實施方式中，半導體晶圓的轉速實質上為10rpm。相較于公知技術，本發明的上述實施方式至少具有以下優點：(1)運用微波移除先前的工藝殘留于半導體晶圓表面上的水，使得干燥過程變得簡單，從而能有效降低干燥半導體晶圓的作業成本。(2)由于微波產生器平均地環繞腔室分布，...

可以利用多重的內框結構，例如回字型的內框結構來加強結構強度。所謂的回字型，就是內框內還有內框的結構。在一實施例當中，多重的內框結構可以是同心的，以便簡化設計。在另一實施例當中，多重的內框結構的框的寬度是相同的。在更一實施例當中，大內框結構與小內框結構的形狀可以是相應的。舉例來說，大內框結構與小內框結構的形狀可以是相同的，但大小不同。框的寬度可以與內框結構的大小成比例。在一實施例當中，可以具有兩個以上的多重內框結構。請參考圖11b所示，其為根據本申請一實施例的半導體基板的結構的剖面1100的一示意圖。圖11b所示的實施例，為回字型的內框結構，就是內框內還有內框的多重內框結構。本申請所欲保...

圖11a所示的實施例是圖8a所示的結構800，因此使用了金屬層810與晶圓層820的符號。但本領域普通技術人員可以理解到，剖面1100可以適用于結構900或1000，金屬層810可以代換為金屬層1010。先前提到過，本申請并不限定內框結構的形狀。舉例來說，內框結構可以是x字型，還可以是v字型，也可以是井字型，也就是兩組互相垂直的并行線結構。在圖11a所示的實施例當中，晶圓層820的外緣形狀是正方形，用白色來表示。晶圓層820的四個邊框的820a寬度相等。在金屬層810a的內部，還有晶圓層的內框結構820b。該內框結構820b的內部尚有金屬層810b。圖11a所示晶圓層820的邊框結構8...

并且與基座110形成腔室c。在實際應用中，殼體120接觸基座110。依據實際情況，殼體120可與基座110密封地接觸，然而本發明不以此為限。由殼體120與基座110形成的腔室c被配置成容納半導體晶圓200。殼體120具有排氣口121，其遠離基座110設置。微波產生器130設置于殼體120上，并且被配置成對半導體晶圓200所在的腔室c發射微波w。在半導體晶圓干燥設備100運行的期間，半導體晶圓200首先被設置于基座110上，使得半導體晶圓200位于殼體120與基座110所形成的腔室c內。接下來，微波產生器130對位于腔室c內的半導體晶圓200發射微波w，使得先前的工藝殘留于半導體晶圓20...

所述橫條的頂面上固設有第二齒牙，所述第二齒牙可與所述***齒牙嚙合。進一步的技術方案，所述從動腔的后側開設有蝸輪腔，所述旋轉軸向后延伸部分均伸入所述蝸輪腔內，且其位于所述蝸輪腔內的外周上均固設有蝸輪，所述蝸輪腔的左壁固設有***電機，所述***電機的右側面動力連接設有蝸桿，所述蝸桿的右側面與所述蝸輪腔的右壁轉動連接，所述蝸桿與所述蝸輪嚙合。進一步的技術方案，所述穩定機構包括限制塊，所述橫板向右延伸部分伸出外界，且其右側面固設有手拉塊，所述橫板內設有開口向上的限制腔，所述從動腔的上側連通設有滑動腔，所述滑動腔與所述送料腔連通，所述限制塊滑動設在所述滑動腔的右壁上，所述限制塊向下滑動可插入...

所述送料腔內設有可在切割狀態時限制所述滑塊左右晃動，并在所述滑塊移動狀態時打開的穩定機構，所述送料腔的左側連通設有切割腔，所述切割腔內設有可用于切割的切割片，所述切割腔的左側連通設有升降腔，所述升降腔的內壁上設有可帶動所述切割片升降的升降塊，所述升降腔的下側開設有動力腔，所述動力腔內設有可控制所述升降塊間歇性往返升降，來達到連續切割狀態的動力機構，所述切割腔靠上側位置設有兩個左右對稱，且能用來冷卻所述切割片的海綿，所述切割腔的靠上側位置左右兩側連通設有冷卻水腔，是冷卻水腔的上側連通設有傳動腔，所述傳動腔內設有可控制所述海綿在所述切割片上升時抵接所述切割片，達到冷卻效果的傳動機構，所述傳...

所述第二螺桿57的外周上螺紋連接設有螺套58，所述螺套58與所述第四連桿54之間鉸接設有第五連桿56，通過所述第二螺桿57的間歇性正反轉動，可使所述螺套58間歇性升降移動，進而可使所述第五連桿56帶動所述第四連桿54間歇性往返左右移動，從而可使所述移動塊53帶動所述海綿52間歇性往返左右移動，則可使所述海綿52在所述切割片50上升時向所述切割片50移動并抵接，以及在所述切割片50下降時向所述移動腔13方向打開，通過所述冷卻水腔14內的冷卻水，可保證所述海綿52處于吸水狀態。另外，在一個實施例中，所述傳動腔55的上側開設有皮帶腔60，所述皮帶腔60的底壁上轉動設有豎軸12，所述第二螺桿5...

周期測量模塊30104用于通過使用以下公式的計數器測量高電平和低電平信號的持續時間：τ1＝counter_h*20ns,τ2＝counter_l*20ns其中，counter_h為高電平的數量，counter_l為低電平的數量。主控制器26094比較計算出的通電時間和預設時間τ1，如果計算出的通電時間比預設時間τ1長，主控制器26094發送報警信號到主機25080，主機25080接收到報警信號則關閉聲波發生器25082。主控制器26094比較計算出的斷電時間和預設時間τ2，如果計算出的斷電時間比預設時間τ2短，主控制器26094發送報警信號到主機25080，主機25080接收到報警信號...

該***邊結構區域與該第三邊結構區域的寬度相同。進一步的，為了讓基板結構所承載的半導體組件的設計更加簡化，其中該***邊結構區域、該第二邊結構區域、該第三邊結構區域與該第四邊結構區域的寬度相同。進一步的，為了讓基板結構適應所承載的半導體組件的不同設計，其中該邊框結構區域依序包含***邊結構區域、第二邊結構區域、第三邊結構區域與第四邊結構區域，該***邊結構區域與該第三邊結構區域的寬度不同。進一步的，為了讓基板結構適應所承載的半導體組件的具有更大的設計彈性，其中該***邊結構區域、該第二邊結構區域、該第三邊結構區域與該第四邊結構區域的寬度均不相同。進一步的，為了配合大多數矩形芯片的形狀，...

其為根據本申請一實施例的晶圓1400的一示意圖。除了下列的不同之處以外，先前有關于晶圓1300的敘述都可能可以套用在晶圓1400的實施例上。晶圓1400包含了三種不同形狀或尺寸的芯片，分別是芯片1310、1420與1430。在一實施例中，這三個芯片1310~1430可以是同一種設計的芯片。換言之，這三個芯片1310~1430可以包含上述基板結構300~1200當中的其中一種。或者說整個晶圓1300所包含的所有芯片都包含同一種基板結構。在另一實施例當中，這三個芯片1310~1430可以是不同種設計的芯片。也就是說，這三個芯片1310~1330可以包含上述基板結構300~1200當中的其中...

在步驟33050中，待氣泡內的溫度降至一定程度后，聲波電源再次被設置為頻率為f1及功率為p1。在步驟33060中，將檢測到的斷電時間與預設時間τ2進行比較，如果檢測到的斷電時間短于預設時間τ2，則關閉超聲波或兆聲波電源并發出報警信號。在步驟33070中，檢查晶圓的清潔度，如果晶圓尚未清潔到所需程度，則重復步驟33010-33060。或者，可能不需要在每個周期內檢查清潔度，取而代之的是，使用的周期數可能是預先用樣品晶圓通過經驗確定。圖34揭示了根據本發明的另一個實施例的晶圓清洗工藝的流程圖。該晶圓清洗工藝從步驟34010開始，首先向晶圓和超聲波或兆聲波裝置之間的間隙施加清洗液。在步驟34...

x0-x)│0x0-1＝sx0p0ln(x0)(2)其中，s為汽缸截面的面積，x0為汽缸的長度，p0為壓縮前汽缸內氣體的壓強。方程式(2)不考慮壓縮過程中溫度增長的因素，因此，由于溫度的增加，氣泡內的實際壓強會更高，實際上由聲壓做的機械功要大于方程式(2)計算出的值。假設聲壓做的機械功部分轉化為熱能，部分轉換成氣泡內高壓氣體和蒸汽的機械能，這些熱能完全促使氣泡內部氣體溫度的增加(沒有能量轉移至氣泡周圍的液體分子)，假設壓縮前后氣泡內氣體質量保持不變，氣泡壓縮一次后溫度增量δt可以用下面的方程式表達：δt＝q/(mc)＝βwm/(mc)＝βsx0p0ln(x0)/(mc)(3)其中，q是...

氣泡內氣體或蒸汽的溫度不需要冷卻至室溫或清洗液的溫度。它可以是高于室溫或清洗液溫度的一定溫度。較佳地，該溫度是明顯低于內爆溫度ti。根據公式(8)和(9)，如果已知(δt-δt)，可以計算出內爆時間τi。但通常情況下，(δt-δt)不太容易被計算出或直接得到。然而可以憑經驗直接得到τi的值。圖7e揭示了根據經驗得出內爆時間τi值的流程圖。在步驟7210中，基于表1，選擇五個不同的時間段τ1作為實驗設定(doe)的條件。在步驟7220中，選擇至少是τ1十倍的時間段τ2，在***次測試時**好是100倍的τ1。在步驟7230中，使用確定的功率水平p0運行以上五種條件來分別清洗具有圖案結構的...

圖3為依據本發明另一實施方式的半導體晶圓干燥設備的剖視圖。具體實施方式以下將以附圖公開本發明的多個實施方式。為明確說明起見，許多實務上的細節將在以下敘述中一并說明。然而，應了解到，這些實務上的細節不應用以限制本發明。也就是說，在本發明的部分實施方式中，這些實務上的細節是非必要的。此外，為簡化附圖起見，一些公知慣用的結構與元件在附圖中將以簡單示意的方式繪示。附圖與說明書中盡可能使用相同的元件符號表示相同或相似的部分。除非另外定義，否則本文使用的所有術語(包含技術以及科學術語)對于所屬領域中的技術人員通常理解的涵義。還應理解到，諸如常用的字典中定義的術語的解讀，應使其在相關領域與本發明中具...

并且不同規格的花籃無法同時進行作業，**降低了生產的效率。技術實現要素：本實用新型所要解決的技術問題在于克服現有技術不足，提供一種半導體晶圓濕法清洗治具，可適用于不同尺寸不同形狀晶圓，且可實現多層同時清洗。本實用新型具體采用以下技術方案解決上述技術問題：一種半導體晶圓濕法清洗治具，該治具包括提把和一組平放花籃；所述提把沿豎直方向均勻設置有一組連接端口；所述平放花籃由圓形底盤和設置在圓形底盤邊緣的一圈鏤空側壁組成，圓形底盤上設置有一組通孔，在所述鏤空側壁的外緣設置有至少一個連接端子，所述連接端子與提把上的任一連接端口相配合可使得平放花籃可拆卸地固定于提把上對應于該連接端口的位置。推薦地，...

圖9a至圖9d揭示了根據本發明的又一個實施例的聲波晶圓清洗工藝。圖10a至圖10c揭示了根據本發明的又一個實施例的聲波晶圓清洗工藝。圖11a至圖11b揭示了根據本發明的又一個實施例的聲波晶圓清洗工藝。圖12a至圖12b揭示了根據本發明的又一個實施例的聲波晶圓清洗工藝。圖13a至圖13b揭示了根據本發明的又一個實施例的聲波晶圓清洗工藝。圖14a至圖14b揭示了根據本發明的又一個實施例的聲波晶圓清洗工藝。圖15a至圖15c揭示了在聲波清洗晶圓過程中穩定的氣穴振蕩損傷晶圓的圖案結構。圖15d揭示了根據本發明的一個實施例的晶圓清洗的流程圖。圖16a至圖16c揭示了根據本發明的一個實施例的晶圓清...

本發明涉及半導體加工制造領域，尤其涉及一種半導體晶圓表面缺陷的快速超高分辨檢測系統。背景技術：半導體缺陷檢測系統是半導體器件制作前用于識別襯底或外延層缺陷數量、沾污面積、表面顆粒物數量，從而進行襯底或外延層的篩選，器件制造良率的計算，是半導體器件制作的關鍵工序。缺陷檢測貫穿生產過程，未及時修正將導致**終器件失效。集成電路的設計、加工、制造以及生產過程中，各種人為、非人為因素導致錯誤難以避免，造成的資源浪費、危險事故等代價更是難以估量。在檢測過程中會對芯片樣品逐一檢查，只有通過設計驗證的產品型號才會開始進入量產，由于其發生在芯片制造**早環節，性價比相對**高，可為芯片批量制造指明接下...

所述拉桿45向上延伸部分伸出外界，且其頂面固設有手握球46，所述限制塊39頂面與所述滑動腔43的頂壁之間固定安裝有彈簧44，當所述橫條33帶動所述第二齒牙34向上移動時，所述第二齒牙34可抵接所述限制塊39，并使所述限制塊39向上移動，進而可使所述限制塊39離開所述限制腔42，則可使所述滑塊47能夠正常向左移動，當所述滑塊47需要向右移動時，手動向上拉動所述手握球46，使所述限制塊39向上移動，并手動向右拉動所述手拉塊40，則所述橫板41可帶動所述滑塊47向右移動。另外，在一個實施例中，所述升降塊15的內壁里固嵌有第二電機16，所述第二電機16的右側面動力連接設有切割軸51，所述切割片...

圖32a至圖32c揭示了根據本發明的一個實施例的如圖27所示的振幅檢測電路27092的示例。該振幅檢測電路27092示例性包括參考電壓生成電路和比較電路。如圖32b所示，參考電壓生成電路使用d/a轉換器32118將主控制器26094的數字輸入信號轉換為模擬直流參考電壓vref+和vref-，如圖32c所示。比較電路使用窗口比較器32114及與門32116來比較電壓衰減電路26090輸出的振幅vin和參考電壓vref+和vref-。如果衰減后的振幅vin超過參考電壓vref+和/或vref-，那么振幅檢測電路27092發送報警信號到主機25080，主機25080接收到報警信號則關閉聲波發...

通過通信電纜25088發送比較結果到主機25080。如果聲波發生器25082的輸出值與主機25080發送的參數設定值不同，則檢測電路25086將發送報警信號到主機25080。主機25080接收到報警信號后關閉聲波發生器25082來阻止對晶圓1010上的圖案結構的損傷。圖26揭示了根據本發明的一個實施例的圖25所示的檢測電路25086的框圖。該檢測電路25086示范性包括電壓衰減電路26090、整形電路26092、主控制器26094、通信電路26096及電源電路26098。主控制器26094可以用fpga實現。通信電路26096作為主機25080的接口。通信電路26096與主機25080...

用于集成電路生產的材料依然以進口為主，中國生產替代空間非常龐大。未來隨著多條中國新建晶圓制造產線陸續投產，預計2018年將為中國當地半導體材料產業發展帶來新契機。未來中國半導體材料產業發展趨勢將從兩方面同步進行：集中優勢資源，針對各類別半導體材料，以一部分大廠為首，進行資源再整合；建立完善的半導體材料體系，加快**材料的研發，實現中國國產替代。中國半導體材料產業雖然克服了政策和資金的障礙，但仍面對來自技術、人才與客戶認證等方面的嚴峻挑戰。未來產業將著重解決以下問題：基礎**瓶頸突破進展緩慢、半導體材料人才儲備和培養嚴重不足、聯合**協調作用，以及率先突破當地認證關卡。目前中國半導體材料...

位于上側所述夾塊49固設有兩個前后對稱的卡扣61，所述切割腔27的前側固設有玻璃窗66，通過所述卡扣61，可使所述夾塊49夾緊所述硅錠48，通過所述玻璃窗66可便于觀測切割情況。初始狀態時，滑塊47與送料腔68右壁抵接，切割片50處于上側，兩個海綿52抵接切割片50，接收箱28位于切割腔27下側，并接收腔29內存有清水，橫條33位于**下側，第二齒牙34與***齒牙38不接觸，第二齒牙34與限制塊39不接觸，限制塊39插入限制腔42內。當使用時，通過***電機63的運轉，可使蝸桿65帶動旋轉軸36轉動，通過旋轉軸36的旋轉，可使***連桿32帶動三叉連桿31繞圓弧方向左右晃動，從而可使...

金屬層310可以代換為金屬層510。圖6所示剖面600的**是晶圓層320。該結構300所形成的芯片可以是矩形，也可以是正方形。在該晶圓層320的中間是該金屬層310。該金屬層310的上下軸長度611與左右軸長度612可以是相同，也可以不同。當兩者相同時，該金屬層310的剖面是正方形。該金屬層310剖面與該晶圓層320外緣之間，是該晶圓層320用于包圍該金屬層310的四個邊框。該四個邊框的厚度可以相同，也可以不同。舉例來說，相對于上下外緣的厚度621與623可以相同，相對于左右外緣的厚度622與624可以相同。但厚度621與622可以不同。本領域普通技術人員可以透過圖6理解到，本申請并...

圖18b是圖18a所示通孔的頂視圖。圖18c揭示了形成在晶圓18010上的多個槽18036的剖視圖。同樣的，槽18036中由聲波能量產生的氣泡18012增強了對雜質的去除，如殘留物和顆粒。圖18d是圖18c所示槽18036的頂視圖。飽和點rs被定義為通孔18034、槽18036或其他凹進區域內可容納的**大氣泡量。當氣泡的數量超過飽和點rs時，清洗液將受圖案結構內的氣泡阻擋且很難到達通孔18034或槽18036側壁的底部，因此，清洗液的清洗效果會受到影響。當氣泡的數量低于飽和點時，清洗液在通孔18034或槽18036內有足夠的活動路徑，從而獲得良好的清洗效果。低于飽和點時，氣泡總體積v...

f1為超聲波或兆聲波的頻率。根據公式(10)和(11)，內爆周期數ni和內爆時間τi可以被計算出來。表1為內爆周期數ni、內爆時間τi和(δt–δt)的關系，假設ti＝3000℃，δt＝℃，t0＝20℃，f1＝500khz，f1＝1mhz，及f1＝2mhz。表1圖6a至圖6c揭示了在聲波晶圓清洗工藝中**終發生微噴射且工藝參數符合公式(1)-(11)。參考圖6a所示，電功率(p)連續供應至聲波裝置以在清洗液中產生氣穴振蕩。隨著氣穴振蕩的周期數n增加，如圖6b所示氣體或蒸汽的溫度也隨之增加，因此氣泡表面更多的分子會被蒸發至氣泡6082內部，導致氣泡6082的尺寸隨著時間的推移而增加，如圖...

一個晶圓1300可以在半導體的制程與封裝之后，再進行芯片的切割，這種制作過程通常被稱為晶圓級芯片封裝(wlcsp,waferlevelchipscalepackage)。如圖13所示，該晶圓1300可以預先設計成要在虛線處進行切割，以便在封裝之后形成多個芯片。在圖13當中，該晶圓1300可以包含三個尺寸相同的芯片1310~1330。在一實施例中，這三個芯片1310~1330可以是同一種設計的芯片。換言之，這三個芯片1310~1330可以包含上述基板結構300~1200當中的其中一種。或者說整個晶圓1300所包含的所有芯片都包含同一種基板結構。在另一實施例當中，這三個芯片1310~133...

圖案結構4034包括需要清潔的多個特征，包括但不限于鰭、通孔、槽等。氣泡4044變成微噴射，它可以非常猛烈，達到幾千大氣壓以及幾千攝氏度。參考圖4b所示，一旦微噴射發生，圖案結構4034的一部分被損傷。對于器件特征尺寸小于或等于70nm的晶圓，這種損傷更為嚴重。圖5a至圖5c揭示了在晶圓清洗過程中氣泡5016內的熱能變化。當聲波正壓作用在氣泡5016上時，氣泡5016如圖5a中所示體積減小。在體積減小的過程中，聲波壓強pm對氣泡5016做功，機械功轉化為氣泡5016內的熱能。因此，氣泡5016內的氣體和/或蒸汽的溫度t如圖5b所示那樣增加。各參數間的關系可用如下公式表示：p0v0/t0...

所述傳動腔的上側開設有皮帶腔，所述皮帶腔的底壁上轉動設有豎軸，所述第二螺桿向上延伸部分伸入所述皮帶腔內，所述第二螺桿與所述豎軸之間傳動連接設有皮帶傳動裝置，所述豎軸向下延伸部分伸入所述動力腔內，且其底面固設有***齒輪，位于所述動力腔內的所述***螺桿外周上固設有第二齒輪，所述第二齒輪與所述***齒輪嚙合。進一步的技術方案，所述夾塊分為上下兩部分，位于上側所述夾塊固設有兩個前后對稱的卡扣，所述切割腔的前側固設有玻璃窗。本發明的有益效果是：本發明可有效降低半導體制作原料晶圓在切割時所產生的發熱變形問題，并且也能降低硅錠在移動送料切割過程中，由于長時間連續工作導致主軸位置偏移導致切割不準的...