發(fā)貨地點(diǎn):山東省淄博市
發(fā)布時(shí)間:2025-04-07
六)晶閘管正向平均電壓降VF正向平均電壓降VF也稱通態(tài)平均電壓或通態(tài)壓降VT,甘肅雙向晶閘管模塊作用,是指在規(guī)定環(huán)境溫度和標(biāo)準(zhǔn)散熱條件下,當(dāng)通過晶閘管的電流為額定電流時(shí),其陽A與陰K之間電壓降的平均值,通常為。(七)晶閘管門觸發(fā)電壓VGT門觸發(fā)VGT,是指在規(guī)定的環(huán)境溫度和晶閘管陽與陰之間為一定值正向電壓的條件下,使晶閘管從阻斷狀態(tài)轉(zhuǎn)變?yōu)閷?dǎo)通狀態(tài)所需要的小門直流電壓,一般為。(八)晶閘管門觸發(fā)電流IGT門觸發(fā)電流IGT,是指在規(guī)定環(huán)境溫度和晶閘管陽與陰之間為一定值電壓的條件下,使晶閘管從阻斷狀態(tài)轉(zhuǎn)變?yōu)閷?dǎo)通狀態(tài)所需要的小門直流電流。(九)晶閘管門反向電壓門反向電壓是指晶閘管門上所加的額定電壓,一般不超過10V。(十)晶閘管維持電流IH維持電流IH是指維持晶閘管導(dǎo)通的小電流。當(dāng)正向電流小于IH時(shí),導(dǎo)通的晶閘管會(huì)自動(dòng)關(guān)斷,甘肅雙向晶閘管模塊作用。(十一)晶閘管斷態(tài)重復(fù)峰值電流IDR斷態(tài)重復(fù)峰值電流IDR,是指晶閘管在斷態(tài)下的正向比較大平均漏電電流值,一般小于100μA(十二)晶閘管反向重復(fù)峰值電流IRRM反向重復(fù)峰值電流IRRM,甘肅雙向晶閘管模塊作用,是指晶閘管在關(guān)斷狀態(tài)下的反向比較大漏電電流值,一般小于100μA。
所述第三螺栓和第三螺母之間還設(shè)置有彈簧墊圈和平墊圈。此外,所述晶閘管單元中,所述壓塊7上還設(shè)置有絕緣套管。其中,所述絕緣套管與對(duì)應(yīng)的壓塊之間還設(shè)置有墊圈。相類似地,所述第二晶閘管單元中,所述第二壓塊12上還設(shè)置有絕緣套管。其中,所述絕緣套管與對(duì)應(yīng)的壓塊之間還設(shè)置有墊圈。為了實(shí)現(xiàn)門銅排的安裝,所述外殼1上還設(shè)置有門銅排安裝座。綜上所述,本發(fā)明的立式晶閘管模塊通過設(shè)置接頭、第二接頭和第三接頭、封裝于外殼內(nèi)部的晶閘管單元和第二晶閘管單元能夠?qū)崿F(xiàn)電力系統(tǒng)的多路控制,有效了電力系統(tǒng)的正常運(yùn)行。對(duì)于本領(lǐng)域技術(shù)人員而言,顯然本發(fā)明不限于上述示范性實(shí)施例的細(xì)節(jié),而且在不背離本發(fā)明的精神或基本特征的情況下,能夠以其他的具體形式實(shí)現(xiàn)本發(fā)明。因此,無論從哪一點(diǎn)來看,均應(yīng)將實(shí)施例看作是示范性的,而且是非限制性的,本發(fā)明的范圍由所附權(quán)利要求而不是上述說明限定,因此旨在將落在權(quán)利要求的等同要件的含義和范圍內(nèi)的所有變化囊括在本發(fā)明內(nèi)。不應(yīng)將權(quán)利要求中的任何附圖標(biāo)記視為限制所涉及的權(quán)利要求。此外,應(yīng)當(dāng)理解,雖然本說明書按照實(shí)施方式加以描述,但并非每個(gè)實(shí)施方式包含一個(gè)獨(dú)立的技術(shù)方案。
500Vdc)比較大容抗10pf使用溫度范圍-30℃~+75℃電網(wǎng)頻率47-63Hz㈥不同電流等級(jí)的固體繼電器的外形㈦LSR的輸入驅(qū)動(dòng)電路在邏輯電路驅(qū)動(dòng)時(shí)應(yīng)盡可能采用低電平輸出進(jìn)行驅(qū)動(dòng),以有足夠的帶負(fù)載能力和盡可能低的零電平。下圖為正確的灌電流驅(qū)動(dòng)的電路圖(一般適合于D3、D2型):D1型(4-8Vdc)通常與單相或三相LSR移相觸發(fā)器配合使用。A3型(90-430Vac)為交流控制交流型,在90-430Vac寬的范圍內(nèi)均能可靠觸發(fā)繼電器導(dǎo)通,且輸入與輸出沒有相位要求:㈧LSR過壓的保護(hù):除LSR內(nèi)部本身有RC吸收回路保護(hù)外,還可以采取并聯(lián)金屬氧化物壓敏電阻(MOV),MOV面積大小決定吸收功率,MOV的厚度決定保護(hù)電壓值。一般220V系列LSR可選取500V-600V的壓敏電阻,380V系列SSR可選取800V-900V的壓敏電阻,480V系列SSR可選取1000V-1100V的壓敏電阻。㈨LSR的功率擴(kuò)展:本公司生產(chǎn)的2A、8A無RC吸收回路的LSR可用于任何大電流等級(jí)的可控硅觸發(fā),功率擴(kuò)展后仍具有過零特性或隨機(jī)特性。功率擴(kuò)展LSR的型號(hào)為:LSR-3P02E(D3/D2/D1/A3),LSR-3P08E(D3/D2/D1/A3)。