所述印刷電路裝配件400中的每個印刷電路裝配件上的散熱器208a、208b的頂表面302與另一個印刷電路裝配件400上的熱接口材料層408接觸，并且與該熱接口材料層408熱耦聯，如在410a和410b處所指示的那樣。在這種配置中，每個印刷電路裝配件400上的雙列直插式存儲模塊組件200由另一個印刷電路裝配件400的冷卻管406冷卻。圖5是移除了雙列直插式存儲模塊組件200的印刷電路裝配件400的圖。參考圖5，可以清楚地看到印刷電路板插座404、鄰接并且平行的冷卻管406以及布置在平行的冷卻管406上的熱接口材料層408。圖6是帶有已安裝在印刷電路板插座404中的雙列直插式存儲模塊組件200并且帶有已附接的分流管的印刷電路裝配件400的圖。參考回圖5，每個冷卻管406的端部耦聯至輸入分流管606a，并且每個冷卻管406的第二端部耦聯至輸出分流管606b。在操作中，冷卻液體通過輸入分流管606a進入各冷卻管，并且被加熱的液體通過輸出分流管606b離開各冷卻管。圖7a和圖7b示出了根據一個實施例的、特征在于外部鉸鏈的雙列直插式存儲模塊組件。圖7b示出了分解圖，而圖7a示出了裝配圖。雙列直插式存儲模塊組件700包括印刷電路板702，在印刷電路板702上安裝有一個或多個集成電路(一般地以704示出)。電子料回收，請選擇上海海谷電子有限公司，用戶的信賴之選，歡迎您的來電！四川電感元件回收平臺

每個系統板具有在雙列直插式存儲模塊之間交錯的冷卻管。當這些系統板相對地放置在一起時，每個系統板上的雙列直插式存儲模塊由在另一個系統板上的冷卻管冷卻。相比于之前的方法，這種方法允許更高密度的雙列直插式存儲模塊，同時仍然提供必要的冷卻。這種方法也是安靜的，并且由此可以靠近辦公室員工放置。這種方法也允許容易的維護，而沒有與液體浸入式冷卻系統相關的溢出。盡管參考雙列直插式存儲模塊描述了不同實施例，應當認識到的是，所公開的技術可以用于冷卻任何集成電路或類似的一個或多個系統和系統中的一個或多個元素/部件。圖1是系統100的關系圖，在該系統中可以實施不同實施例。系統100包括計算部件120，所述計算部件包括處理器104和存儲器106。存儲器106包括多個雙列直插式存儲模塊組件108。系統100還包括冷卻回路。所述冷卻回路包括泵110、熱交換器112和儲液器114。泵110將冷卻液體130提供給雙列直插式存儲模塊組件108。由雙列直插式存儲模塊組件108產生的熱量被傳送給液體，加熱液體并且冷卻雙列直插式存儲模塊組件108。泵110將被加熱的液體132從雙列直插式存儲模塊組件108移除。熱交換器112冷卻被加熱的液體132。儲液器114適應液體體積的改變。四川電感元件回收平臺上海海谷電子有限公司致力于提供電子料回收，有想法的不要錯過哦！

1可以包括工作mtj器件106和調節訪問裝置108，調節訪問裝置108具有形成在第三互連層406c和第四互連層406d之間的調節mtj器件204和206。第二存儲單元202b,1可以根據與關于圖9至圖11描述的那些類似的步驟形成。圖13示出了形成具有存儲器電路的集成芯片的方法1300的一些實施例的流程圖，該存儲器電路包括具有調節訪問裝置的存儲單元(例如，mram單元)，該調節訪問裝置被配置為選擇性地對工作mtj器件提供訪問。雖然方法300示出和描述為一系列步驟或事件，但是應該理解，這些步驟或事件的示出的順序不被解釋為限制意義。例如，一些步驟可以以不同的順序發生和/或與除了此處示出的和/或描述的一些的其它步驟或事件同時發生。此外，可能不是所有示出的步驟對于實施此處描述的一個或多個方面或實施例都是需要的，并且此處描述的一個或多個步驟可以在一個或多個單獨的步驟和/或階段中實施。在步驟1302中，在襯底上方形成互連層。互連層可以形成在襯底上方的ild層內。圖9示出了對應于步驟1302的一些實施例的截面圖900。在步驟1304中，在互連層的連續上表面正上方形成多個底電極通孔。圖10示出了對應于步驟1304的一些實施例的截面圖1000。在步驟1306中。

達到固定散熱機構3的目的，之后打開管蓋6，并通過導管5向空心導熱塊31內加注部分純凈水，接著蓋上管蓋6，在芯片本體1工作散發熱量的時候，熱量被空心導熱塊31吸收，同時空心導熱塊31內部的純凈水受熱蒸發，并通過連通管32和第二連接管34進入到空心散熱塊33和第二散熱塊35中，利用空心散熱塊33和第二空心散熱塊35較大的散熱面積快速的把熱量導出，然后水蒸汽凝結成水珠，水珠回到空心導熱塊31中繼續吸收熱量，該結構能夠有效提高芯片的散熱效率，同時提高了芯片運行的流暢性，以及避免芯片因高溫而損傷，提高了芯片的使用壽命。以上所述，為本實用新型較佳的具體實施方式，但本實用新型的保護范圍并不局限于此，任何熟悉本技術領域的技術人員在本實用新型揭露的技術范圍內，根據本實用新型的技術方案及其實用新型構思加以等同替換或改變，都應涵蓋在本實用新型的保護范圍之內。上海海谷電子有限公司為您提供電子料回收，歡迎您的來電哦！

分類器電路80接收反映關于參考分類的信息的一參考電壓vc。通過人工比較一預設電壓vt和實際電壓vout來獲取參考分類。預設電壓vt的微分決定信號dout于規范中規定的預設回轉率。隨后，分類器電路80通過比較預設電壓vt和實際電壓vout來產生反映關于不成熟分類的信息的電壓vl。在訓練階段312中，分類器電路80基于不成熟分類和參考分類將預設電壓vt更新為一經學習電壓。經學習電壓包括神經網絡32的經加權值。mlc42基于經學習電壓調整信號dout的回轉率。在推理/分類階段314中，分類器電路80基于經學習電壓產生經配置以調整信號dout的回轉率的預測。圖10是根據本公開的一些實施例的圖9的測量電路60的電路圖。參照圖10，測量電路60包括取樣保持(s/h)電路600和602，以及一減法器604。s/h電路600經配置以對信號dout的一電壓v1進行取樣。在一些實施例中，s/h電路600包括一開關、一電容器和一以操作放大器為基底所組成的放大器。在一些實施例中，s/h電路600包括任何已知的s/h電路。s/h電路602經配置以對信號dout的一第二電壓v2進行取樣。在一些實施例中，s/h電路602包括一開關、一電容器和一以操作放大器為基底所組成的放大器。在一些實施例中，s/h電路602包括任何已知的s/h電路。上海海谷電子有限公司是一家專業提供電子料回收的公司，歡迎您的來電哦！四川電感元件回收平臺

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例如，使用信號dout的電壓來訓練神經網絡32。接下來，在基于訓練數據調整了權重之后，mlc42使用神經網絡32對包括信號dout的電壓的驗證數據進行分類。接下來，在預測階段316中，mlc42基于推理/分類階段314中的分類結果來執行預測。圖6的流程圖說明根據本公開的一些實施例的基于具有圖3的機器學習電路42的電路30的迭代流程。參照圖6，迭代流程類似于圖2的迭代流程，除了例如圖6的迭代流程包括在操作500中的一機器學習程序(在圖6中標記為進行機器學習)和在操作504中的獲取規范之外。在操作500中，mlc42進行學習并產生一不成熟分類。使用者向mlc42提供一參考分類。如果不成熟分類不正確，則mlc42調整一權重。在本公開中，正確的分類指的是不成熟分類與參考分類相同。重復執行前述過程，直到在操作502中判斷出在操作504的規范中獲取的一校正率能夠被滿足。校正率指的是正確分類的數量與總分類數量的比率。圖7的流程圖說明根據本公開的一些實施例的基于圖6的迭代流程的圖5的訓練階段312和推理/分類階段314。參照圖7，在訓練階段312中，不執行操作200中的回轉率的調整。在操作500中，例如，收集100筆數據，其中80筆數據做為訓練數據，并且20筆數據做為驗證數據。四川電感元件回收平臺