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技術趨勢與挑戰 半導體先進制程： ? EUV光刻膠需降低缺陷率（目前每平方厘米缺陷數＜10個），開發低粗糙度（≤5nm）材料； ? 極紫外吸收問題：膠膜對13.5nm光吸收率高，需厚度控制在50...

錫片生產的主要原材料是 錫（Sn），通常以金屬錫為基礎，根據不同用途可能添加其他合金元素。以下是具體說明： 主要原材料：金屬錫 ? 來源： ? 原生錫：通過開采錫礦石（如錫石，主要成分為SnO?），經選礦、...

吉田半導體 JT-3001 厚板光刻膠：歐盟 RoHS 認證，PCB 電路板制造 憑借抗深蝕刻性能與環保特性，吉田 JT-3001 厚板光刻膠成為 PCB 行業材料。 吉田半導體推出的 JT-3001 厚板光刻膠，分辨率達 1.5μm，抗深蝕刻速率...

光伏電池（半導體級延伸） ? HJT/TOPCon電池：在硅片表面圖形化金屬電極，使用高靈敏度光刻膠（曝光能量≤50mJ/cm2），線寬≤20μm，降低遮光損失。 ? 鈣鈦礦電池：用于電極圖案化和層間隔離，需耐有機溶劑（適...

原料準備 ? 主要成分：樹脂（成膜劑，如酚醛樹脂、聚酰亞胺等）、感光劑（光引發劑或光敏化合物，如重氮萘醌、光刻膠單體）、溶劑（溶解成分，如丙二醇甲醚醋酸酯（PGMEA））、添加劑（調節粘度、感光度、穩定性等，如表面活性劑、穩定劑）。 ...

技術突破與產業重構的臨界點 光刻膠技術的加速突破正在推動芯片制造行業進入“材料定義制程”的新階段。中國在政策支持和資本推動下，已在KrF/ArF領域實現局部突破，但EUV等領域仍需5-10年才能實現替代。未來3-5年，EUV光刻膠研發、...

耐腐蝕性的優化與影響因素 1. 純度與合金成分的影響 ? 純錫：耐腐蝕性好，尤其適合食品接觸或高純度要求場景。 ? 錫合金：添加鉛、銅、銀等元素可能輕微影響耐腐蝕性（如Sn-Pb焊錫在潮濕環境中腐...

國產替代進程加速 日本信越化學因地震導致KrF光刻膠產能受限后，國內企業加速驗證本土產品。鼎龍股份潛江工廠的KrF/ArF產線2024年12月獲兩家大廠百萬大單，二期300噸生產線在建。武漢太紫微的T150A光刻膠性能參數接近日本UV1610，已通...

吉田半導體納米壓印光刻膠 JT-2000：國產技術突破耐高溫極限 自主研發 JT-2000 納米壓印光刻膠耐受 250℃高溫，為國產納米器件制造提供關鍵材料。吉田半導體 JT-2000 納米壓印光刻膠采用國產交聯樹脂，在 250℃高溫下仍保持圖形保...

半導體封裝領域 ? 芯片與基板焊接： ? 采用SAC305焊片焊接QFP、BGA等封裝的芯片與引線框架/陶瓷基板，確保電連接與機械強度。 ? 場景應用（如功率芯片）使用高鉛焊片，耐受200℃以上長...

人才與生態：跨學科團隊的“青黃不接” 前段人才的結構性短缺 光刻膠研發需材料化學、半導體工藝、分析檢測等多領域。國內高校相關專業畢業生30%進入光刻膠行業，且缺乏具有10年以上經驗的工程師。日本企業通過“技術導師制”培養人才，...

研發投入 ? 擁有自己實驗室和研發團隊，研發費用占比超15%，聚焦EUV光刻膠前驅體、低缺陷納米壓印膠等前沿領域，與中山大學、華南理工大學建立產學研合作。 ? 專項布局：累計申請光刻膠相關的項目30余項，涵蓋樹脂合成...

晶粒尺寸的「強度密碼」：通過控制軋制溫度（150℃以下），錫片的晶粒尺寸可細化至50μm以下，使抗拉強度從20MPa提升至50MPa，這種「細晶強化」讓超薄錫片（0.05mm）能承受100g的拉力而不斷裂，滿足柔性電路板的彎曲需求（彎折半徑＜5mm）。 ...

應用場景 半導體集成電路（IC）制造： ? 邏輯芯片（CPU/GPU）：在28nm以下制程中，正性DUV/EUV膠用于晶體管、互連布線的精細圖案化（如10nm節點線寬只有100nm）。 ? 存儲...

光刻膠的納米級性能要求 超高分辨率：需承受電子束（10keV以上）或EUV（13.5nm波長）的轟擊，避免散射導致的邊緣模糊，目前商用EUV膠分辨率已達13nm（3nm制程）。 低缺陷率：納米級結構對膠層中的顆粒或化學不...

廣東吉田半導體材料有限公司，坐落于松山湖經濟技術開發區，是半導體材料領域的一顆璀璨明珠。公司注冊資本 2000 萬元，專注于半導體材料的研發、生產與銷售，是國家高新技術企業、廣東省專精特新企業以及廣東省創新型中小企業。 強大的產品陣容：吉田半導體產...

吉田半導體納米壓印光刻膠 JT-2000：國產技術突破耐高溫極限 自主研發 JT-2000 納米壓印光刻膠耐受 250℃高溫，為國產納米器件制造提供關鍵材料。吉田半導體 JT-2000 納米壓印光刻膠采用國產交聯樹脂，在 250℃高溫下仍保持圖形保...

廣東吉田半導體材料有限公司 ? 產品定位：國家高新技術企業，專注半導體材料23年，焊片（錫基合金焊片）為主要產品之一，適配芯片封裝、功率模塊等高級場景。 ? 技術優勢： ? 進口原材料（美、德、日...

再生錫片的「資源循環戰」：通過回收廢舊手機、電腦主板，再生錫片的生產能耗只有為原生錫的32%，二氧化碳排放減少60%。全球每年回收的50萬噸再生錫，可滿足電子行業40%的錫片需求，相當于少開采100萬噸錫礦石。 無鉛化的「健康性質」：...

吉田半導體水性感光膠 JT-1200：水油兼容，鋼片加工精度 ±5μm JT-1200 水性感光膠解決鋼片加工難題，提升汽車電子部件制造精度。 針對汽車電子鋼片加工需求，吉田半導體研發的 JT-1200 水性感光膠實現水油兼容性達 100%，加工精度...

公司遵循國際質量管理標準，通過 ISO9001:2008 認證，并在生產過程中執行 8S 現場管理，從原料入庫到成品出庫實現全流程監控。以錫膏產品為例，其無鹵無鉛配方符合環保要求，同時具備低飛濺、高潤濕性等特點，適用于電子產品組裝。此外，公司建立了行業標準...

人才與生態：跨學科團隊的“青黃不接” 前段人才的結構性短缺 光刻膠研發需材料化學、半導體工藝、分析檢測等多領域。國內高校相關專業畢業生30%進入光刻膠行業，且缺乏具有10年以上經驗的工程師。日本企業通過“技術導師制”培養人才，...

耐腐蝕性在不同場景中的體現 1. 食品與醫藥包裝領域 ? 抗有機酸與弱堿腐蝕： 錫對食品中的有機酸（如檸檬酸、醋酸）、弱堿及中性溶液有極強抗性，不會發生明顯腐蝕或溶出有害物質。例如： ? 鍍錫鋼板（馬口...

研發投入 ? 擁有自己實驗室和研發團隊，研發費用占比超15%，聚焦EUV光刻膠前驅體、低缺陷納米壓印膠等前沿領域，與中山大學、華南理工大學建立產學研合作。 ? 專項布局：累計申請光刻膠相關的項目30余項，涵蓋樹脂合成...

人才與生態：跨學科團隊的“青黃不接” 前段人才的結構性短缺 光刻膠研發需材料化學、半導體工藝、分析檢測等多領域。國內高校相關專業畢業生30%進入光刻膠行業，且缺乏具有10年以上經驗的工程師。日本企業通過“技術導師制”培養人才，...

成本與經濟性 ? 無鉛錫片：因錫價較高（錫價約是鉛的10~20倍），且合金配方復雜（需添加銀、銅等元素），成本比有鉛錫片高30%~50%，同時需配套更高精度的焊接設備和工藝優化，整體生產成本上升。 ? 有鉛錫片：鉛成...

定義與特性 正性光刻膠是一種在曝光后，曝光區域會溶解于顯影液的光敏材料，形成與掩膜版（Mask）圖案一致的圖形。與負性光刻膠（未曝光區域溶解）相比，其優勢是分辨率高、圖案邊緣清晰，是半導體制造（尤其是制程）的主流選擇。 ...

光伏電池（半導體級延伸） ? HJT/TOPCon電池：在硅片表面圖形化金屬電極，使用高靈敏度光刻膠（曝光能量≤50mJ/cm2），線寬≤20μm，降低遮光損失。 ? 鈣鈦礦電池：用于電極圖案化和層間隔離，需耐有機溶劑（適...

晶圓制造（前道工藝） ? 功能：在硅片表面形成高精度電路圖形，是光刻工藝的主要材料。 ? 細分場景： ? 邏輯/存儲芯片：用于28nm及以上成熟制程的KrF光刻膠（分辨率0.25-1μm）、14n...

焊片（錫基焊片）主要特性 材料與性能 ? 高純度合金：采用進口原材料，錫基合金純度高（如Sn96.5/Ag3.0/Cu0.5等配比），雜質含量低，確保焊接界面低缺陷、高可靠性。 ? 工藝控制：通...