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即檢測輸入端或直流端的總電流，當此電流超過設定值后比較器翻轉，***所有IGBT輸入驅動脈沖，使輸出電流降為零。這種過載過流保護，一旦動作后,要通過復位才能恢復正常工作。IGBT能夠承受很短時間的短路電流，能夠承受短路電流的時間與該IGBT的飽和導通壓降有關，隨著飽和導通壓降的增加而延長。如飽和壓降小于2V的IGBT允許的短路時間小于5μS，而飽和壓降為3V的IGBT的允許短路時間可達15μS，4～5V時可達到30μS以上。存在以上的關系是由于隨著飽和導通壓降的降低，IGBT的阻抗也降低，短路電流同時增大，短路時的功耗隨著電流的平方增大，造成承受短路時間迅速減小。通常采取的保護措施有軟...

根據數據表中標示的IGBT的寄生電容，可以分析dV/dt引起的寄生導通現象?？赡艿募纳鷮ìF象，是由集電極-柵極和柵極-發射極之間的固有容性分壓器引起的（請參見圖9）?？紤]到集電極-發射極上的較高瞬態電壓，這個固有的容性分壓器比受限于寄生電感的外接柵極驅動電路快得多。因此，即使柵極驅動器關斷了IGBT，即，在零柵極-發射極電壓狀態下，瞬態集電極-發射極電壓也會引起與驅動電壓不相等的柵極-發射極電壓。忽略柵極驅動電路的影響，可以利用以下等式，計算出柵極-發射極電壓：因此，商數Cres/Cies應當盡可能低，以避免dV/dt引起寄生導通現象（商數約為35，請參見圖12）。此外，輸入電容應當...

HybridPACK?DSC是英飛凌全新的創新型解決方案，適用于混合動力及電動汽車的主逆變器。得益于模制模塊的雙面冷卻設計，該產品可提供更高的功率密度。在芯片溫度及電流傳感器的幫助下，IGBT的驅動效果將更加接近其極限，從而進一步提高功率密度。HybridPACK?DSC模塊具有高度可拓展性，為客戶所使用的平臺和方法提供支持。HybridPACK?驅動是一款非常緊湊的電源模塊，專門針對混合動力汽車及電動汽車的主逆變器應用（xEV）進行了優化，功率范圍比較高達150kW。這款電源模塊搭載了新一代EDT2IGBT芯片，后者采用汽車級微型溝槽式場截止單元設計。這款芯片組擁有基準電流密度并具有...

三、根據開關頻率選擇不同的IGBT系列IGBT的損耗主要由通態損態和開關損耗組成，不同的開關頻率，開關損耗和通態損耗所占的比例不同。而決定IGBT通態損耗的飽和壓降VCE(sat)和決定IGBT開關損耗的開關時間（ton，toff）又是一對矛盾，因此應根據不同的開關頻率來選擇不同特征的IGBT。在低頻如fk<10KHz時，通態損耗是主要的，這就需要選擇低飽和壓降型IGBT系列。對于英飛凌產品需選用后綴為“KE3”或“DLC”系列IGBT；但英飛凌后綴為“KT3”系列飽和壓降與“KE3”系列飽和壓降相近，“KT3”比“KE3”開關損耗降低20％左右，因而“KT3”將更有優勢?！癒T3”由...

英飛凌整流橋綜述EconoBRIDGE整流器模塊應用在完善的Econo2和Econo4封裝中。它們可以與EconoPACK2&3和EconoPACK4封裝三相橋較高程度地配合使用。EconoBRIDGE可在整流級*有二極管時實現不控整流，也可在整流級中使用晶閘管實現半控整流。關鍵特性?高集成度：整流橋、制動斬波器和NTC共用一個封裝，可節約系統成本?靈活性：可定制的封裝（引腳位置和拓撲結構可根據客戶需求定制）?一體通用：多種拓撲和電流（100A-360A）等級適用于多種應用，實現平臺化戰略?功率密度：與TrenchstopIGBT3相比，TrenchstopIGBT4技術的Tvjop達到150...

IGBT模塊采用預涂熱界面材料（TIM），能讓電力電子應用實現一致性的散熱性能。此外，IGBT模塊可以借助壓接引腳進行安裝，從而實現無焊料無鉛的功率模塊安裝。英飛凌可控硅：綜述：6.5kV片式晶閘管系列包括四款強大而可靠的片式器件，專為滿足中壓軟起動器應用的特殊要求而開發。所有器件均具備很強的抗浪涌電流能力。開關性能經過優化，可以按串聯器件的數量輕松調整軟起動器，以適應不同的工作電壓。該器件還適用于通用線電壓整流器應用，如電源和標準驅動。大功率二極管和晶閘管旨在顯著提高眾多應用的效率。安徽哪里有模塊批發模塊英飛凌整流橋綜述EconoBRIDGE整流器模塊應用在完善的Econo2和Econo4封...

加反向門極電壓消除溝道，切斷基極電流，使IGBT關斷。IGBT的驅動方法和MOSFET基本相同，只需控制輸入極N一溝道MOSFET，所以具有高輸入阻抗特性。當MOSFET的溝道形成后，從P+基極注入到N一層的空穴（少子），對N一層進行電導調制，減小N一層的電阻，使IGBT在高電壓時，也具有低的通態電壓。1IGBT模塊簡介IGBT是InsulatedGateBipolarTransistor（絕緣柵雙極型晶體管）的縮寫，IGBT是由MOSFET和雙極型晶體管復合而成的一種器件，其輸入極為MOSFET，輸出極為PNP晶體管，它融和了這兩種器件的優點，既具有MOSFET器件驅動功率小和開關速...

三、根據開關頻率選擇不同的IGBT系列IGBT的損耗主要由通態損態和開關損耗組成，不同的開關頻率，開關損耗和通態損耗所占的比例不同。而決定IGBT通態損耗的飽和壓降VCE(sat)和決定IGBT開關損耗的開關時間（ton，toff）又是一對矛盾，因此應根據不同的開關頻率來選擇不同特征的IGBT。在低頻如fk<10KHz時，通態損耗是主要的，這就需要選擇低飽和壓降型IGBT系列。對于英飛凌產品需選用后綴為“KE3”或“DLC”系列IGBT；但英飛凌后綴為“KT3”系列飽和壓降與“KE3”系列飽和壓降相近，“KT3”比“KE3”開關損耗降低20％左右，因而“KT3”將更有優勢。“KT3”由...

雙向可控硅作用 有例如1、雙向可控硅在電路中的作用是：用于交流調壓或交流電子開關。2、雙向可控硅”是在普通可控硅的基礎上發展而成的，它不僅能代替兩只反極性并聯的可控硅，而且*需一個觸發電路，是比較理想的交流開關器件。其英文名稱TRIAC即三端雙向交流開關之意。3、可控硅的優點很多，例如：以小功率控制大功率，功率放大倍數高達幾十萬倍；反應極快，在微秒級內開通、關斷；無觸點運行，無火花、無噪音；效率高，成本低等等。用于定性描述這兩者關系的曲線稱為伏安特性曲線。西藏標準模塊模塊 ⑷在工作電流較大的情況下，為了減小關斷過電壓，應盡量減小主電路的布線電感，吸收電容應采用低感或無感型；⑸IGBT與M...

但是各路之間在電路上必須相互隔離，以防干擾或誤觸發四路驅動信號根據觸發相位分為兩組，相位相反。圖3為一路柵極驅動電路，整流橋B1、B2與電解電容C1、C2組成整流濾波電路，為驅動電路提供+25V和-15V直流驅動電壓。光耦6N137的作用是實現控制電路與主電路之間的隔離，傳遞PWM信號。電阻R1與穩壓管VS1組成PWM取樣信號，電阻R2限制光耦輸入電流。電阻R3、R4與穩壓管VS3、VS4分別組成，分別為光耦和MOSFET管Q3提供驅動電平。Q3在光耦控制下，工作在開關狀態。MOSFET管Q1、Q2組成推挽放大電路，將放大后的輸出信號輸入到IGBT門極，提供門極的驅動信號。當輸入控制信...

HybridPACK?DSC是英飛凌全新的創新型解決方案，適用于混合動力及電動汽車的主逆變器。得益于模制模塊的雙面冷卻設計，該產品可提供更高的功率密度。在芯片溫度及電流傳感器的幫助下，IGBT的驅動效果將更加接近其極限，從而進一步提高功率密度。HybridPACK?DSC模塊具有高度可拓展性，為客戶所使用的平臺和方法提供支持。HybridPACK?驅動是一款非常緊湊的電源模塊，專門針對混合動力汽車及電動汽車的主逆變器應用（xEV）進行了優化，功率范圍比較高達150kW。這款電源模塊搭載了新一代EDT2IGBT芯片，后者采用汽車級微型溝槽式場截止單元設計。這款芯片組擁有基準電流密度并具有...

根據數據表中標示的IGBT的寄生電容，可以分析dV/dt引起的寄生導通現象。可能的寄生導通現象，是由集電極-柵極和柵極-發射極之間的固有容性分壓器引起的（請參見圖9）。考慮到集電極-發射極上的較高瞬態電壓，這個固有的容性分壓器比受限于寄生電感的外接柵極驅動電路快得多。因此，即使柵極驅動器關斷了IGBT，即，在零柵極-發射極電壓狀態下，瞬態集電極-發射極電壓也會引起與驅動電壓不相等的柵極-發射極電壓。忽略柵極驅動電路的影響，可以利用以下等式，計算出柵極-發射極電壓：因此，商數Cres/Cies應當盡可能低，以避免dV/dt引起寄生導通現象（商數約為35，請參見圖12）。此外，輸入電容應當...

因此在驅動電路的輸出端給柵極加電壓保護，并聯電阻Rge以及反向串聯限幅穩壓管，如圖4所示。圖4柵極保護電路柵極串聯電阻Rg對IGBT開通過程影響較大。Rg小有利于加快關斷速度，減小關斷損耗，但過小會造成di/dt過大，產生較大的集電極電壓尖峰。根據本設計的具體要求，Rg選取Ω。柵極連線的寄生電感和柵極與射極間的寄生電容耦合，會產生振蕩電壓，所以柵極引線應采用雙絞線傳送驅動信號，并盡可能短，比較好不超過m，以減小連線電感。四路驅動電路光耦與PWM兩路輸出信號的接線如圖5所示。圖5四路驅動電路光耦與PWM的兩路輸出信號的接線實驗波形如圖6所示。圖6a是柵極驅動四路輸出波形。同時測四路驅動波...

1979年，MOS柵功率開關器件作為IGBT概念的先驅即已被介紹到世間。這種器件表現為一個類晶閘管的結構(P-N-P-N四層組成)，其特點是通過強堿濕法刻蝕工藝形成了V形槽柵。80年代初期，用于功率MOSFET制造技術的DMOS(雙擴散形成的金屬-氧化物-半導體)工藝被采用到IGBT中來。[2]在那個時候，硅芯片的結構是一種較厚的NPT(非穿通)型設計。后來，通過采用PT(穿通)型結構的方法得到了在參數折衷方面的一個***改進，這是隨著硅片上外延的技術進步，以及采用對應給定阻斷電壓所設計的n+緩沖層而進展的[3]。幾年當中，這種在采用PT設計的外延片上制備的DMOS平面柵結構，其設計規...

Le是射極回路漏電感，用電感L1與二極管VD并聯作為負載。圖2IGBT開通波形IGBT開通波形見圖2b。T0時刻，IGBT處于關斷狀態，柵極驅動電壓開始上升，Uge的上升斜率上要由Rg和Cgc決定，上升較快。到t1時刻。Uge達到柵極門檻值(約4~5V)，集電極電流開始上升。導致Uge波形偏離原有軌跡的因素主要有兩個：一是發射極電路中分布電感Le的負反饋作用；二是柵極-集電極電容Cgc的密勒效應。t2時刻，Ic達到比較大值，集射極電壓Uce下降，同時Cgc放電，驅動電路電流增大，使得Rg和R上分壓加大，也造成Uge下降。直到t3時刻，Uce降為0，Ic達到穩態值，Uge才以較快的上升率...

西門康IGBT(InsulatedGateBipolarTransistor)結構和工作原理絕緣柵雙極型晶體管是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場效應管)組成的復合全控型電壓驅動式功率半導體器件，兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導通壓降兩方面的優點。GTR飽和壓降低，載流密度大，但驅動電流較大；MOSFET驅動功率很小，開關速度快，但導通壓降大，載流密度小。西門康IGBT綜合了以上兩種器件的優點，驅動功率小而飽和壓降低。非常適合應用于直流電壓為600V及以上的變流系統如交流電機、變頻器、開關電源、照明電路、牽引傳動等領域當加上輸入信號VI（一般為高電平）、并且交流負載電源電壓...

雙向可控硅作用 有例如1、雙向可控硅在電路中的作用是：用于交流調壓或交流電子開關。2、雙向可控硅”是在普通可控硅的基礎上發展而成的，它不僅能代替兩只反極性并聯的可控硅，而且*需一個觸發電路，是比較理想的交流開關器件。其英文名稱TRIAC即三端雙向交流開關之意。3、可控硅的優點很多，例如：以小功率控制大功率，功率放大倍數高達幾十萬倍；反應極快，在微秒級內開通、關斷；無觸點運行，無火花、無噪音；效率高，成本低等等。開關性能經過優化，可以按串聯器件的數量輕松調整軟起動器，以適應不同的工作電壓。北京智能模塊量大從優模塊英飛凌IGBT綜述：我們的產品組合包括不同的先進IGBT功率模塊產品系列，它們擁有不...

英飛凌IGBT綜述：我們的產品組合包括不同的先進IGBT功率模塊產品系列，它們擁有不同的電路結構、芯片配置和電流電壓等級，適用于幾乎所有應用。市場**的62mm、Easy和Econo系列、IHM/IHVB系列、PrimePACK和XHP系列功率模塊都采用了***的IGBT技術。它們有斬波器、DUAL、PIM、四單元、六單元、十二單元、三電平、升壓器或單開關配置，電流等級從6A到3600A不等。IGBT模塊的適用功率小至幾百瓦，高至數兆瓦。這些產品可用于通用驅動器、牽引、伺服裝置和可再生能源發電（如光伏逆變器或風電應用）等應用，具有高可靠性、出色性能、高效率和使用壽命長的優勢。IGBT模塊采用預...

Le是射極回路漏電感，用電感L1與二極管VD并聯作為負載。圖2IGBT開通波形IGBT開通波形見圖2b。T0時刻，IGBT處于關斷狀態，柵極驅動電壓開始上升，Uge的上升斜率上要由Rg和Cgc決定，上升較快。到t1時刻。Uge達到柵極門檻值(約4~5V)，集電極電流開始上升。導致Uge波形偏離原有軌跡的因素主要有兩個：一是發射極電路中分布電感Le的負反饋作用；二是柵極-集電極電容Cgc的密勒效應。t2時刻，Ic達到比較大值，集射極電壓Uce下降，同時Cgc放電，驅動電路電流增大，使得Rg和R上分壓加大，也造成Uge下降。直到t3時刻，Uce降為0，Ic達到穩態值，Uge才以較快的上升率...

⑷在工作電流較大的情況下，為了減小關斷過電壓，應盡量減小主電路的布線電感，吸收電容應采用低感或無感型；⑸IGBT與MOSFET都是電壓驅動，都具有一個～5V的閾值電壓，有一個容性輸入阻抗，因此IGBT對柵極電荷非常敏感故驅動電路必須很可靠，要保證有一條低阻抗值的放電回路，即驅動電路與IGBT的連線要盡量短；⑹用內阻小的驅動源對柵極電容充放電，以保證柵極控制電壓Uge,有足夠陡的前后沿，使IGBT的開關損耗盡量小。另外，IGBT開通后，柵極驅動源應能提供足夠的功率，使IGBT不退出飽和而損壞；⑺驅動電平Uge也必須綜合考慮。Uge增大時，IGBT通態壓降和開通損耗均下降，但負載短路時的I...

也算是節省了不小的開支。2013年6月15日***我又在電腦上設計了幾張圖紙，希望能夠運用到實戰中。讓房子變成我想象中的樣子。2013年6月20日我和老公***把花園的門給定好了，看起來就很有安全感的樣子。2013年7月15日2020-08-30求大神,我家的電磁爐換過開關還是不能用速度…電磁爐又被稱為電磁灶，1957年***臺家用電磁爐誕生于德國。1972年，美國開始生產電磁爐，20世紀80年代初電磁爐在歐美及日本開始**。電磁爐的原理是電磁感應現象，即利用交變電流通過線圈產生方向不斷改變的交變磁場，處于交變磁場中的導體的內部將會出現渦旋電流(原因可參考法拉第電磁感應定律)，這是渦旋...

全橋逆變電路IGBT模塊的實用驅動電路設計作者：海飛樂技術時間：2017-04-2116:311.前言全僑式逆變電路應用***，國內外許多廠家的焊機都采用此主電路結構。全橋式電路的優點是輸出功率較大，要求功率開關管耐壓較低，便于選管。在硬開關僑式電路中，IGBT在高壓下導通，在大電流下關斷，處于強迫開關過程，功率器件IGBT能否正?？煽渴褂闷鹬陵P重要的作用。驅動電路的作用就是將控制電路輸出的PWM信號進行功率放大，滿足驅動IGBT的要求。其性能直接關系到IGBT的開關速度和功耗、整機效率和可靠性。隨著開關工作頻率的提高，驅動電路的優化設計更為重要。2.硬開關全橋式電路工作過程分析全橋...

隨集電極-發射極電壓的升高而增強（請參見等式（8））。低阻抗（即，低雜散電感）柵極驅動電路，也可比較大限度地降低發生寄生導通事件的風險。開關時間數據表中給出的開關時間，為確定半橋配置中的互補器件的接通與關斷之間的恰當空載時間，提供了有用信息。關于設置恰當的空載時間的更多信息，請參閱參考資料[1]。數據表中給出的開關時間的定義如下，如圖14中的示意圖所示。?接通延時（tdon）：10%柵極-發射極電壓，至10%集電極電流?升高時間（tr）：10%集電極電流，至90%集電極電流?關斷延時（tdoff）：90%柵極-發射極電壓，至90%集電極電流?下降時間（tf）：90%集電極電流，至10%...

但柵極連線的寄生電感和柵極-集電極之間的電容耦合，也會產生使氧化膜損壞的振蕩電壓。為此，通常采用絞線來傳送驅動信號，以減小寄生電感。在柵極連線中串聯小電阻可以抑制振動電壓。由于IGBT的柵極-發射極之間和柵極-集電極之間存在著分布電容，以及發射極驅動電路中存在著分布電感，這些分布參數的影響，使IGBT的實際驅動波形與理想驅動波形不完全相同，并且產生了不利于IGBT開通和關斷的因素。如圖1所示。在t0時刻，柵極驅動電壓開始上升，此時影響柵極電壓上升斜率的主要因素只有Rg和Cge，柵極電壓上升較快。在t1時刻達到IGBT的柵極門檻值，集電極電流開始上升。從此時有兩個因素影響Uge波形偏離原...

雙向可控硅應用現在可控硅應用市場很多，可控硅應用在自動控制領域，機電領域，工業電器及家電等方面都有可控硅的身影。許先生告訴記者，他目前的幾個大單中還有用于卷發產品的單，可見可控硅在人們的生活中都有應用。更重要的是，可控硅應用相當穩定，比方說用于家電產品中的電子開關，可以說是鮮少變化的。無論其他的元件怎么變化，可控硅的變化是不大的，這相對來說，等于擴大的可控硅的應用市場，減少了投資的風險?？煽毓璧膬烖c很多，例如：以小功率控制大功率，功率放大倍數高達幾十萬倍；反應極快，在微秒級內開通、關斷；無觸點運行，無火花、無噪音；效率高，成本低等等。它們有斬波器、DUAL、PIM、四單元、六單元、十二單元、三...

但過小會導致di/dt過大，產生較大的集電極電壓尖峰。因此對串聯電阻要根據具體設計要求***綜合考慮。柵極驅動電阻對驅動脈沖的波形也有影響。電阻值過小時會造成脈沖振蕩，過大時脈沖的前后沿會發生延遲或變緩。IGBT柵極輸入電容Cge隨著其額定容量的增加而增大。為了保持相同的脈沖前后沿速率，對于電流容量大的IGBT器件，應提供較大的前后沿充電電流。為此，柵極串聯的電阻的阻值應隨著IGBT電流容量的增大而減小。：⑴光耦驅動電路，光耦驅動電路是現代逆變器和變頻器設計時被***采用的一種電路，由于線路簡單，可靠性高，開關性能好，被許多逆變器和變頻器廠家所采用。由于驅動光耦的型號很多，所以選用的余...

⑷在工作電流較大的情況下，為了減小關斷過電壓，應盡量減小主電路的布線電感，吸收電容應采用低感或無感型；⑸IGBT與MOSFET都是電壓驅動，都具有一個～5V的閾值電壓，有一個容性輸入阻抗，因此IGBT對柵極電荷非常敏感故驅動電路必須很可靠，要保證有一條低阻抗值的放電回路，即驅動電路與IGBT的連線要盡量短；⑹用內阻小的驅動源對柵極電容充放電，以保證柵極控制電壓Uge,有足夠陡的前后沿，使IGBT的開關損耗盡量小。另外，IGBT開通后，柵極驅動源應能提供足夠的功率，使IGBT不退出飽和而損壞；⑺驅動電平Uge也必須綜合考慮。Uge增大時，IGBT通態壓降和開通損耗均下降，但負載短路時的I...

但過小會導致di/dt過大，產生較大的集電極電壓尖峰。因此對串聯電阻要根據具體設計要求***綜合考慮。柵極驅動電阻對驅動脈沖的波形也有影響。電阻值過小時會造成脈沖振蕩，過大時脈沖的前后沿會發生延遲或變緩。IGBT柵極輸入電容Cge隨著其額定容量的增加而增大。為了保持相同的脈沖前后沿速率，對于電流容量大的IGBT器件，應提供較大的前后沿充電電流。為此，柵極串聯的電阻的阻值應隨著IGBT電流容量的增大而減小。：⑴光耦驅動電路，光耦驅動電路是現代逆變器和變頻器設計時被***采用的一種電路，由于線路簡單，可靠性高，開關性能好，被許多逆變器和變頻器廠家所采用。由于驅動光耦的型號很多，所以選用的余...

功率開關器件在工作前半周與后半周導***寬相等，飽和壓降相等，前后半周交替通斷，變壓器磁心中沒有剩磁。但是，如果IGBT驅動電路輸出脈寬不對稱或其他原因，就會產生正負半周不平衡問題，此時，變壓器內的磁心會在某半周積累剩磁，出現“單向偏磁”現象，經過幾個脈沖，就可以使變壓器單向磁通達到飽和，變壓器失去作用，等效成短路狀態。這對于IGBT來說，極其危險，可能引發。橋式電路的另一缺點是容易產生直通現象。直通現象是指同橋臂的IGBT在前后半周導通區間出現重疊，主電路板路，巨大的加路電流瞬時通過IGBT。針對上述兩點不足，從驅動的角度出發、設計的驅動電路必須滿足四路驅動的波形完全對稱，嚴格限制比...

功率開關器件在工作前半周與后半周導***寬相等，飽和壓降相等，前后半周交替通斷，變壓器磁心中沒有剩磁。但是，如果IGBT驅動電路輸出脈寬不對稱或其他原因，就會產生正負半周不平衡問題，此時，變壓器內的磁心會在某半周積累剩磁，出現“單向偏磁”現象，經過幾個脈沖，就可以使變壓器單向磁通達到飽和，變壓器失去作用，等效成短路狀態。這對于IGBT來說，極其危險，可能引發。橋式電路的另一缺點是容易產生直通現象。直通現象是指同橋臂的IGBT在前后半周導通區間出現重疊，主電路板路，巨大的加路電流瞬時通過IGBT。針對上述兩點不足，從驅動的角度出發、設計的驅動電路必須滿足四路驅動的波形完全對稱，嚴格限制比...