国产精品免费视频色拍拍,久草网国产自,日韩欧无码一区二区三区免费不卡,国产美女久久精品香蕉

通過電阻和igbt模塊導通壓降vce-sat的分壓原理：，不檢測故障，vce-sat檢測被禁止，該狀態下不檢測vce，原因是igbt***狀態vce電壓為關斷電壓;下管vce-sat檢測電路由r15,d12,r16構成vce-sat采樣電路:當驅動信號drv_l為高電平（15v）時，通過電阻和igbt模塊導通壓降vce-sat的分壓原理：，采樣信號vce_h，r6和r7構成分壓電路(通過r6和r7設定保護值)，比較信號comp_h，通過vce_h與comp_h的比較實現vce飽和壓降的檢測，并輸出故障信號fault_h：當vce_h小于comp_h，fault_h為高電平，正常狀態；當...

專業進行智能廚具產品的開發和研究，并設立了以上海市區為中心的賽米控營銷售后服務點。2009年3月，賽米控公司聯合石家莊啟宏東立科技有限公司共同投資成立石家莊賽米控電子科技有限公司。石家莊賽米控公司主要負責北方商用電磁爐成品的組裝生產與銷售。2004年，佛山市順德銘誠科技公司成立。一幫追求真理，懷著遠大抱負的年輕人開創了中國廚具發展史上的先河,***家把大功率電磁爐技術做成機芯的形式對全國廚具公司進行銷售。2006年，佛山市順德銘芳玉電子有限公司成立，并推出西門康牌商用電磁爐中西廚具成品。世界上***家推出采用中式炒爐15CM拋鍋不間斷加熱有火力輸出這一新技術，并成為中國大功率電磁感應加...

圖5為本實用新型實施例提供的溝槽柵結構制作方法的流程圖。圖中：1為多晶硅層，2為氧化層，21為***氧化層，22為第二氧化層，23為**氧化層，3為光刻膠。具體實施方式下面將結合本實用新型實施例中的附圖，對本實用新型實施例中的技術方案進行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實施例**是本實用新型一部分實施例，而不是全部的實施例。基于本實用新型中的實施例，本領域普通技術人員在沒有做出創造性勞動前提下所獲得的所有其他實施例，都屬于本實用新型保護的范圍。圖4示出了本實施例提供的一種溝槽柵igbt示意圖，包括半導體襯底和設置在半導體襯底表面內的兩個溝槽柵結構，兩個溝槽柵結構對稱，溝槽柵結構設置有多...

該第二氧化層22的厚度為3000-5000a(如圖5c所示)，根據應用端對器件的開關特性需求，可以對第二氧化層22的厚度進行調節；s102：沉積光刻膠3(如圖5d所示)；s104：去除溝道區的光刻膠3，保留非溝道區的光刻膠3，從而保護溝槽內非溝道區的第二氧化層22不被蝕刻；s105：對第二氧化層22進行蝕刻(如圖5f所示)，然后去除溝槽內非溝道區保留的光刻膠3(如圖5g所示)；s106：在溝槽內沉積***氧化層21(如圖5h所示)；s107:沉積多晶硅層(如圖5i所示)，然后去除表面多余多晶硅層(如圖5j所示)。需要說明的是，本實施例提供的制作方法形成兩種厚度氧化層2沒有新增光刻流程，...

本實用新型涉及驅動電路技術領域，具體是風電變流器的igbt驅動電路。背景技術：風電變流器系統電壓690v，一般采用1700v的igbt模塊，大功率igbt模塊開關速度快，產生很高的di/dt和du/dt，帶來emc電磁干擾問題，影響變流器的可靠運行，甚至損壞igbt模塊，為了提高抗干擾能力，有以下兩種解決方案：1）、采用光纖傳遞控制信號，控制電路弱信號與igbt模塊的強信號實現電氣完全隔離，抗干擾能力強，可靠性高，但是光纖成本昂貴；2）、通常采用**的驅動器和驅動芯片，例如風電**驅動器2sd300，采用專業的調制與解調芯片，通過脈沖變壓器傳遞驅動信號，抗干擾能力強，可靠性高，大量應用...

Thresholdvoltage）：通常將傳輸特性曲線中輸出電壓隨輸入電壓改變而急劇變...發表于2017-11-2717:18?935次閱讀怎么使用示波器抓取瞬態波形示波器是一種用途十分***的電子測量儀器。它能把肉眼看不見的電信號變換成看得見的圖像，便于人們研究各種...發表于2017-11-2710:54?1070次閱讀基于簡單功率跟蹤技術的射頻功率放大器效率優化高數據速率的需求推動著移動通信系統從2G向3G遷移。這些系統中更高的數據速率為移動電話射頻設...發表于2017-11-2513:58?181次閱讀降低SDR功耗的整體設計方案傳統上，降低軟件無線電(SDR)硬件的功耗一...

更好的電氣性能新的機械設計也改善了電氣性能。事實上，***降低的熱阻允許更高的輸出電流。得益于角形柵極可控硅的使用，新的芯片具有更大的有效表面積，可以流過更多的電流。由于這些變化，在與當前模塊具有同樣有效芯片面積的情況***過芯片的輸出電流大約多了10％以上。衡量可控硅模塊可靠性的另一個重要參數是浪涌電流。該值顯示了二極管/可控硅的穩健性，指的是故障條件下二極管/可控硅能夠經受的住而無損傷的單一正弦半波通態電流脈沖，該脈沖持續10或（50或60Hz），這種情況在二極管/可控硅的使用壽命期間應該發生的很少［4］。認證所有賽米控的模塊都要經歷質量審批測試程序。測試的目的是在各種不同的測試條...

相關推薦為何中國用220伏電美國用110伏電？為什么不用...經常出國溜達的小伙伴肯定會發現：某些國家的插座寫著110V，而不是中國插座上的220V。哇，難道電壓...發表于2018-04-0723:21?163次閱讀線圈一體型負電壓輸出電壓”microDC／DC...**適于輸入電壓變動的設備的穩定化負電源電路,支持負電壓輸出特瑞仕半導體株式會社研發了支持...發表于2018-04-0610:32?103次閱讀一文看懂人體的安全電壓與安全電流是多少行業規定安全電壓為不高于36V，持續接觸安全電壓為24V，安全電流為10mA，電擊對人體的危害程...發表于2018-04-0317:15...

脈沖的幅值與柵驅動電路阻抗和dV/dt的實際數值有直接關系。IGBT本身的設計對減小C和C的比例非常重要，它可因此減小dV/dt感生電壓幅值。如果dV/dt感生電壓峰值超過IGBT的閥值，Q1產生集電極電流并產生很大的損耗，因為此時集電極到發射極的電壓很高。為了減小dV/dt感生電流和防止器件開通，可采取以下措施：關斷時采用柵極負偏置，可防止電壓峰值超過V，但問題是驅動電路會更復雜。減小IGBT的CGC寄生電容和多晶硅電阻Rg’。減小本征JFET的影響圖3給出了為反向偏置關斷而設計的典型IGBT電容曲線。CRES曲線（及其他曲線）表明一個特性，電容一直保持在較高水平，直到V接近15V，...

GSM系統規范對手機發射功率的精度、平坦度、發射頻譜純度以及帶外雜散信...發表于2017-12-1217:58?171次閱讀空間電壓矢量svpwm控制原理解析PAM是英文PulseAmplitudeModulation（脈沖幅度調制）縮寫，是按一定規律改變...發表于2017-12-1113:33?2402次閱讀基于TL494的12V直流電壓轉變220V逆變電...目前所有的雙端輸出驅動IC中，可以說美國德克薩斯儀器公司開發的TL494功能**完善、驅動能力**強，其...發表于2017-12-0515:18?648次閱讀基于LTC3115-1的手持式設備、工業儀表和汽...手持式設...

四種IGBT模塊常規測量儀器作者：微葉科技時間：2015-10-1516:38看了很多的IGBT測量方法，其中不乏極具精髓的，但不怎么的***。現在我總結介紹四招，有這四招，足以應付日常工作中的要求了。但這是在簡單工具的前提下，只能說是常規測量吧。下面先擺出四大裝備（排名不分先后）：數字萬用表：雖然，用它來測量有太多的局限性，但它卻是我們**常用和普遍的工具**。用它測量二極管的管壓降，不僅能在一定程度上判斷其好壞，還能判定它們的離散性。數字電容表：這個可能是很多人用的比較少吧，其實我們都知道，IGBT的容量大小是有規律的，容量大它的各種等效電容容量也將同比加大，如**重要的Cies就...

是一種非常直觀...發表于2018-01-1509:38?700次閱讀為物聯網未來發聲——物聯網微功率頻譜應用研討會***上午，來自全國各地及海外的一百多家物聯網行業企業、用戶單位和科研機構**齊聚北京，共同參與了“為...發表于2018-01-1217:20?1299次閱讀功率和功耗一樣嗎_功耗和功率的區別功率是指物體在單位時間內所做的功的多少，即功率是描述做功快慢的物理量。功的數量一定，時間越短，功率值...發表于2018-01-1214:43?1024次閱讀浪涌電壓防護_電解電容浪涌電壓措施在電子設計中，浪涌主要指的是電源（只是主要指電源）剛開通的那一瞬息產生的強力脈沖，由于電路...

其次對TTL電平的相關定義進行了介紹，**后闡述了電...發表于2018-03-1310:02?221次閱讀淺談欠壓檢測門限的選定方法關于如何設置上/下門限電壓、如何設置回差電壓、如何選擇**芯片，以及關于回差電壓。檢測門限電壓、穩壓...發表于2018-03-0516:44?118次閱讀理解電壓基準：簡單灌電流使用運算放大器反饋和電壓基準可以簡單直接產生任意大小的直流電流。本篇文章將討論一種**簡化的實現灌電...發表于2018-03-0110:38?283次閱讀簡單材料制作多電壓變壓器對于電子愛好者來說，新鮮的事物或者實驗都是他們**大的興趣，本文將介紹如何制作方便適用的多電壓變壓...

冷卻體）的選定方法、實際安裝的注意事項7-7第8章并聯連接1.電流分配的阻礙原因8-22.并聯連接方法8-3第9章評價、測定方法1.適用范圍9-12.評價、測定方法9-1Qualityisourmessage第1章構造與特征目錄1.元件的構造與特征1-22.富士電機電子設備技術的IGBT1-33.通過控制門極阻斷過電流1-54.限制過電流功能1-65.模塊的構造，隨著雙極型功率晶體管模塊和功率MOSFET的出現，已經起了很大的變化。這些使用交換元件的各種電力變換器也隨著近年來節能、設備小型化輕量化等要求的提高而急速地發展起來。但是，電力變換器方面的需求，并沒有通過雙極型功率晶體管模塊和...

由于西門康IGBT模塊供應為MOSFET結構，IGBT的柵極通過一層氧化膜與發射極實現電隔離。由于此氧化膜很薄，其擊穿電一般達到20～30V。因此因靜電而導致柵極擊穿是IGBT失效的常見原因之一。因此使用中要注意以下幾點：1、在使用模塊時，盡量不要用手觸摸驅動端子部分，當必須要觸摸西門康IGBT模塊供應端子時，要先將人體或衣服上的靜電用大電阻接地進行放電后，再觸摸；2、在用導電材料連接模塊驅動端子時，在配線未接好之前請先不要接上模塊；3、盡量在底板良好接地的情況下操作。在應用中有時雖然保證了柵極驅動電壓沒有超過柵極大額定電壓，但柵極連線的寄生電感和柵極與集電極間的電容耦合，也會產生使氧...

從而使得本實施例可應用與高頻場景。本說明書中的“半導體襯底表面內”是指由半導體襯底表面向下延伸的一定深度的區域，該區域屬于半導體襯底的一部分。其中，半導體襯底可以包括半導體元素，例如單晶、多晶或非晶結構的硅或硅鍺，也可以包括混合的半導體結構，例如碳化硅、合金半導體或其組合，在此不做限定。在本實施例中的半導體襯底推薦采用硅襯底，在本實施例中以n型襯底為例進行說明。推薦地，***氧化層21厚度為1000-1200a。推薦地，第二氧化層22厚度為3000-5000a。進一步地，兩個所述溝槽柵結構之間設置有***摻雜區，所述***摻雜區的摻雜類型與所述半導體襯底的類型相反，***摻雜區為pw導...

特別是對于8寸以上的大硅片，極易破碎，難度更大。背面工藝，包括了背面離子注入，退火***，背面金屬化等工藝步驟，由于正面金屬的熔點的限制，這些背面工藝必須在低溫下進行(不超過450°C)，退火***這一步難度極大。背面注入以及退火，此工藝并不像想象的那么簡單。國外某些公司可代加工，但是他們一旦與客戶簽訂協議，就不再給中國客戶代提供加工服務。在模塊封裝技術方面，國內基本掌握了傳統的焊接式封裝技術，其中中低壓模塊封裝廠家較多，高壓模塊封裝主要集中在南車與北車兩家公司。與國外公司相比，技術上的差距依然存在。國外公司基于傳統封裝技術相繼研發出多種先進封裝技術，能夠大幅提高模塊的功率密度、散熱性...

***，市場發展的趨勢要求系統的高可靠性，正是這些趨勢是促使焊接雙極模塊發展的背后動力。現在這些模塊有了一個全新的設計結構，焊層更少，采用了角型柵極可控硅以及升級了的彈簧壓接技術，從而提高可靠性并降低了熱電阻。結果是輸出電流增大了10％以上。技術鑒于工業應用中對功率模塊日益增加的功率密度，可靠性和成本效益的要求，功率半導體制造商正不斷努力開發新模塊，這些新模塊在擁有高度可靠性的同時成本也低。新模塊中，DBC襯底和柵極輔助陰極端子之間的電氣連接由彈簧壓力觸點提供。機械設計方面更深入的改變是減少了焊層。由于熱阻減小了，使得輸出電流大，并增強了可靠性。雖然新一代模塊擁有眾多的改進，新SEMI...

○觸發板也可接入直流3V電壓和分流器75mV反饋信號進行直流負載的恒電流和恒電壓控制。（請通過JP1和JP3跳線選擇短接S4和S6進行直流閉環控制）。○觸發板可跟據不同要求場合取樣。觸發板還可以與單片機及相應檢測傳感器組成外閉環自動控制系統。2．可選擇三種的輸入模式：○4-20mA輸入。通過JP4跳線選擇短接S1。○0-10V輸入。通過JP4跳線選擇短接S2。○0-5V輸入。通過JP4跳線選擇短接S3。3．可外接溫控保護開關和復位開關：（請參考接線圖）。4．軟啟動調節：觸發板可通過VR3可調電阻設置調節軟啟動的時間，順時針方向調節為啟動時間更長。5．限流限壓保護：觸發板通過調節VR2設...

GSM系統規范對手機發射功率的精度、平坦度、發射頻譜純度以及帶外雜散信...發表于2017-12-1217:58?171次閱讀空間電壓矢量svpwm控制原理解析PAM是英文PulseAmplitudeModulation（脈沖幅度調制）縮寫，是按一定規律改變...發表于2017-12-1113:33?2402次閱讀基于TL494的12V直流電壓轉變220V逆變電...目前所有的雙端輸出驅動IC中，可以說美國德克薩斯儀器公司開發的TL494功能**完善、驅動能力**強，其...發表于2017-12-0515:18?648次閱讀基于LTC3115-1的手持式設備、工業儀表和汽...手持式設...

脈沖的幅值與柵驅動電路阻抗和dV/dt的實際數值有直接關系。IGBT本身的設計對減小C和C的比例非常重要，它可因此減小dV/dt感生電壓幅值。如果dV/dt感生電壓峰值超過IGBT的閥值，Q1產生集電極電流并產生很大的損耗，因為此時集電極到發射極的電壓很高。為了減小dV/dt感生電流和防止器件開通，可采取以下措施：關斷時采用柵極負偏置，可防止電壓峰值超過V，但問題是驅動電路會更復雜。減小IGBT的CGC寄生電容和多晶硅電阻Rg’。減小本征JFET的影響圖3給出了為反向偏置關斷而設計的典型IGBT電容曲線。CRES曲線（及其他曲線）表明一個特性，電容一直保持在較高水平，直到V接近15V，...

由于西門康IGBT模塊供應為MOSFET結構，IGBT的柵極通過一層氧化膜與發射極實現電隔離。由于此氧化膜很薄，其擊穿電一般達到20～30V。因此因靜電而導致柵極擊穿是IGBT失效的常見原因之一。因此使用中要注意以下幾點：1、在使用模塊時，盡量不要用手觸摸驅動端子部分，當必須要觸摸西門康IGBT模塊供應端子時，要先將人體或衣服上的靜電用大電阻接地進行放電后，再觸摸；2、在用導電材料連接模塊驅動端子時，在配線未接好之前請先不要接上模塊；3、盡量在底板良好接地的情況下操作。在應用中有時雖然保證了柵極驅動電壓沒有超過柵極大額定電壓，但柵極連線的寄生電感和柵極與集電極間的電容耦合，也會產生使氧...

***，市場發展的趨勢要求系統的高可靠性，正是這些趨勢是促使焊接雙極模塊發展的背后動力。現在這些模塊有了一個全新的設計結構，焊層更少，采用了角型柵極可控硅以及升級了的彈簧壓接技術，從而提高可靠性并降低了熱電阻。結果是輸出電流增大了10％以上。技術鑒于工業應用中對功率模塊日益增加的功率密度，可靠性和成本效益的要求，功率半導體制造商正不斷努力開發新模塊，這些新模塊在擁有高度可靠性的同時成本也低。新模塊中，DBC襯底和柵極輔助陰極端子之間的電氣連接由彈簧壓力觸點提供。機械設計方面更深入的改變是減少了焊層。由于熱阻減小了，使得輸出電流大，并增強了可靠性。雖然新一代模塊擁有眾多的改進，新SEMI...

圖5為本實用新型實施例提供的溝槽柵結構制作方法的流程圖。圖中：1為多晶硅層，2為氧化層，21為***氧化層，22為第二氧化層，23為**氧化層，3為光刻膠。具體實施方式下面將結合本實用新型實施例中的附圖，對本實用新型實施例中的技術方案進行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實施例**是本實用新型一部分實施例，而不是全部的實施例。基于本實用新型中的實施例，本領域普通技術人員在沒有做出創造性勞動前提下所獲得的所有其他實施例，都屬于本實用新型保護的范圍。圖4示出了本實施例提供的一種溝槽柵igbt示意圖，包括半導體襯底和設置在半導體襯底表面內的兩個溝槽柵結構，兩個溝槽柵結構對稱，溝槽柵結構設置有多...

冷卻體）的選定方法、實際安裝的注意事項7-7第8章并聯連接1.電流分配的阻礙原因8-22.并聯連接方法8-3第9章評價、測定方法1.適用范圍9-12.評價、測定方法9-1Qualityisourmessage第1章構造與特征目錄1.元件的構造與特征1-22.富士電機電子設備技術的IGBT1-33.通過控制門極阻斷過電流1-54.限制過電流功能1-65.模塊的構造，隨著雙極型功率晶體管模塊和功率MOSFET的出現，已經起了很大的變化。這些使用交換元件的各種電力變換器也隨著近年來節能、設備小型化輕量化等要求的提高而急速地發展起來。但是，電力變換器方面的需求，并沒有通過雙極型功率晶體管模塊和...

因此在驅動電路的輸出端給柵極加電壓保護，并聯電阻Rge以及反向串聯限幅穩壓管，如圖4所示。圖4柵極保護電路柵極串聯電阻Rg對IGBT開通過程影響較大。Rg小有利于加快關斷速度，減小關斷損耗，但過小會造成di/dt過大，產生較大的集電極電壓尖峰。根據本設計的具體要求，Rg選取Ω。柵極連線的寄生電感和柵極與射極間的寄生電容耦合，會產生振蕩電壓，所以柵極引線應采用雙絞線傳送驅動信號，并盡可能短，比較好不超過m，以減小連線電感。四路驅動電路光耦與PWM兩路輸出信號的接線如圖5所示。圖5四路驅動電路光耦與PWM的兩路輸出信號的接線實驗波形如圖6所示。圖6a是柵極驅動四路輸出波形。同時測四路驅動波...

本實用新型涉及驅動電路技術領域，具體是風電變流器的igbt驅動電路。背景技術：風電變流器系統電壓690v，一般采用1700v的igbt模塊，大功率igbt模塊開關速度快，產生很高的di/dt和du/dt，帶來emc電磁干擾問題，影響變流器的可靠運行，甚至損壞igbt模塊，為了提高抗干擾能力，有以下兩種解決方案：1）、采用光纖傳遞控制信號，控制電路弱信號與igbt模塊的強信號實現電氣完全隔離，抗干擾能力強，可靠性高，但是光纖成本昂貴；2）、通常采用**的驅動器和驅動芯片，例如風電**驅動器2sd300，采用專業的調制與解調芯片，通過脈沖變壓器傳遞驅動信號，抗干擾能力強，可靠性高，大量應用...

好的磁通密度B在100...發表于2017-11-0616:26?3306次閱讀電動勢和電壓的區別電動勢是對電源而說的，它就是電源將單位正電荷從負極經電源內部移到正極時，非靜電力所做的功。電壓是對一...發表于2017-11-0615:54?342次閱讀關于電磁繼電器二次吸合電壓技術研究當電磁繼電器線圈上電，隨勵磁線圈電流的增大，首先出現一次動靜觸頭的不實閉合（如圖1a），此時彈簧拉力...發表于2017-11-0110:42?347次閱讀tl431的電源改電壓的方法TL431是一個小個頭（如同普通小三極管封裝）而又便宜的可調電壓基準芯片。很多電源都用的TL431來...發表于2017...

在...發表于2017-06-1217:28?875次閱讀電阻電容標準值取值法則及電阻的技術范疇和常見特性如E6系列的公比為6√10≈，系列的***個量取，接下來的量為上臨的量乘以公比值6√10...發表于2017-06-0914:45?504次閱讀基礎知識：伏安法如何取電阻值及電阻色環的取值標準拿到色環電阻要把**靠近電阻端部的那一環認為***環，否則會讀反，如三個環分別是紅橙黃，正確讀是2300...發表于2017-06-0817:15?479次閱讀絕緣電阻該如何測量功率？如何使用兆歐表測量絕緣電...兆歐表的接線柱共有三個：一個為“L”即線端，一個“E”即為地端，再一個“G”即屏...

交直流電壓還可以測量直流電壓。甚至有的萬用表還可以測量晶體管...發表于2018-01-1819:18?3013次閱讀驗證了LCL型濾波器參數設計及光伏并入配電網的逆...從濾波器的原理入手，對單L型和LCL型濾波器原理進行對比分析，在設計方法上，對比傳統的分步設計法，本...發表于2018-01-1716:00?1327次閱讀怎么用示波器測功率本文介紹了怎么用示波器測功率，小編為大家總結了使用示波器執行功率測量的七大秘訣。那么，在測量功率時我...發表于2018-01-1510:55?699次閱讀示波器如何測量直流電壓_示波器測量直流電壓方法示波器測量直流電壓方法有兩種，一種是直接測...