二次離子質(zhì)譜（SIMS）能夠?qū)�金屬材料進(jìn)行深度剖析，精確分析材料表面及內(nèi)部不同深度處的元素組成和同位素分布。該技術(shù)通過用高能離子束轟擊金屬樣品表面，使表面原子濺射出來并離子化，然后通過質(zhì)譜儀對二次離子進(jìn)行分析。在半導(dǎo)體制造中，對于金屬互連材料，SIMS 可用于檢測金屬薄膜中的雜質(zhì)分布以及金屬與半導(dǎo)體界面處的元素擴(kuò)散情況，這對于提高半導(dǎo)體器件的性能和可靠性至關(guān)重要。在金屬材料的腐蝕研究中，SIMS 能夠分析腐蝕產(chǎn)物在材料表面和內(nèi)部的分布，深入了解腐蝕機(jī)制，為開發(fā)更有效的腐蝕防護(hù)方法提供依據(jù)。

輝光放電質(zhì)譜（GDMS）技術(shù)能夠?qū)�金屬材料中的痕量元素進(jìn)行高靈敏度分析。在輝光放電離子源中，氬離子在電場作用下轟擊金屬樣品表面，使樣品原子濺射出來并離子化，然后通過質(zhì)譜儀對離子進(jìn)行質(zhì)量分析，精確測定痕量元素的種類和含量，檢測限可達(dá) ppb 級甚至更低。在半導(dǎo)體制造、航空航天等對材料純度要求極高的行業(yè)，GDMS 痕量元素分析至關(guān)重要。例如在半導(dǎo)體硅材料中，痕量雜質(zhì)元素會嚴(yán)重影響半導(dǎo)體器件的性能，通過 GDMS 精確檢測硅材料中的痕量雜質(zhì)，可嚴(yán)格控制材料質(zhì)量，*半導(dǎo)體器件的高可靠性和高性能。在航空發(fā)動機(jī)高溫合金中，痕量元素對合金的高溫性能也有影響，GDMS 分析為合金成分優(yōu)化提供了關(guān)鍵數(shù)據(jù)。