單向可控硅模塊有陽(yáng)極A、陰極K、控制極G三個(gè)引出腳。雙向可控硅有一陽(yáng)極A1(T1)，二陽(yáng)極A2(T2)、控制極G三個(gè)引出腳。 只有當(dāng)單向可控硅陽(yáng)極A與陰極K之間加有正向電壓，同時(shí)控制極G與陰極間加上所需的正向觸發(fā)電壓時(shí)，方可被觸發(fā)導(dǎo)通。此時(shí)A，新疆雙向可控硅模塊哪家好、K間呈低阻導(dǎo)通狀態(tài)，陽(yáng)極A與陰極K間壓降約1V，新疆雙向可控硅模塊哪家好。

單向可控硅導(dǎo)通后，控制器G即使失去觸發(fā)電壓，只要陽(yáng)極A和陰極K之間仍保持正向電壓，單向可控硅繼續(xù)處于低阻導(dǎo)通狀態(tài)。只有把陽(yáng)極A電壓拆除或陽(yáng)極A、陰極K間電壓極性發(fā)生改變(交流過(guò)零)時(shí)，單向可控硅才由低阻導(dǎo)通狀態(tài)轉(zhuǎn)換為高阻截止?fàn)顟B(tài)。單向可控硅一旦截止，即使陽(yáng)極A和陰極K間又重新加上正向電壓，新疆雙向可控硅模塊哪家好，仍需在控制極G和陰極K間有重新加上正向觸發(fā)電壓方可導(dǎo)通。單向可控硅的導(dǎo)通與截止?fàn)顟B(tài)相當(dāng)于開(kāi)關(guān)的閉合與斷開(kāi)狀態(tài)，用它可制成無(wú)觸點(diǎn)開(kāi)關(guān)。 淄博正高電氣有限公司團(tuán)結(jié)、創(chuàng)新、合作、共贏。新疆雙向可控硅模塊哪家好

可控硅模塊采用陶瓷覆銅工藝，電流承載能力大，熱循環(huán)負(fù)載次數(shù)是國(guó)標(biāo)的進(jìn)10倍，焊接工藝獨(dú)特，絕緣強(qiáng)度高，導(dǎo)熱性能好。可控硅模塊的工作場(chǎng)所應(yīng)干燥、無(wú)腐蝕性氣體、通風(fēng)、無(wú)塵，環(huán)境溫度范圍-25℃--45℃，下面為大家介紹可控硅模塊的安裝步驟：  1、散熱器和風(fēng)機(jī)按通風(fēng)要求裝配于機(jī)箱合適位置。散熱器表面必須平整光潔。在模塊導(dǎo)熱底板與散熱器表面均勻涂覆一層導(dǎo)熱硅脂，然后用螺釘把模塊固定于散熱器上，四個(gè)螺釘用力要均等。

  2、用接線端頭環(huán)帶將銅線扎緊，浸錫，套上絕緣熱縮管，用熱風(fēng)或熱水加熱收縮，導(dǎo)線截面積按電流密度<4A/mm2選取，禁止將銅線直接壓接在可控硅模塊電極上。

  3、 將接線端頭平放于可控硅模塊電極上用螺釘緊固，保持良好的平面壓力接觸。

  4、可控硅模塊的電極易掀起折斷，接線時(shí)應(yīng)防止重力將電極拉起折斷。 新疆雙向可控硅模塊哪家好淄博正高電氣有限公司深受各界客戶好評(píng)及厚愛(ài)。

可控硅模塊的操控端口與操控線

可控硅模塊操控端接口有5腳、9腳和15腳三種辦法，別離對(duì)應(yīng)于5芯、9芯、15芯的操控線。選用電壓信號(hào)的商品只用前五腳端口，其他為空腳，選用電流信號(hào)的9腳為信號(hào)輸入，操控線的屏蔽層銅線應(yīng)焊接到直流電源地線上,聯(lián)接時(shí)注意不要同其它的端子短路,避免不能正常作業(yè)或能夠燒壞模塊。

可控硅模塊操控端口插座和操控線插座上都有編號(hào)，請(qǐng)一一對(duì)應(yīng)，不要接反。以上六個(gè)端口為模塊根柢端口，其它端口為分外端口，只在具有多功用商品中運(yùn)用，一般調(diào)壓商品其他腳為空腳。

可控硅模塊規(guī)格的選擇方法：考慮到可控硅產(chǎn)品一般為非正弦電流，存在導(dǎo)通角問(wèn)題，負(fù)載電流存在一些波動(dòng)和不穩(wěn)定因素，晶閘管芯片抗電流沖擊能力差，在選擇模塊電流規(guī)格時(shí)必須留出一定的裕度。

推薦選擇方法可按照以下公式計(jì)算：I＞K×I負(fù)載×U∕U實(shí)際

K ：安全系數(shù)，阻性負(fù)載K= 1.5，感性負(fù)載K= 2；

I負(fù)載：負(fù)載流過(guò)的強(qiáng)大電流； U實(shí)際：負(fù)載上的小電壓；

U強(qiáng)大 模塊能輸出的強(qiáng)大電壓；（三相整流模塊為輸入電壓的1.35倍，單相整流模塊為輸入電壓的0.9倍，其余規(guī)格均為1.0倍）；

I：需要選擇模塊的小電流,模塊標(biāo)稱的電流必須大于該值。 淄博正高電氣有限公司以質(zhì)量求生存，以信譽(yù)求發(fā)展！

過(guò)電壓會(huì)對(duì)可控硅模塊造成損壞，如果要想保護(hù)可控硅不受其損壞，就要了解過(guò)電壓的產(chǎn)生原因，從而去避免防止受損，下面正高電氣就來(lái)講講過(guò)電壓會(huì)對(duì)可控硅模塊造成怎樣的損壞？以及過(guò)電壓產(chǎn)生的原因。

可控硅模塊對(duì)過(guò)電壓非常敏感，當(dāng)正向電壓超過(guò)udrm值時(shí)，可控硅會(huì)誤導(dǎo)并導(dǎo)致電路故障；當(dāng)施加的反向電壓超過(guò)urrm值時(shí)，可控硅模塊會(huì)立即損壞。因此，需要研究過(guò)電壓產(chǎn)生的原因和過(guò)電壓的方法。

過(guò)電壓主要是由于供電電源或系統(tǒng)儲(chǔ)能的急劇變化，使系統(tǒng)轉(zhuǎn)換太晚，或是系統(tǒng)中原本積聚的電磁能量消散太晚。主要研究發(fā)現(xiàn)，由于外界沖擊引起的過(guò)電壓主要有兩種類型，如雷擊和開(kāi)關(guān)開(kāi)啟和關(guān)閉引起的沖擊電壓。雷擊或高壓斷路器動(dòng)作產(chǎn)生的過(guò)電壓是幾微秒到幾毫秒的電壓尖峰，對(duì)可控硅模塊非常危險(xiǎn)。

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可控硅模塊的分類可控硅模塊從X芯片上看，可以分為可控模塊和整流模塊兩大類，從具體的用途上區(qū)分，可以分為：普通晶閘管模塊（MTC\MTX）、普通整流管模塊（MDC）、普通晶閘管、整流管混合模塊（MFC）、快速晶閘管、整流管及混合模塊（MKC\MZC）、非絕緣型晶閘管、整流管及混合模塊（也就是通常所說(shuō)的電焊機(jī)專用模塊MTG\MDG）、三相整流橋輸出可控硅模塊（MDS）、單相（三相）整流橋模塊（MDQ）、單相半控橋（三相全控橋）模塊（MTS）以及肖特基模塊等。新疆雙向可控硅模塊哪家好

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