一種以硅單晶為基本材料的P1N1P2N2四層三端器件，創(chuàng)制于1957年，由于它特性類似于真空閘流管，所以國際上通稱為硅晶體閘流管，簡稱晶閘管T。又由于晶閘管開始應(yīng)用于可控整流方面所以又稱為硅可控整流元件，簡稱為可控硅SCR。
在性能上，可控硅不僅具有單向?qū)щ娦裕疫�具有比硅整流元件(俗稱“死硅”)更為可貴的可控性。它只有導(dǎo)通和關(guān)斷兩種狀態(tài)。
可控硅能以毫安級電流控制大功率的機(jī)電設(shè)備，如果超過此頻率，因元件開關(guān)損耗明顯增加，允許通過的平均電流相降低，此時，標(biāo)稱電流應(yīng)降級使用。
可控硅的優(yōu)點很多，例如：以小功率控制大功率，功率放大倍數(shù)高達(dá)幾十萬倍;反應(yīng)極快，在微秒級內(nèi)開通、關(guān)斷;無觸點運(yùn)行，無火花、無噪音;效率高，成本低等等，福建可控硅模塊配件，福建可控硅模塊配件，福建可控硅模塊配件。
可控硅的弱點：靜態(tài)及動態(tài)的過載能力較差;容易受干擾而誤導(dǎo)通。
可控硅從外形上分類主要有：螺栓形、平板形和平底形。 淄博正高電氣有限公司傾城服務(wù)，確保產(chǎn)品質(zhì)量無后顧之憂。福建可控硅模塊配件
可控硅模塊采用陶瓷覆銅工藝，電流承載能力大，熱循環(huán)負(fù)載次數(shù)是國標(biāo)的進(jìn)10倍，焊接工藝獨特，絕緣強(qiáng)度高，導(dǎo)熱性能好。可控硅模塊的工作場所應(yīng)干燥、無腐蝕性氣體、通風(fēng)、無塵，環(huán)境溫度范圍-25℃--45℃，下面為大家介紹可控硅模塊的安裝步驟： 1、散熱器和風(fēng)機(jī)按通風(fēng)要求裝配于機(jī)箱合適位置。散熱器表面必須平整光潔。在模塊導(dǎo)熱底板與散熱器表面均勻涂覆一層導(dǎo)熱硅脂，然后用螺釘把模塊固定于散熱器上，四個螺釘用力要均等。
2、用接線端頭環(huán)帶將銅線扎緊，浸錫，套上絕緣熱縮管，用熱風(fēng)或熱水加熱收縮，導(dǎo)線截面積按電流密度<4A/mm2選取，禁止將銅線直接壓接在可控硅模塊電極上。
3、 將接線端頭平放于可控硅模塊電極上用螺釘緊固，保持良好的平面壓力接觸。
4、可控硅模塊的電極易掀起折斷，接線時應(yīng)防止重力將電極拉起折斷。 吉林反并聯(lián)可控硅模塊廠家淄博正高電氣有限公司擁有業(yè)內(nèi)權(quán)威人士和高技術(shù)人才。
您知道可控硅模塊的導(dǎo)通條件是什么嗎？
可控硅模塊導(dǎo)通的條件是陽極承受正電壓，只有當(dāng)正向觸發(fā)電壓時，可控硅才能導(dǎo)通。由門級施加的正向觸發(fā)脈沖的較小寬度應(yīng)使陽極電流達(dá)到維持直通狀態(tài)所需的較小的陽極電流，即高于電流IL。可控硅導(dǎo)通后的電壓降很小。
接通可控硅模塊的條件是將流過可控硅模塊的電流減小到較小的值，即保持電流IH。有兩種方法：
1.將正極電壓降低至數(shù)值，或添加反向陽極電壓。
2.增加負(fù)載電路中的電阻。
以上是可控硅模塊的導(dǎo)通狀態(tài)，希望能幫助您
雙向可控硅晶閘管使用中，應(yīng)特別注意以下事項：
1.靈敏度
雙向可控硅是一個三端元件，但我們不再稱其兩極為陰陽極，而是稱作T1和T2極，G為控制極，其控制極上所加電壓無論為正向觸發(fā)脈沖或負(fù)向觸發(fā)脈沖均可使控制極導(dǎo)通，但是觸發(fā)靈敏度互不相同，即保證雙向可控硅能進(jìn)入導(dǎo)通狀態(tài)的較小門極電流IGT是有區(qū)別的。
2.可控硅過載的保護(hù)
可控硅元件優(yōu)點很多，但是它過載能力差，短時間的過流，過壓都會造成元件損壞，因此為保證元件正常工作，需有條件：
（1）外加電壓下允許超過正向轉(zhuǎn)折電壓，否則控制極將不起作用；
（2）可控硅的通態(tài)平均電流從安全角度考慮一般按較大電流的1.5~2倍來取；
（3）為保證控制極可靠觸發(fā)，加到控制極的觸發(fā)電流一般取大于其額值，除此以外，還必須采取保護(hù)措施，一般對過流的保護(hù)措施是在電路中串入快速熔斷器，其額定電流取可控硅電流平均值的1.5倍左右，其接入的位置可在交流側(cè)或直流側(cè)，當(dāng)在交流側(cè)時額定電流取大些，一般多采用前者，過電壓保護(hù)常發(fā)生在存在電感的電路上，或交流側(cè)出現(xiàn)干擾的浪涌電壓或交流側(cè)的暫態(tài)過程產(chǎn)生的過壓。由于，過電壓的尖峰高，作用時間短，常采用電阻和電容吸收電路加以。
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斷一個可控硅元件是否完好，工程師需要從四個方面進(jìn)行檢查，首先是判斷該元件的三個PN結(jié)應(yīng)完好，其次是當(dāng)陰極與陽極間電壓反向連接時能夠阻斷不導(dǎo)通，第三是當(dāng)控制極開路時，陽極與陰極間的電壓正向連接時也不導(dǎo)通，第四是給控制極加上正向電流，給陰極與陽極加正向電壓時，可控硅應(yīng)當(dāng)導(dǎo)通，把控制極電流去掉后仍處于導(dǎo)通狀態(tài)。滿足以上四個條件的可控硅元件，才是符合設(shè)計使用要求的。
想要看一個可控硅元件是否符合以上要求，其實非常簡單，只需要用萬用表的歐姆擋測量可控硅的極間電阻，就可對前三個方面的好壞進(jìn)行判斷。具體的操作方法是：用R×1k或R×10k擋測陰極與陽極之間的正反向電阻(控制極不接電壓)，此兩個阻值均應(yīng)很大。電阻值越大，表明正反向漏電電流愈小。如果測得的阻值很低，或近于無窮大，說明可控硅已經(jīng)擊穿短路或已經(jīng)開路，此可控硅不能使用了。 淄博正高電氣有限公司真誠希望與您攜手、共創(chuàng)輝煌。吉林反并聯(lián)可控硅模塊廠家
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可控硅模塊的分類：
1、以關(guān)斷、導(dǎo)通及控制方式來分類：可控硅按其關(guān)斷、導(dǎo)通及控制方式可分為普通可控硅、雙向可控硅、逆導(dǎo)可控硅、門極關(guān)斷可控硅（GTO）、BTG可控硅、溫控可控硅和光控可控硅等多種。
2、以引腳和極性來分類：可控硅按其引腳和極性可分為二極可控硅、三極可控硅和四極可控硅。
3、以封裝形式來分類：可控硅按其封裝形式可分為金屬封裝可控硅、塑封可控硅和陶瓷封裝可控硅三種類型。其中，金屬封裝可控硅又分為螺栓形、平板形、圓殼形等多種；塑封可控硅又分為帶散熱片型和不帶散熱片型兩種。
4、以電流容量來分類：可控硅按電流容量可分為大功率可控硅、中功率可控硅和小功率可控硅三種。通常，大功率可控硅多采用金屬殼封裝，而中、小功率可控硅則多采用塑封或陶瓷封裝。
5、以關(guān)斷速度來分類：可控硅按其關(guān)斷速度可分為普通可控硅和高頻（快速）可控硅。
6、過零觸發(fā)，一般是調(diào)功，即當(dāng)正弦交流電交流電電壓相位過零點觸發(fā)，必須是過零點才觸發(fā)，導(dǎo)通可控硅參數(shù)介紹
7、非過零觸發(fā)，無論交流電電壓在什么相位的時候都可觸發(fā)導(dǎo)通可控硅，常見的是移相觸發(fā)。
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