發(fā)貨地點(diǎn):山東省淄博市
發(fā)布時(shí)間:2024-07-26
可控硅模塊的應(yīng)用領(lǐng)域
可控硅模塊應(yīng)用于溫度控制、調(diào)光、勵(lì)磁、電鍍、電解、充放電、電焊機(jī)、等離子弧、逆變電源等需要調(diào)節(jié)和改變電能的場(chǎng)合,如工業(yè)、通信、電力系統(tǒng)、電力系統(tǒng)等及其它各種電控、電源等,根據(jù)此也可通過模塊的控制端口與多功能控制板相連,完成電流穩(wěn)定、電壓穩(wěn)定和軟啟動(dòng)。并可結(jié)束過流、過電壓、過溫、缺乏平衡維護(hù)功能。
可控硅模塊由于它在電路應(yīng)用中的效率高、控制特性好、壽命長(zhǎng)、體積小、功能強(qiáng)等優(yōu)點(diǎn),自上個(gè)世紀(jì)六十長(zhǎng)代以來,日照大功率可控硅模塊生產(chǎn)廠家,獲得了迅猛發(fā)展,日照大功率可控硅模塊生產(chǎn)廠家,并已形成了一門獨(dú)立的學(xué)科。
可控硅模塊發(fā)展到現(xiàn)在,日照大功率可控硅模塊生產(chǎn)廠家,在工藝上已經(jīng)非常成熟,品質(zhì)更好,成品率大幅提高,并向高壓大電流發(fā)展。
可控硅模塊規(guī)格的選擇方法:考慮到可控硅產(chǎn)品一般為非正弦電流,存在導(dǎo)通角問題,負(fù)載電流存在一些波動(dòng)和不穩(wěn)定因素,晶閘管芯片抗電流沖擊能力差,在選擇模塊電流規(guī)格時(shí)必須留出一定的裕度。
選擇方法可按照以下公式計(jì)算:I>K×I負(fù)載×U∕U實(shí)際
K :安全系數(shù),阻性負(fù)載K= 1.5,感性負(fù)載K= 2;
I負(fù)載:負(fù)載流過的強(qiáng)大電流; U實(shí)際:負(fù)載上的小電壓;
U強(qiáng)大 模塊能輸出的強(qiáng)大電壓;(三相整流模塊為輸入電壓的1.35倍,單相整流模塊為輸入電壓的0.9倍,其余規(guī)格均為1.0倍);
I:需要選擇模塊的小電流,模塊標(biāo)稱的電流必須大于該值。
可控硅模塊的特性
單向晶閘管模塊具有其獨(dú)特的特性:當(dāng)陽連接到反向電壓時(shí),或陽連接到正向電壓時(shí),但控制不增加電壓,則不會(huì)導(dǎo)通,當(dāng)陽和控制同時(shí)連接到正向電壓時(shí),將變?yōu)榻油顟B(tài)。一旦接通,控制電壓將失去控制作用。無論有無控制電壓,無論控制電壓的性如何,都將始終處于接通狀態(tài)。若要關(guān)閉,只能將陽電壓降到某個(gè)臨界值或反向。
雙向晶閘管模塊的管腳大多按T1、T2和G的順序從左到右排列(當(dāng)電管腳朝著帶有字符的一側(cè)向下時(shí))。當(dāng)改變施加到控制G的觸發(fā)脈沖的大小或時(shí)間時(shí),其接通電流的大小可以改變。