上海大載機電有限公司2025-06-06
通過三項關鍵技術:①單晶硅傳感芯片(年漂移<0.1%FS);②激光焊接密封(氦泄漏率<1×10??mbar·L/s);③150℃老煉處理(持續72小時)。出廠前進行1000次壓力循環測試,確保10年內精度不超差。
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