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江西負性光刻膠報價

來源： 發布時間：2025-06-16

吉田半導體 SU-3 負性光刻膠：國產技術賦能 5G 芯片封裝

自主研發 SU-3 負性光刻膠支持 3 微米厚膜加工，成為 5G 芯片高密度封裝材料。
針對 5G 芯片封裝需求，吉田半導體自主研發 SU-3 負性光刻膠，分辨率達 1.5μm，抗深蝕刻速率 > 500nm/min。其超高感光度與耐化學性確保復雜圖形的完整性，已應用于高通 5G 基帶芯片量產。產品采用國產原材料與工藝，不采用國外材料，成本較進口產品降低 40%，幫助客戶提升封裝良率至 98.5%，為國產 5G 芯片制造提供關鍵材料支撐。
吉田半導體光刻膠，45nm 制程驗證，國產替代方案！江西負性光刻膠報價

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光刻膠的工作原理：
1. 涂覆與曝光：在基底（如硅片、玻璃、聚合物）表面均勻涂覆光刻膠，通過掩膜（或直接電子束掃描）對特定區域曝光。

2. 化學變化：曝光區域的光刻膠發生光化學反應（正性膠曝光后溶解，負性膠曝光后交聯不溶）。

3. 顯影與刻蝕：溶解未反應的部分，留下圖案化的膠層，作為后續刻蝕或沉積的掩模，將圖案轉移到基底上。

在納米技術中，關鍵挑戰是突破光的衍射極限（λ/2），因此需依賴高能束曝光技術（如電子束光刻、極紫外EUV光刻）和高性能光刻膠（高分辨率、低缺陷）。

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“設備-材料-工藝”閉環驗證
吉田半導體與中芯國際、華虹半導體等晶圓廠建立了聯合研發機制，針對28nm及以上成熟制程開發專門使用光刻膠，例如其KrF光刻膠已通過中芯國際北京廠的產線驗證，良率達95%以上。此外，公司參與國家重大專項（如02專項），與中科院微電子所合作開發EUV光刻膠基礎材料，雖未實現量產，但在酸擴散控制和靈敏度優化方面取得階段性突破。

政策支持與成本優勢
作為廣東省專精特新企業，吉田半導體享受稅收優惠（如15%企業所得稅）和研發補貼（2023年獲得國家補助超2000萬元），比較明顯降低產品研發成本。同時，其本地化生產（東莞松山湖基地）可將物流成本壓縮至進口產品的1/3，并實現48小時緊急訂單響應，這對中小客戶具有吸引力。

國產替代進程加速
日本信越化學因地震導致KrF光刻膠產能受限后，國內企業加速驗證本土產品。鼎龍股份潛江工廠的KrF/ArF產線2024年12月獲兩家大廠百萬大單，二期300噸生產線在建。武漢太紫微的T150A光刻膠性能參數接近日本UV1610，已通過中芯國際14nm工藝驗證。預計到2025年，國內KrF/ArF光刻膠國產化率將從不足5%提升至10%。

 原材料國產化突破
光刻膠樹脂占成本50%-60%，八億時空的光刻膠樹脂產線預計2025年實現百噸級量產，其產品純度達到99.999%，金屬雜質含量低于1ppb。怡達股份作為全球電子級PM溶劑前段（市占率超40%），與南大光電合作開發配套溶劑，打破了日本關東化學的壟斷。這些進展使光刻膠生產成本降低約20%。

 供應鏈風險緩解
合肥海關通過“空中專線”保障光刻膠運輸，將進口周期從28天縮短至17天，碳排放減少18%。國內在建12座光刻膠工廠（占全球總數58%），預計2025年產能達3000噸/年，較2023年增長150%。
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光刻膠（Photoresist）是一種對光敏感的高分子材料，主要用于光刻工藝中，通過光化學反應實現圖案的轉移，是半導體、集成電路（IC）、印刷電路板（PCB）、液晶顯示（LCD）等制造領域的材料之一。

光刻膠特性與組成

? 光敏性：在特定波長（如紫外光、極紫外光EUV等）照射下，會發生化學結構變化（如交聯或分解），從而改變在顯影液中的溶解性。

? 主要成分：

? 樹脂（成膜劑）：形成基礎膜層，決定光刻膠的機械和化學性能。

? 光敏劑：吸收光能并引發化學反應（如光分解、光交聯）。

? 溶劑：調節粘度，便于涂覆成膜。

? 添加劑：改善性能（如感光度、分辨率、對比度等）。
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政策支持：500億加碼產業鏈。江西負性光刻膠報價

廣東吉田半導體材料有限公司多種光刻膠產品，主要涵蓋厚板、負性、正性、納米壓印及光刻膠等類別，以滿足不同領域的需求。

UV 納米壓印光刻膠：JT-2000 型號，耐強酸強堿，耐高溫達 250°C，長期可靠性高，粘接強度高，重量 100g。適用于需要在特殊化學和高溫環境下進行納米壓印光刻的工藝，如半導體器件制造。

其他光刻膠

  • 水油光刻膠 JT-2001：屬于水油兩用光刻膠，具有工廠研發、可定制、使用、品質保障、性能穩定的特點，重量 1L。
  • 水油光刻膠 SR-3308：同樣為水油兩用光刻膠，重量 5L，具備上述通用優勢，應用場景。


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標簽： 錫片 錫膏 光刻膠