大尺寸晶圓的高效處理：Polos-BESM XL的優勢！Polos-BESM XL Mk2專為6英寸晶圓設計，寫入區域達155×155 mm，平臺重復性精度0.1 μm，滿足工業級需求。搭配20x/0.75 NA尼康物鏡和120 FPS高清攝像頭，實時觀測與多層對準功能使其成為光子晶體和柔性電子器件研究的理想工具。其BEAM Xplorer軟件簡化復雜圖案設計，內置高性能筆記本實現快速數據處理62。無掩模激光光刻 (MLL) 是一種微加工技術，用于在基板上以高精度和高分辨率創建復雜圖案。一個新加坡研究團隊通過無縫集成硬件和軟件組件，開發出一款緊湊且經濟高效的 MLL 系統。通過與計算機輔助設計軟件無縫集成，操作員可以輕松輸入任意圖案進行曝光。該系統占用空間小，非常適合研究實驗室，并broad應用于微流體、電子學和納/微機械系統等各個領域。該系統的經濟高效性使其優勢擴展到大學研究實驗室以外的領域，為半導體和醫療公司提供了利用其功能的機會。亞微米級精度：0.8 μmmost小線寬，支持高精度微流體芯片與MEMS器件制造。河北光刻機基材厚度可達到0.1毫米至8毫米

某能源研究團隊采用 Polos 光刻機制造了壓電式微型能量收集器。其激光直寫技術在 PZT 薄膜上刻制出 50μm 的叉指電極，器件的能量轉換效率達 35%，在 10Hz 振動下可輸出 50μW/cm2 的功率。通過自定義電極間距和厚度，該收集器可適配不同頻率的環境振動，在智能穿戴設備中實現了運動能量的實時采集與存儲。其輕量化設計（體積 < 1mm3）還被用于物聯網傳感器節點，使傳感器續航時間從 3 個月延長至 2 年。無掩模激光光刻 (MLL) 是一種微加工技術，用于在基板上以高精度和高分辨率創建復雜圖案。一個新加坡研究團隊通過無縫集成硬件和軟件組件，開發出一款緊湊且經濟高效的 MLL 系統。通過與計算機輔助設計軟件無縫集成，操作員可以輕松輸入任意圖案進行曝光。該系統占用空間小，非常適合研究實驗室，并broad應用于微流體、電子學和納/微機械系統等各個領域。該系統的經濟高效性使其優勢擴展到大學研究實驗室以外的領域，為半導體和醫療公司提供了利用其功能的機會。北京光刻機MAX層厚可達到10微米納 / 微機械：亞微米級結構加工，微型齒輪精度達 ±50nm，推動微機電系統創新。

Polos光刻機與德國Lab14集團、弗勞恩霍夫研究所等機構合作，推動光子集成與半導體封裝技術發展。例如，Quantum X align系統的高對準精度（100 nm）為光通信芯片提供可靠解決方案，彰顯德國精密制造與全球產業鏈整合的優勢。無掩模激光光刻 (MLL) 是一種微加工技術，用于在基板上以高精度和高分辨率創建復雜圖案。一個新加坡研究團隊通過無縫集成硬件和軟件組件，開發出一款緊湊且經濟高效的 MLL 系統。通過與計算機輔助設計軟件無縫集成，操作員可以輕松輸入任意圖案進行曝光。該系統占用空間小，非常適合研究實驗室，并broad應用于微流體、電子學和納/微機械系統等各個領域。該系統的經濟高效性使其優勢擴展到大學研究實驗室以外的領域，為半導體和醫療公司提供了利用其功能的機會。

針對碳化硅（SiC）功率模塊的柵極刻蝕難題，Polos 光刻機的激光直寫技術實現了 20nm 的邊緣粗糙度控制，較傳統光刻膠工藝提升 5 倍。某新能源汽車芯片廠商利用該設備，將 SiC MOSFET 的導通電阻降低 15%，開關損耗減少 20%，推動車載逆變器效率突破 99%。其靈活的圖案編輯功能支持快速驗證新型柵極結構，使器件研發周期從 12 周壓縮至 4 周，助力我國在第三代半導體領域實現彎道超車。無掩模激光光刻 (MLL) 是一種微加工技術，用于在基板上以高精度和高分辨率創建復雜圖案。一個新加坡研究團隊通過無縫集成硬件和軟件組件，開發出一款緊湊且經濟高效的 MLL 系統。通過與計算機輔助設計軟件無縫集成，操作員可以輕松輸入任意圖案進行曝光。該系統占用空間小，非常適合研究實驗室，并broad應用于微流體、電子學和納/微機械系統等各個領域。該系統的經濟高效性使其優勢擴展到大學研究實驗室以外的領域，為半導體和醫療公司提供了利用其功能的機會。生物界面創新：微納結構可控加工，為組織工程提供新型仿生材料解決方案。

對于納 / 微機械系統的研究與制造，德國 Polos 光刻機系列展現出強大實力。無掩模激光光刻技術賦予它高度的靈活性，科研人員能夠快速將創新設計轉化為實際器件。在制造微型齒輪、納米級懸臂梁等微機械結構時，Polos 光刻機可precise控制激光，確保每個部件的尺寸和形狀都符合設計要求。? 借助該光刻機，科研團隊成功研發出新型微機械傳感器，其靈敏度和響應速度遠超傳統產品。并且，由于系統占用空間小，即使是小型實驗室也能輕松引入。Polos 光刻機以其低成本、高效率的特性，成為納 / 微機械系統領域的制造先鋒，助力科研人員不斷探索微納世界的奧秘。無掩模技術優勢：摒棄傳統掩模，圖案設計實時調整，研發成本直降 70%。北京光刻機MAX層厚可達到10微米

技術Benchmark：Polos-μPrinter 入選《半導體技術》年度創新產品，推動無掩模光刻技術普及。河北光刻機基材厚度可達到0.1毫米至8毫米

無掩模激光光刻技術為研究實驗室提供了一種多功能的納米/微米光刻工具，可用于創建亞微米級特征，并促進電路和器件的快速原型設計。經濟高效的桌面配置使研究人員和行業從業者無需復雜的基礎設施和設備即可使用光刻技術。應用范圍擴展至微機電系統 (MEM)、生物醫學設備和微電子器件的設計和制造，例如以下領域：醫療（包括微流體）、半導體、電子、生物技術和生命科學、先進材料研究。全球無掩模光刻系統市場規模預計在 2022 年達到 3.3606 億美元，預計到 2028 年將增長至 5.0143 億美元，復合年增長率為 6.90%。由于對 5G、AIoT、物聯網以及半導體電路性能和能耗優化的需求不斷增長，預計未來幾十年光刻市場將持續增長。河北光刻機基材厚度可達到0.1毫米至8毫米