某人工智能芯片公司利用 Polos 光刻機開發了基于阻變存儲器（RRAM）的存算一體架構。其激光直寫技術在 10nm 厚度的 HfO?介質層上實現了 5nm 的電極邊緣控制，器件的電導均勻性提升至 95%，計算能效比達 10TOPS/W，較傳統 GPU 提升兩個數量級。基于該技術的邊緣 AI 芯片，在圖像識別任務中能耗降低 80%，推理速度提升 3 倍，已應用于智能攝像頭和無人機避障系統，相關芯片出貨量突破百萬片。無掩模激光光刻 (MLL) 是一種微加工技術，用于在基板上以高精度和高分辨率創建復雜圖案。一個新加坡研究團隊通過無縫集成硬件和軟件組件，開發出一款緊湊且經濟高效的 MLL 系統。通過與計算機輔助設計軟件無縫集成，操作員可以輕松輸入任意圖案進行曝光。該系統占用空間小，非常適合研究實驗室，并broad應用于微流體、電子學和納/微機械系統等各個領域。該系統的經濟高效性使其優勢擴展到大學研究實驗室以外的領域，為半導體和醫療公司提供了利用其功能的機會。未來技術儲備：持續研發光束整形與多材料兼容工藝，lead微納制造前沿。安徽德國PSP-POLOS光刻機MAX層厚可達到10微米

某智能機器人實驗室采用 Polos 光刻機制造了磁控微納機器人。其激光直寫技術在鎳鈦合金薄膜上刻制出 10μm 的螺旋槳結構，機器人在旋轉磁場下的推進速度達 50μm/s，轉向精度小于 5°。通過自定義三維運動軌跡，該機器人在微流控芯片中成功實現了單個紅細胞的捕獲與轉運，操作成功率從傳統方法的 40% 提升至 85%。其輕量化設計（質量 < 1μg）還支持在活細胞表面進行納米級手術，相關成果入選《Science Robotics》年度創新技術。無掩模激光光刻 (MLL) 是一種微加工技術，用于在基板上以高精度和高分辨率創建復雜圖案。一個新加坡研究團隊通過無縫集成硬件和軟件組件，開發出一款緊湊且經濟高效的 MLL 系統。通過與計算機輔助設計軟件無縫集成，操作員可以輕松輸入任意圖案進行曝光。該系統占用空間小，非常適合研究實驗室，并broad應用于微流體、電子學和納/微機械系統等各個領域。該系統的經濟高效性使其優勢擴展到大學研究實驗室以外的領域，為半導體和醫療公司提供了利用其功能的機會。江蘇德國PSP-POLOS光刻機可以自動聚焦波長環保低能耗設計：固態光源能耗較傳統設備降低30%，符合綠色實驗室標準。

無掩模激光光刻技術為研究實驗室提供了一種多功能的納米/微米光刻工具，可用于創建亞微米級特征，并促進電路和器件的快速原型設計。經濟高效的桌面配置使研究人員和行業從業者無需復雜的基礎設施和設備即可使用光刻技術。應用范圍擴展至微機電系統 (MEM)、生物醫學設備和微電子器件的設計和制造，例如以下領域：醫療（包括微流體）、半導體、電子、生物技術和生命科學、先進材料研究。全球無掩模光刻系統市場規模預計在 2022 年達到 3.3606 億美元，預計到 2028 年將增長至 5.0143 億美元，復合年增長率為 6.90%。由于對 5G、AIoT、物聯網以及半導體電路性能和能耗優化的需求不斷增長，預計未來幾十年光刻市場將持續增長。

Polos系列通過無掩模技術減少化學廢料產生，同時低能耗設計（如固態激光光源）符合綠色實驗室標準。例如，其光源系統較傳統DUV光刻機能耗降低30%，助力科研機構實現碳中和目標。無掩模激光光刻 (MLL) 是一種微加工技術，用于在基板上以高精度和高分辨率創建復雜圖案。一個新加坡研究團隊通過無縫集成硬件和軟件組件，開發出一款緊湊且經濟高效的 MLL 系統。通過與計算機輔助設計軟件無縫集成，操作員可以輕松輸入任意圖案進行曝光。該系統占用空間小，非常適合研究實驗室，并broad應用于微流體、電子學和納/微機械系統等各個領域。該系統的經濟高效性使其優勢擴展到大學研究實驗室以外的領域，為半導體和醫療公司提供了利用其功能的機會。高頻元件驗證：成功開發射頻器件與IDC電容器，加速國產芯片產業鏈突破。

德國 Polos 光刻機系列是電子學領域不可或缺的精密設備。其無掩模激光光刻技術，讓電路圖案曝光不再受限于掩模，能夠實現超高精度的圖案繪制。在芯片研發過程中，Polos 光刻機可precise刻畫出納米級別的電路結構，為芯片性能提升奠定基礎。? 科研團隊使用 Polos 光刻機，成功開發出更高效的集成電路，降低芯片能耗，提高運算速度。而且，該光刻機可輕松輸入任意圖案，滿足不同電子元件的多樣化設計需求。無論是新型傳感器的電路制作，還是微型處理器的研發，Polos 光刻機都能以高精度、低成本的優勢，為電子學領域的科研成果產出提供有力保障，推動電子技術不斷創新。工業4.0協同創新：與弗勞恩霍夫ILT合作優化激光能量分布，提升制造精度。安徽光刻機MAX基材尺寸4英寸到6英寸

光束引擎高速掃描：SPS POLOS μ單次寫入400 μm區域，壓電驅動提升掃描速度。安徽德國PSP-POLOS光刻機MAX層厚可達到10微米

Polos-BESM XL Mk2專為6英寸晶圓設計，寫入區域達155×155 mm，平臺雙向重復性精度0.1 μm，滿足工業級需求。其搭載20x/0.75 NA尼康物鏡和120 FPS高清攝像頭，支持實時觀測與多層對準。配套的BEAM Xplorer軟件簡化了復雜圖案設計流程，內置高性能筆記本電腦實現快速數據處理，成為微機電系統（MEMS）和光子晶體研究的理想工具。無掩模光刻技術可以隨意進行納米級圖案化，無需使用速度慢且昂貴的光罩。這種便利對于科研和快速原型制作非常有用。POL0S@ Beam XL在性能上沒有任何妥協的情況下，將該技術帶到了桌面上，進一步提升了其優勢。安徽德國PSP-POLOS光刻機MAX層厚可達到10微米