針對第三代半導體材料（SiC/GaN）的減薄需求，優普納砂輪適配6吋、8吋晶圓，滿足襯底片粗磨、精磨全流程。以東京精密HRG200X設備為例，6吋SiC線割片采用2000#砂輪粗磨，磨耗比只15%，Ra≤30nm；精磨使用30000#砂輪，磨耗比120%，Ra≤3nm，TTV穩定在2μm以下。DISCO設備案例中，8吋晶圓精磨后TTV≤2μm，適配性強，可替代日本、德國進口產品。江蘇優普納科技有限公司專業生產砂輪，品質有保證，歡迎您的隨時致電咨詢，為您提供滿意的產品以及方案。通過多孔顯微組織調控技術，砂輪在DISCO-DFG8640減薄機上加工8吋SiC線割片 磨耗比30%，Ra≤30nm TTV≤3μm。半導體磨削砂輪行業

江蘇優普納科技有限公司的精磨減薄砂輪具備一系列優越的產品特性，使其在市場中脫穎而出。首先是高耐磨性，砂輪所選用的磨粒，如針對第三代半導體材料的金剛石磨粒，具有極高的硬度和化學穩定性，能夠在長時間、強度高的磨削過程中保持磨粒的形狀和鋒利度，明顯延長了砂輪的使用壽命。以SiC晶圓減薄為例，相比傳統砂輪，優普納的產品可明顯降低砂輪的更換頻率，提高生產效率，降低生產成本。其次是高精度磨削能力，通過精確控制磨粒粒度分布和結合劑性能，砂輪能夠實現納米級別的磨削精度，確保加工后的晶圓表面粗糙度極低，平面度極高，滿足半導體制造等領域對工件表面質量的嚴格要求。再者，砂輪具有良好的自銳性，在磨削過程中，當磨粒磨損到一定程度時，結合劑能及時釋放磨粒，新的鋒利磨粒迅速參與磨削，保證了磨削效率的穩定性，避免因磨粒鈍化導致的加工質量下降和效率降低。同時，優普納的精磨減薄砂輪還具備出色的散熱性能，在高速磨削過程中，能有效將磨削產生的熱量帶走，減少因熱變形對工件精度的影響，全方面保障了加工過程的穩定性和產品質量的可靠性。半導體磨削砂輪行業從研發到生產，優普納科技始終專注于提升碳化硅晶圓減薄砂輪的性能，以滿足不斷發展第三代半導體產業需求。

江蘇優普納科技有限公司：強度高微晶增韌陶瓷結合劑通過優化陶瓷相分布，提升砂輪抗沖擊性，減少磨粒脫落；多孔顯微組織調控技術增強冷卻液滲透效率，降低磨削熱損傷。兩項技術結合使砂輪壽命延長30%，磨削效率提升25%，尤其適用于高硬度SiC晶圓加工。實際案例顯示，在DISCO-DFG8640設備上，8吋晶圓精磨磨耗比達200%，遠優于行業平均水平。江蘇優普納科技有限公司專業生產砂輪，品質有保證，歡迎您的隨時致電咨詢，為您提供滿意的產品以及方案。

江蘇優普納科技有限公司的碳化硅晶圓減薄砂輪，以其低損耗特性成為半導體加工領域的理想選擇。其獨特的多孔顯微組織調控技術，使得砂輪在高磨削效率的同時，磨耗比極低。在東京精密-HRG200X減薄機的實際應用中，6吋SiC線割片的磨耗比只為15%，而8吋SiC線割片的磨耗比也只為35%。這意味著在長時間的加工過程中，砂輪的磨損極小，使用壽命更長，為客戶節省了大量的成本。低損耗不只體現在砂輪本身的使用壽命上，還體現在加工后的晶圓表面質量上，損傷極小，進一步提升了產品的性價比，助力優普納在國產化替代進程中占據優勢。砂輪于東京精密-HRG200X減薄機上，使8吋SiC線割片磨耗比達300% Ra≤3nm TTV≤2μm 彰顯高精度與高磨耗比優勢。

江蘇優普納碳化硅減薄砂輪憑借超細金剛石磨粒與高自銳性設計，在第三代半導體晶圓加工中實現低損傷、低粗糙度的行業突破。以DISCO-DFG8640設備為例，精磨8吋SiC線割片時，砂輪磨耗比達200%，表面粗糙度Ra≤3nm，TTV精度≤2μm，完全滿足5G芯片、功率器件對晶圓平整度的嚴苛要求。對比進口砂輪，優普納產品在相同加工條件下可減少磨削熱損傷30%，明顯提升晶圓良率，尤其適用于新能源汽車電驅模塊等高附加值領域。歡迎您的隨時致電咨詢。在6吋SiC線割片的精磨加工中，優普納砂輪于DISCO-DFG8640減薄機上實現磨耗比100%，Ra≤3nm，TTV≤2μm。半導體設備砂輪報價

碳化硅晶圓減薄砂輪，專研強度高的微晶增韌陶瓷結合劑。半導體磨削砂輪行業

隨著科技的不斷進步，激光改質層減薄砂輪的技術也在不斷發展。未來，激光改質技術將更加智能化和自動化，結合大數據和人工智能技術，能夠實現對砂輪性能的實時監測和優化。此外，材料科學的進步也將推動激光改質層減薄砂輪的材料選擇更加多樣化，進一步提升其性能和適用范圍。同時，環保和可持續發展將成為未來砂輪技術發展的重要方向，激光改質層減薄砂輪的低磨損特性將使其在環保方面具備更大的優勢。隨著市場需求的不斷增加，激光改質層減薄砂輪的應用前景將更加廣闊。半導體磨削砂輪行業