為了保持電子元件運作的穩定性，通常將它們以合成樹脂（Resin dispensing）包覆封裝，以提高絕緣與保護不受環境的影響。?[1]? 元件也許是被動或有源的（passive or active）：被動元件（Passive components）是一種電子元件，在使用時它們沒有任何的增益或方向性。在電路分析（Network analysis）時，它們被稱為電力元件（Electrical elements）。 有源元件（Active components）是一種電子元件，相對于被動元件所沒有的，在使用時它們有增益或方向性。它們包括了半導體器件與真空管。 端子與連接器：用于電路連接的裝置 端子（Terminal）： 電子連接器（Connector）：（Closed）、信號插座（Socket）、端子臺（Screw terminal, Terminal Blocks）、信號接頭（Header）。80年代初期出現的 MOS功率場效應晶體管和功率集成電路的工作頻率達到兆赫級。常州口碑好的電子元器件價格實惠

按照電力電子器件能夠被控制電路信號所控制的程度分類： 1.半控型器件，例如晶閘管； 2.全控型器件，例如GTO（門極可關斷晶閘管）、GTR（電力晶體管），Power MOSFET（電力場效應晶體管）、IGBT（絕緣柵雙極晶體管）； 3.不可控器件，例如電力二極管。 按照驅動電路加在電力電子器件控制端和公共端之間信號的性質分類： 1.電壓驅動型器件，例如IGBT、Power MOSFET、SITH（靜電感應晶閘管）； 2.電流驅動型器件，例如晶閘管、GTO、GTR。 根據驅動電路加在電力電子器件控制端和公共端之間的有效信號波形分類： 1.脈沖觸發型，例如晶閘管、GTO； 2.電子控制型，例如GTR、PowerMOSFET、IGBT。 按照電力電子器件內部電子和空穴兩種載流子參與導電的情況分類： 1.雙極型器件，例如電力二極管、晶閘管、GTO、GTR； 2.單極型器件，例如PowerMOSFET、SIT、肖特基勢壘二極管； 3.復合型器件，例如MCT（MOS控制晶閘管）、IGBT、SITH和IGCT。宜興正規電子元器件網上價格功率集成電路指在一個芯片上把多個器件及其控制電路集he在一起。

進一步提高其工作頻率仍然受到基區和集電區少子儲存效應的影響。70年代中期發展起來的單極型MOS功率場效應晶體管， 由于不受少子儲存效應的限制，能夠在兆赫以上的頻率下工作。這種器件的導通電流具有負溫度特性，不易出現熱激發二次擊穿現象；需要擴大電流容量時，器件并聯簡單，且具有較好的線性輸出特性和較小的驅動功率；在制造工藝上便于大規模集成。但它的通態壓降較大，制造時對材料和器件工藝的一致性要求較高。到80 年代中、后期電流容量jin達數十安，阻斷電壓近千伏。

20世紀50年代，電力電子器件主要是汞弧閘流管和大功率電子管。60年代發展起來的晶閘管，因其工作可靠、壽命長、體積小、開關速度快，而在電力電子電路中得到廣fan應用。70年代初期，已逐步取代了汞弧閘流管。80年代，普通晶閘管的開關電流已達數千安，能承受的正、反向工作電壓達數千伏。在此基礎上，為適應電力電子技術發展的需要，又開發出門極可關斷晶閘管、雙向晶閘管、光控晶閘管、逆導晶閘管等一系列派生器件，以及單極型MOS功率場效應晶體管、雙極型功率晶體管、靜電感應晶閘管、功能組合模塊和功率集成電路等新型電力電子器件。單個電力電子器件能承受的正、反向電壓是一定的，能通過的電流大小也是一定的。

電力電子器件正沿著大功率化、高頻化、集成化的方向發展。80年代晶閘管的電流容量已達6000安，阻斷電壓高達6500伏。但這類器件工作頻率較低。提高其工作頻率，取決于器件關斷期間如何加快基區少數載流子(簡稱少子)的復合速度和經門極抽取更多的載流子。降低少子壽命雖能有效地縮短關斷電流的過程，卻導致器件導通期正向壓降的增加。因此必須兼顧轉換速度和器件通態功率損耗的要求。80年代這類器件的*高工作頻率在 10千赫以下。雙極型大功率晶體管可以在100千赫頻率下工作，其控制電流容量已達數百安，阻斷電壓1千多伏,但維持通態比其他功率可控器件需要更大的基極驅動電流。由于存在熱激發二次擊穿現象，限制它的抗浪涌能力。各種電力電子器件均具有導通和阻斷兩種工作特性。武進區標準電子元器件價格

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