国产精品免费视频色拍拍,久草网国产自,日韩欧无码一区二区三区免费不卡,国产美女久久精品香蕉

因此負載獲得較少的電功率。這個典型的電功率無級調(diào)整電路在日常生活中有很多電氣產(chǎn)品中都應用它。可控硅主要參數(shù)有：額定通態(tài)平均電流在一定條件下，陽極---陰極間可以連續(xù)通過的50赫茲正弦半波電流的平均值。正向阻斷峰值電壓在控制極開路未加觸發(fā)信號，陽極正向電壓還未超過導能電壓時，可以重復加在可控硅兩端的正向峰值電壓。可控硅承受的正向電壓峰值，不能超過手冊給出的這個參數(shù)值。反向陰斷峰值電壓當可控硅加反向電壓，處于反向關(guān)斷狀態(tài)時，可以重復加在可控硅兩端的反向峰值電壓。使用時，不能超過手冊給出的這個參數(shù)值。控制極觸發(fā)電流在規(guī)定的環(huán)境溫度下，陽極---陰極間加一定電壓，使可控硅從關(guān)斷狀態(tài)轉(zhuǎn)為導通狀態(tài)所需要的...

可控硅和其它半導體器件一樣，其有體積小、效率高、穩(wěn)定性好、工作可靠等優(yōu)點。它的出現(xiàn)，使半導體技術(shù)從弱電領(lǐng)域進入了強電領(lǐng)域，成為工業(yè)、農(nóng)業(yè)、交通運輸、科研以至商業(yè)、民用電器等方面爭相采用的元件。一、可控硅的結(jié)構(gòu)和特性：可控硅模塊從外形上分主要有螺旋式、平板式和平底式三種。螺旋式的應用較多。可控硅模塊有三個電極----陽極（A）陰極（C）和控制極（G）。它有管芯是P型導體和N型導體交迭組成的四層結(jié)構(gòu)，共有三個PN結(jié)。可控硅和只有一個PN結(jié)的硅整流二極度管在結(jié)構(gòu)上迥然不同。可控硅的四層結(jié)構(gòu)和控制極的引用，為其發(fā)揮“以小控大”的優(yōu)異控制特性奠定了基礎(chǔ)。在應用可控硅時，只要在控制極加上很小的電流或電壓，...

是把兩個可控硅反接在一起畫成的，它的型號，在我國一般用“3CTS”或“KS”表示；國外的資料也有用“TRIAC”來表示的。雙向可控硅的規(guī)格、型號、外形以及電極引腳排列依生產(chǎn)廠家不同而有所不同，但其電極引腳多數(shù)是按T1、T2、G的顧序從左至右排列(觀察時，電極引腳向下，面對標有字符的一面)。市場上*常見的幾種塑封外形結(jié)構(gòu)雙向可控硅的外形及電極引腳排列。關(guān)于轉(zhuǎn)換電壓變化率當驅(qū)動一個大的電感性負載時，在負載電壓和電流間有一個很大的相移。當負載電流過零時，雙向可控硅（晶閘管）開始換向，但由于相移的關(guān)系，電壓將不會是零。所以要求可控硅（晶閘管）要迅速關(guān)斷這個電壓。如果這時換向電壓的變化超過允許值時，就沒...

總要先關(guān)掉照明燈。可如果燈開關(guān)不在門口，那么關(guān)上燈再摸黑走到門口，十分不方便。本文介紹的一種開關(guān)只用9個元件，可方便地加在原來的開關(guān)上，使您的燈在關(guān)掉后延時幾十秒鐘，讓您有充足的時間離開房間，免受摸黑之苦。工作原理：電路原理如下圖所示。A、B分別接在原開關(guān)兩端。合上開關(guān)S時，交流電的正半周經(jīng)D6、R2、R1、D1和可控硅控制極，觸發(fā)可控硅導通；交流電的負半周經(jīng)D4、R2、R1、D1和可控硅控制極，觸發(fā)可控硅導通。可控硅導通后，相當于短路C、D兩點，因而A、B兩點也經(jīng)過二極管和導通的可控硅閉合起來。此時照明燈亮。斷開開關(guān)S后，由于電容C1經(jīng)R1、D1和可控硅控制極放電，使可控硅仍有觸發(fā)電流維持導...

可控硅模塊分為壓接式和焊接式，兩者有什么區(qū)別呢？可控硅模塊具有體積小、結(jié)構(gòu)簡單、方便操作、安全可靠等優(yōu)點，對于電氣行業(yè)起著至關(guān)重要的作用，它的分類也是比較多，不同類型具有不同的功能，下面正高電氣來說說壓接式可控硅模塊和焊接式可控硅模塊的區(qū)別有哪些？①從電流方面來講，焊接式可控硅模塊可以做到160A電流，同時壓接式模塊的電流就能夠達到1200A，這就是講低于160A的模塊，不只是有焊接式的，同時也有壓接式的。②從外形方面來講，焊接式的可控硅模塊遠遠沒有壓接式的外形比較好，壓接式的屬于一體成型，技術(shù)十分的標準，焊接式的局部地區(qū)可能有焊接的痕跡，但是在使用的時候是沒有任何的影響的。③眾所周知，壓接式...

可控硅模塊通常被稱之為功率半導體模塊（semiconductormodule）。早是在1970年由西門康公司率先將模塊原理引入電力電子技術(shù)領(lǐng)域，是采用模塊封裝形式，具有三個PN結(jié)的四層結(jié)構(gòu)的大功率半導體器件。可控硅模塊從內(nèi)部封裝芯片上可以分為可控模塊和整流模塊兩大類；從具體的用途上區(qū)分，可以分為：普通晶閘管模塊（MTC\MTX\MTK\MTA）、普通整流管模塊（MDC）、普通晶閘管、整流管混合模塊（MFC）、快速晶閘管、整流管及混合模塊（MKC\MZC）、非絕緣型晶閘管、整流管及混合模塊（也就是通常所說的電焊機所用模塊MTG\MDG）、三相整流橋輸出可控硅模塊（MDS）、單相（三相）整流橋模塊...

觸發(fā)脈沖的型式要有助于可控硅觸模塊發(fā)電路導通時間的一致性對于可控硅串并聯(lián)電路，要求并聯(lián)或者串聯(lián)的元件要同一時刻導通，使兩個管子中流過的電流及或承受的電壓及相同。否則，由于元件特性的分散性，在并聯(lián)電路中使導通較早的元件超出允許范圍，在串聯(lián)電路中使導通較晚的元件超出允許范圍而被損壞，所以，針對上述問題，通常采取強觸發(fā)措施，使并聯(lián)或者串聯(lián)的可控硅盡量在同一時間內(nèi)導通。觸發(fā)電路的觸發(fā)脈沖要有足夠的移相范圍并且要與主回路電源同步為了保證可控硅變流裝置能在給定的控制范圍內(nèi)工作，必須使觸發(fā)脈沖能在相應的范圍內(nèi)進行移相。同時，無論是在可控整流、有源逆變還是在交流調(diào)壓的觸發(fā)電路中，為了使每—周波重復在相同位置上...

用萬用表DC10V檔測C2兩端電壓應為5V－6V之間，若不正常，應重點檢查整流穩(wěn)壓電路，然后再分別按動SB1－SB4開關(guān)，觀察各路指示管VD1－VD8應按對應的選擇功能發(fā)光或熄滅，風扇也應同步工作于不同狀態(tài)。采用TVVH9238-LC901及MAC97A6的多功能無線電遙控電風扇電路介紹的電風扇無線遙控調(diào)速器是采用4位遙控模塊和一塊風扇調(diào)速集成電路，它可將普通電風扇改造成無線電遙控多功能調(diào)速風扇。工作原理電風扇無線遙控調(diào)速器的風扇接收部分電路原理圖如圖1所示。發(fā)射部分是一個4位TWH9236匙扣式發(fā)射器，其A鍵用作風速（SPEED）調(diào)節(jié)、B鍵為風類（MODE）調(diào)節(jié)，C鍵為定時（TIME）設(shè)定，...

面板上所有發(fā)光二極管VD1－VD8均不亮，電風扇不轉(zhuǎn)。若這時每按動一次風速選擇鍵SB3，可依次從IC的11－13腳輸出控制電平（脈沖信號），經(jīng)發(fā)光管VDl－VD3和限流電阻R2－R4，分別觸發(fā)雙向晶閘管VS1－VS3的G極，用以控制它的導通與截止，再經(jīng)電抗器L進行阻抗變換，即可按強風、中風、弱風、強風……的順序來改變其工作狀態(tài)，并且風速指示管VD1－VD3（紅色）對應點亮或熄滅；當按風型選擇鍵SB4，電風扇即按連續(xù)風（常風）、陣風（模擬自然風）、連續(xù)風……的方式循環(huán)改變其工作狀態(tài)，在連續(xù)風狀態(tài)下，風型指示管VD4（黃色）熄滅，在陣風狀態(tài)下，VD4閃光；當按動定時時間選擇鍵SB2，定時指示管VD...

維持繼電器吸合約4秒鐘，故電路動作較為準確。如果將負載換為繼電器，即可控制大電流工作的負載。可控硅是一種新型的半導體器件，它具有體積小、重量輕、效率高、壽命長、動作快以及使用方便等優(yōu)點，活動導入以可控硅實際應用案例的展示，以激發(fā)學生的活動興趣。可控硅控制電路的制作13例：1：可調(diào)電壓插座電路如圖，可用于調(diào)溫（電烙鐵）、調(diào)光（燈）、調(diào)速（電機），使用時只要把用電器的插頭插入插座即可，十分方便。V1為雙向二極管2CTS，V2為3CTSI雙向可控硅，調(diào)節(jié)RP可使插座上的電壓發(fā)生變化。2：簡易混合調(diào)光器根據(jù)電學原理可知，電容器接入正弦交流電路中，電壓與電流的大值在相位上相差90。根據(jù)這一原理，把C1和...

BG1、BG2受到反向電壓作用將處于截止狀態(tài)。這時，即使輸入觸發(fā)信號，可控硅也不能工作。反過來，E接成正向，而觸動發(fā)信號是負的，可控硅也不能導通。另外，如果不加觸發(fā)信號，而正向陽極電壓大到超過一定值時，可控硅也會導通，但已屬于非正常工作情況了。可控硅這種通過觸發(fā)信號（小觸發(fā)電流）來控制導通（可控硅中通過大電流）的可控特性，正是它區(qū)別于普通硅整流二極管的重要特征。由于可控硅只有導通和關(guān)斷兩種工作狀態(tài)，所以它具有開關(guān)特性，這種特性需要一定的條件才能轉(zhuǎn)化，此條件見表1應用舉例：可控硅在實際應用中電路花樣多的是其柵極觸發(fā)回路，概括起來有直流觸發(fā)電路，交流觸發(fā)電路，相位觸發(fā)電路等等。1.直流觸發(fā)電路：如...

可控硅模塊屬于一種使用模塊封裝形式，擁有三個PN結(jié)的四層結(jié)構(gòu)的大功率半導體器件，這種可控硅模塊的體積非常的小，結(jié)構(gòu)也十分的緊湊，對于維修與安裝都有很大的作用，可控硅模塊的類型非常的多，比方說壓接式可控硅模塊、焊接式可控硅模塊等，很多人不是很清楚兩者之間的差異，下面詳細的進行區(qū)分一下。①從電流方面來講，焊接式可控硅模塊可以做到160A電流，同時壓接式模塊的電流就能夠達到1200A，這就是講低于160A的模塊，不只是有焊接式的，同時也有壓接式的。可控硅模塊②從外形方面來講，焊接式的可控硅模塊遠遠沒有壓接式的外形比較好，壓接式的屬于一體成型，技術(shù)十分的標準，焊接式的局部地區(qū)可能有焊接的痕跡，但是在使...

現(xiàn)代照明設(shè)計要求規(guī)定，照明系統(tǒng)中的功率因數(shù)必須達到，而氣體放電燈的功率因數(shù)在一般在，所以都設(shè)計用電容補償功率因數(shù)）在國外發(fā)達國家，已有明文規(guī)定對電氣設(shè)備諧波含量的限制，在國內(nèi)，北京、上海、廣州等大城市，已對諧波含量超標的設(shè)備限制并入電網(wǎng)使用。采用可控硅技術(shù)對照明系統(tǒng)進行照度控制時，可通過加裝濾波設(shè)備來有效降低諧波污染。近年來，許多新型可控硅元件相繼問世，如適于高頻應用的快速可控硅，可以用正或負的觸發(fā)信號控制兩個方向?qū)ǖ碾p向可控硅，可以用正觸發(fā)信號使其導通，用負觸發(fā)信號使其關(guān)斷的可控硅等等。應用介紹------可控硅在調(diào)光器中的應用：可控硅調(diào)光器是目前舞臺照明、環(huán)境照明領(lǐng)域的主流設(shè)備。在照明系...

可控硅模塊從內(nèi)部封裝芯片上可以分為可控模塊和整流模塊兩大類；從具體的用途上區(qū)分，可以分為：普通晶閘管模塊（MTC\MTX\MTK\MTA)、普通整流管模塊(MDC)、普通晶閘管、整流管混合模塊(MFC)、快速晶閘管、整流管及混合模塊（MKC\MZC)、非絕緣型晶閘管、整流管及混合模塊（也就是通常所說的電焊機所用模塊MTG\MDG)、三相整流橋輸出可控硅模塊（MDS)、單相（三相）整流橋模塊（MDQ)、單相半控橋（三相全控橋）模塊(MTS)以及肖特基模塊等。優(yōu)點/可控硅模塊編輯體積小、重量輕、結(jié)構(gòu)緊湊、可靠性高、外接線簡單、互換性好、便于維修和安裝；結(jié)構(gòu)重復性好，裝置的機械設(shè)計可以簡化，價格比分...

可控硅從外形上分主要有螺旋式、平板式和平底式三種）。螺旋式的應用較多。可控硅有三個電極----陽極（A）陰極（C）和控制極（G）。它有管芯是P型導體和N型導體交迭組成的四層結(jié)構(gòu)，共有三個PN結(jié)。其結(jié)構(gòu)示意圖和符號。從圖表-26中可以看到，可控硅和只有一個PN結(jié)的硅整流二極度管在結(jié)構(gòu)上迥然不同。可控硅的四層結(jié)構(gòu)和控制極的引用，為其發(fā)揮“以小控大”的優(yōu)異控制特性奠定了基礎(chǔ)。在應用可控硅時，只要在控制極加上很小的電流或電壓，就能控制很大的陽極電流或電壓。目前已能制造出電流容量達幾百安培以至上千安培的可控硅元件。一般把5安培以下的可控硅叫小功率可控硅，50安培以上的可控硅叫大功率可控硅。可控硅為什么其...

面板上所有發(fā)光二極管VD1－VD8均不亮，電風扇不轉(zhuǎn)。若這時每按動一次風速選擇鍵SB3，可依次從IC的11－13腳輸出控制電平（脈沖信號），經(jīng)發(fā)光管VDl－VD3和限流電阻R2－R4，分別觸發(fā)雙向晶閘管VS1－VS3的G極，用以控制它的導通與截止，再經(jīng)電抗器L進行阻抗變換，即可按強風、中風、弱風、強風……的順序來改變其工作狀態(tài)，并且風速指示管VD1－VD3（紅色）對應點亮或熄滅；當按風型選擇鍵SB4，電風扇即按連續(xù)風（常風）、陣風（模擬自然風）、連續(xù)風……的方式循環(huán)改變其工作狀態(tài)，在連續(xù)風狀態(tài)下，風型指示管VD4（黃色）熄滅，在陣風狀態(tài)下，VD4閃光；當按動定時時間選擇鍵SB2，定時指示管VD...

可控硅模塊屬于一種使用模塊封裝形式，擁有三個PN結(jié)的四層結(jié)構(gòu)的大功率半導體器件，這種可控硅模塊的體積非常的小，結(jié)構(gòu)也十分的緊湊，對于維修與安裝都有很大的作用，可控硅模塊的類型非常的多，比方說壓接式可控硅模塊、焊接式可控硅模塊等，很多人不是很清楚兩者之間的差異，下面詳細的進行區(qū)分一下。①從電流方面來講，焊接式模塊可以做到160A電流，同時壓接式模塊的電流就能夠達到1200A，這就是講低于160A的模塊，不只是有焊接式的，同時也有壓接式的。②從外形方面來講，焊接式的模塊遠遠沒有壓接式的外形比較好，壓接式的屬于一體成型，技術(shù)十分的標準，焊接式的局部地區(qū)可能有焊接的痕跡，但是在使用的時候是沒有任何的影...

可控硅從外形上分主要有螺旋式、平板式和平底式三種。螺旋式的應用較多。可控硅有三個電極----陽極（A）陰極（C）和控制極（G）。它有管芯是P型導體和N型導體交迭組成的四層結(jié)構(gòu)，共有三個PN結(jié)。其結(jié)構(gòu)示意圖和符號。從圖表-26中可以看到，可控硅和只有一個PN結(jié)的硅整流二極度管在結(jié)構(gòu)上迥然不同。可控硅的四層結(jié)構(gòu)和控制極的引用，為其發(fā)揮“以小控大”的優(yōu)異控制特性奠定了基礎(chǔ)。在應用可控硅時，只要在控制極加上很小的電流或電壓，就能控制很大的陽極電流或電壓。目前已能制造出電流容量達幾百安培以至上千安培的可控硅元件。一般把5安培以下的可控硅叫小功率可控硅，50安培以上的可控硅叫大功率可控硅。可控硅為什么其有...

現(xiàn)代照明設(shè)計要求規(guī)定，照明系統(tǒng)中的功率因數(shù)必須達到，而氣體放電燈的功率因數(shù)在一般在，所以都設(shè)計用電容補償功率因數(shù)）在國外發(fā)達國家，已有明文規(guī)定對電氣設(shè)備諧波含量的限制，在國內(nèi)，北京、上海、廣州等大城市，已對諧波含量超標的設(shè)備限制并入電網(wǎng)使用。采用可控硅技術(shù)對照明系統(tǒng)進行照度控制時，可通過加裝濾波設(shè)備來有效降低諧波污染。近年來，許多新型可控硅元件相繼問世，如適于高頻應用的快速可控硅，可以用正或負的觸發(fā)信號控制兩個方向?qū)ǖ碾p向可控硅，可以用正觸發(fā)信號使其導通，用負觸發(fā)信號使其關(guān)斷的可控硅等等。應用介紹------可控硅在調(diào)光器中的應用：可控硅調(diào)光器是目前舞臺照明、環(huán)境照明領(lǐng)域的主流設(shè)備。在照明系...

T1管由截止變?yōu)閷ǎ谑请娙軨通過T1管的e、b1結(jié)和R2迅速放電，結(jié)果在R2上獲得一個尖脈沖。這個脈沖作為控制信號送到可控硅SCR的控制極，使可控硅導通。可控硅導通后的管壓降很低，一般小于1V，所以張弛振蕩器停止工作。當交流電通過零點時，可控硅自關(guān)斷。當交流電在負半周時，電容C又從新充電……如此周而復始，便可調(diào)整負載RL上的功率了。2：元器件選擇調(diào)壓器的調(diào)節(jié)電位器選用阻值為470KΩ的WH114-1型合成碳膜電位器，這種電位器可以直接焊在電路板上，電阻除R1要用功率為1W的金屬膜電阻外，其佘的都用功率為1/8W的碳膜電阻。D1—D4選用反向擊穿電壓大于300V、大整流電流大于，如2CZ21...

晶閘管的主要工作原理及特性為了能夠直觀地認識晶閘管的工作特性，大家先看這塊示教板。晶閘管VS與小燈泡EL串聯(lián)起來，通過開關(guān)S接在直流電源上。注意陽極A是接電源的正極，陰極K接電源的負極，控制極G通過按鈕開關(guān)SB接在3V直流電源的正極(這里使用的是KP5型晶閘管，若采用KP1型，應接在)。晶閘管與電源的這種連接方式叫做正向連接，也就是說，給晶閘管陽極和控制極所加的都是正向電壓。現(xiàn)在我們合上電源開關(guān)S，小燈泡不亮，說明晶閘管沒有導通；再按一下按鈕開關(guān)SB，給控制極輸入一個觸發(fā)電壓，小燈泡亮了，說明晶閘管導通了。這個演示實驗給了我們什么啟發(fā)呢?圖3這個實驗告訴我們，要使晶閘管導通，一是在它的陽極A與...

可控硅模塊自身特點，在應用時盡量避開Ⅳ象限。如果工作沒有Ⅳ象限，我們可以推薦客戶選用免緩沖三象限系列的雙向可控硅模塊。雙向可控硅模塊象限分布圖和說明：一象限：T1(-)T2(+)，G相對T1為(+)第二象限：T1(-)T2(+)，G相對T1為(-)第三象限：T1(+)T2(-)，G相對T1為(-)淄博正高電氣有限公司是一家專注于功率模塊研發(fā)、封裝、銷售的****。我司專業(yè)研發(fā)、封裝團隊具有十年以上的從業(yè)經(jīng)驗，經(jīng)過與國外眾多行業(yè)的通力合作，研發(fā)出獨特的一次焊接工藝，配合公司先進的生產(chǎn)檢測設(shè)備解決了熱阻大、過流小、空洞率高等業(yè)界難題。為公司提供一系列優(yōu)良、高性能的功率模塊。目前公司主要產(chǎn)品；可...

淄博正高電氣有限公司的可控硅模塊一種晶閘管模塊組件。能解決現(xiàn)有的晶閘管組件存在的問題。包括散熱單元、晶閘管電路單元、絕緣單元，散熱單元包括下散熱器、上散熱器、緊固螺栓；晶閘管電路單元包括下電極、芯片、第二陰極壓塊、陰極壓塊、導電塊、第二芯片、第二導電塊、上電極；絕緣單元包括絕緣膠體、絕緣殼體、絕緣陶瓷、絕緣套管、絕緣件，絕緣膠體包裹在自導電塊及第二導電塊中下部開始經(jīng)過陰極壓塊、第二芯片、芯片、第二陰極壓塊、下電極至下散熱器上，絕緣膠體橫向外側(cè)由絕緣殼體包裹，下電極與下散熱器之間的縫隙由絕緣陶瓷填充，下電極的左側(cè)通過絕緣件隔離，緊固螺栓外側(cè)套接所述絕緣套管。結(jié)構(gòu)簡單新穎，操作及使用方便且實用性強...

可控硅模塊從內(nèi)部封裝芯片上可以分為可控模塊和整流模塊兩大類；從具體的用途上區(qū)分，可以分為：普通晶閘管模塊（MTC\MTX\MTK\MTA)、普通整流管模塊(MDC)、普通晶閘管、整流管混合模塊(MFC)、快速晶閘管、整流管及混合模塊（MKC\MZC)、非絕緣型晶閘管、整流管及混合模塊（也就是通常所說的電焊機所用模塊MTG\MDG)、三相整流橋輸出可控硅模塊（MDS)、單相（三相）整流橋模塊（MDQ)、單相半控橋（三相全控橋）模塊(MTS)以及肖特基模塊等。優(yōu)點/可控硅模塊編輯體積小、重量輕、結(jié)構(gòu)緊湊、可靠性高、外接線簡單、互換性好、便于維修和安裝；結(jié)構(gòu)重復性好，裝置的機械設(shè)計可以簡化，價格比分...

可控硅又稱晶閘管（晶體閘流管），是一種常用的功率型半導體器件，其主要的功能是功率控制。可控硅可分為單向可控硅、雙向可控硅、可關(guān)斷可控硅等。可控硅的特點是具有可控的單向?qū)щ娦裕孕‰娏骺刂拼箅娏鳎缘碗妷嚎刂聘唠妷骸？煽毓杩梢杂萌f用表進行檢測。一、檢測單向可控硅單向可控硅是PNPN四層結(jié)構(gòu)，形成3個PN結(jié)，具有3個外電極：陽極A、陰極K、控制極G。單向可控硅的引腳如下圖所示。檢測時，萬用表置于“Rx10Ω”檔，黑表筆（表內(nèi)電池正極）接單向可控硅的控制極G，紅表筆（表內(nèi)電池負極）接單向可控硅的陰極K，這時測量的是單向可控硅PN結(jié)的正向電阻，應有較小的阻值。如下圖所示。對調(diào)兩表筆后，測其反向電阻，應...

可控硅模塊是有PNPN四層半導體構(gòu)成的元件，有三個電極，陽極a，陰極K和控制機G所構(gòu)成的。可控硅模塊的應用領(lǐng)域模塊應用詳細說明介紹：可控硅模塊應用于控溫、調(diào)光、勵磁、電鍍、電解、充放電、電焊機、等離子拉弧、逆變電源等需對電力能量大小進行調(diào)整和變換的場合，如工業(yè)、通訊等各類電氣控制、電源等，根據(jù)還可通過可控硅模塊的控制端口與多功能控制板連接，實現(xiàn)穩(wěn)流、穩(wěn)壓、軟啟動等功能，并可實現(xiàn)過流、過壓、過溫、缺相等保護功能。可控硅模塊的控制方式：通過輸入可控硅模塊控制接口一個可調(diào)的電壓或者電流信號，通過調(diào)整該信號的大小即可對可控硅模塊的輸出電壓大小進行平滑調(diào)節(jié)，實現(xiàn)可控硅模塊輸出電壓從0V至任一點或全部導通...

可控硅損壞原因判別哪種參數(shù)壞了？當晶閘管損壞后需要檢查分析其原因時，可把管芯從冷卻套中取出，打開芯盒再取出芯片，觀察其損壞后的痕跡，以判斷是何原因。下面介紹幾種常見現(xiàn)象分析。1、電壓擊穿。晶閘管因不能承受電壓而損壞，其芯片中有一個光潔的小孔，損壞的面積小，有時需用擴大鏡才能看見。其原因可能是管子本身耐壓下降或被電路斷開時產(chǎn)生的高電壓擊穿。2、電流損壞。電流損壞的痕跡特征是芯片被燒成一個凹坑，且粗糙，損壞的面積大，其位置在遠離控制極上。3、電流上升率損壞。其痕跡與電流損壞相同，而其位置在控制極附近或就在控制極上。4、邊緣損壞。他發(fā)生在芯片外圓倒角處，有細小光潔小孔。用放大鏡可看到倒角面上有細細金...

可控硅損壞原因判別哪種參數(shù)壞了？當晶閘管損壞后需要檢查分析其原因時，可把管芯從冷卻套中取出，打開芯盒再取出芯片，觀察其損壞后的痕跡，以判斷是何原因。下面介紹幾種常見現(xiàn)象分析。1、電壓擊穿。晶閘管因不能承受電壓而損壞，其芯片中有一個光潔的小孔，損壞的面積小，有時需用擴大鏡才能看見。其原因可能是管子本身耐壓下降或被電路斷開時產(chǎn)生的高電壓擊穿。2、電流損壞。電流損壞的痕跡特征是芯片被燒成一個凹坑，且粗糙，損壞的面積大，其位置在遠離控制極上。3、電流上升率損壞。其痕跡與電流損壞相同，而其位置在控制極附近或就在控制極上。4、邊緣損壞。他發(fā)生在芯片外圓倒角處，有細小光潔小孔。用放大鏡可看到倒角面上有細細金...

淄博正高電氣有限公司坐落于交通便利、經(jīng)濟發(fā)達、文化底蘊深厚的淄博市臨淄區(qū)，是專業(yè)從事電力電子產(chǎn)品、及其相關(guān)產(chǎn)品的開發(fā)、生產(chǎn)、銷售及服務(wù)為一體的高科技企業(yè)。主要生產(chǎn)各類規(guī)格型號的晶閘管智能模塊、固態(tài)繼電器模塊、橋臂模塊、整流橋模塊、各類控制柜和配套模塊使用的觸發(fā)板、控制板等產(chǎn)品，并可根據(jù)用戶需求進行產(chǎn)品設(shè)計加工。近年來，本公司堅持以人為本，始終立足于科技的前沿，狠抓產(chǎn)品質(zhì)量，產(chǎn)品銷往全國各地，深受用戶的好評。淄博正高電氣有限公司伴隨著發(fā)展的腳步，在社會各界及客戶的大力支持下，生機勃發(fā)，春意盎然。面向未來，前程似錦，豪情滿懷。今后，我們將進一步優(yōu)化產(chǎn)品品質(zhì)，堅持科技創(chuàng)新，一切為用戶著想，以前列的服...

可控硅又稱晶閘管（晶體閘流管），是一種常用的功率型半導體器件，其主要的功能是功率控制。可控硅可分為單向可控硅、雙向可控硅、可關(guān)斷可控硅等。可控硅的特點是具有可控的單向?qū)щ娦裕孕‰娏骺刂拼箅娏鳎缘碗妷嚎刂聘唠妷骸？煽毓杩梢杂萌f用表進行檢測。一、檢測單向可控硅單向可控硅是PNPN四層結(jié)構(gòu)，形成3個PN結(jié)，具有3個外電極：陽極A、陰極K、控制極G。單向可控硅的引腳如下圖所示。檢測時，萬用表置于“Rx10Ω”檔，黑表筆（表內(nèi)電池正極）接單向可控硅的控制極G，紅表筆（表內(nèi)電池負極）接單向可控硅的陰極K，這時測量的是單向可控硅PN結(jié)的正向電阻，應有較小的阻值。如下圖所示。對調(diào)兩表筆后，測其反向電阻，應...