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IGBT是強電流、高壓應用和快速終端設備用垂直功率MOSFET的自然進化。MOSFET由于實現一個較高的擊穿電壓BVDSS需要一個源漏通道，而這個通道卻具有很高的電阻率，因而造成功率MOSFET具有RDS(on)數值高的特征，IGBT消除了現有功率MOSFET...

5、 維持電流IH 在規定溫度下，控制極斷路，維持可控硅導通所必需的**小陽極正向電流。許多新型可控硅元件相繼問世，如適于高頻應用的快速可控硅，可以用正或負的觸發信號控制兩個方向導通的雙向可控硅，可以用正觸發信號使其導通，用負觸發信號使其關斷的可控硅等等。可控...

熔斷器具有結構簡單、使用方便、價格低廉等優點，在低壓系統中***被應用。鑒于熔斷器***的短路保護性能，它廣泛應用于高低壓配電系統和控制系統以及用電設備中，作為短路和過電流的保護器，是應用**普遍也**重要的保護器件之一。在應用中要重視熔斷器的使用注意事項、日...

（四）按電流容量分類：可控硅按電流容量可分為大功率可控硅、**率可控硅和小功率可控硅三種。通常，大功率可控硅多采用金屬殼封裝，而中、小功率可控硅則多采用塑封或陶瓷封裝。（五）按關斷速度分類：可控硅按其關斷速度可分為普通可控硅和高頻（快速）可控硅。常用可控硅的封...

門極輸入電容Cies 由CGE 和CGC 來表示，它是計算IGBT 驅動器電路所需輸出功率的關鍵參數。該電容幾乎不受溫度影響，但與IGBT集電極-發射極電壓VCE 的電壓有密切聯系。在IGBT數據手冊中給出的電容Cies 的值，在實際電路應用中不是一個特別有用...

當晶閘管在正向陽極電壓下，從門極G流入電流Ig,由于足夠大的Ig流經NPN管的發射結，從而提高起點流放大系數a2,產生足夠大的極電極電流Ic2流過PNP管的發射結，并提高了PNP管的電流放大系數a1,產生更大的極電極電流Ic1流經NPN管的發射結。這樣強烈的正...

當晶閘管在正向陽極電壓下，從門極G流入電流Ig,由于足夠大的Ig流經NPN管的發射結，從而提高起點流放大系數a2,產生足夠大的極電極電流Ic2流過PNP管的發射結，并提高了PNP管的電流放大系數a1,產生更大的極電極電流Ic1流經NPN管的發射結。這樣強烈的正...

1979年，MOS柵功率開關器件作為IGBT概念的先驅即已被介紹到世間。這種器件表現為一個類晶閘管的結構(P-N-P-N四層組成)，其特點是通過強堿濕法刻蝕工藝形成了V形槽柵。80年代初期，用于功率MOSFET制造技術的DMOS(雙擴散形成的金屬-氧化物-半導...

Philips公司的產品型號前綴為“BTA”字頭的，通常是指三象限的雙向可控硅。而意法ST公司，則以“BT”字母為前綴來命名元件的型號并且在“BT”后加“A”或“B”來表示絕緣與非絕緣組合成：“BTA”、“BTB”系列的雙向可控硅型號，如：三象限/絕緣型/雙向...

基片的應用在管體的P+和N+ 區之間創建了一個J1結。當正柵偏壓使柵極下面反演P基區時，一個N溝道形成，同時出現一個電子流，并完全按照功率MOSFET的方式產生一股電流。如果這個電子流產生的電壓在0.7V范圍內，那么，J1將處于正向偏壓，一些空穴注入N-區內，...

自復熔斷器是可多次動作使用的熔斷器，在日本稱為長久熔斷器。在分斷過載或短路電流后瞬間，熔體能自動恢復到原狀。自復熔斷器是可多次動作使用的熔斷器，在日本稱為長久熔斷器。在分斷過載或短路電流后瞬間，熔體能自動恢復到原狀 [1]。外殼由奧氏體不銹鋼制成，外殼中心埋有...

LED燈就是發光二極管，是采用固體半導體芯片為發光材料，與傳統燈具相比，LED燈節能、環保、顯色性與響應速度好。 [3]（一）節能是LED燈**突出的特點在能耗方面，LED燈的能耗是白熾燈的十分之一，是節能燈的四分之一。這是LED燈的一個比較大的特點。現在的人...

（4）變容電路在變容電路中常用變容二極管來實現電路的自動頻率控制、調諧、調頻以及掃描振蕩等。 [6]工業產品應用經過多年來科學家們不懈努力，半導體二極管發光的應用已逐步得到推廣，發光二極管廣泛應用于各種電子產品的指示燈、光纖通信用光源、各種儀表的指示器以及照明...

安裝過程中，螺絲刀決不能對器件塑料體施加任何力量；和接頭片接觸的散熱器表面應處理，保證平坦，10mm上允許偏差0.02mm；安裝力矩（帶墊圈）應在0.55nm 和0.8nm 之間；應避免使用自攻絲螺釘，因為擠壓可能導致安裝孔周圍的隆起，影響器件和散熱器之間的熱...

Q 為柵極電荷，可參考IGBT模塊參數手冊。例如，常見IGBT驅動器(如TX-KA101)輸出正電壓15V，負電壓-9V，則U=24V，假設 F=10KHz，Q=2.8uC可計算出 P=0.67w ，柵極電阻應選取2W電阻，或2個1W電阻并聯。三、設置柵極電阻...

△V（B）=V（B0）-V（BR）。一般△V（B）應小于2伏。雙向觸發二極管的正向轉折電壓值一般有三個等級：20-60V、100-150V、200-250V。由于轉折電壓都大于20V，可以用萬用表電阻擋正反向測雙向二極管，表針均應不動（RX10k),但還不能完...

維持電流： IH 是維持可控硅保持通態所必需的**小主電流，它與結溫有關，結溫越高， 則 IH 越小。 [1]·電壓上升率的**： dv/dt指的是在關斷狀態下電壓的上升斜率，這是防止誤觸發的一個關鍵參數。此值超限將可能導致可控硅出現誤導通的現象。由于可控硅的...

（4）不能實現遙控，需要與電動刀開關、開關組合才有可能。非選擇型斷路器：1、主要優點和特點（1）故障斷開后，可以手操復位，不必更換元件，除非切斷大短路電流后需要維修；（2）有反時限特性的長延時脫扣器和瞬時電流脫扣器兩段保護功能，分別作為過載和短路防護用，各司其...

至于型號后綴字母的觸發電流，各個廠家的**含義如下：PHILIPS公司：D=5mA，E=10mA，C=15mA，F=25mA，G=50mA，R=200uA或5mA，型號沒有后綴字母之觸發電流，通常為25-35mA；PHILIPS公司的觸發電流**字母沒有統一的...

fsw max. : 比較高開關頻率IoutAV :單路的平均電流QG : 門極電壓差時的 IGBT門極總電荷RG extern : IGBT 外部的門極電阻RG intern : IGBT 芯片內部的門極電阻但是實際上在很多情況下，數據手冊中這個門極電荷參數...

常適合應用于直流電壓為600V及以上的變流系統如交流電機、變頻器、開關電源、照明電路、牽引傳動等領域。 圖1所示為一個N 溝道增強型絕緣柵雙極晶體管結構， N+ 區稱為源區，附于其上的電極稱為源極。N+ 區稱為漏區。器件的控制區為柵區，附于其上的電極稱為柵極。...

（三）環保LED燈內部不含有任何的汞等重金屬材料，但是熒光燈中含有，這就體現了LED燈環保的特點。現在的人都十分重視環保，所以，會有更多的人愿意選擇環保的LED燈。 [3]（四）響應速度快LED燈還有一個突出的特點，就是反應的速度比較快。只要一接通電源，LED...

常用的有阻容移相橋觸發電路、單結晶體管觸發電路、晶體三極管觸發電路、利用小晶閘管觸發大晶閘管的觸發電路，等等。可控硅的主要參數有：1、 額定通態平均電流IT 在一定條件下，陽極---陰極間可以連續通過的50赫茲正弦半波電流的平均值。2、 正向阻斷峰值電壓VPF...

（五）按關斷速度分類：可控硅按其關斷速度可分為普通可控硅和高頻（快速）可控硅。（六）過零觸發-一般是調功，即當正弦交流電交流電電壓相位過零點觸發，必須是過零點才觸發，導通可控硅。（七）非過零觸發-無論交流電電壓在什么相位的時候都可觸發導通可控硅，常見的是移相觸...

因硼原子只有三個價電子，它與周圍的硅原子形成共價鍵，因缺少一個電子，在晶體中便產生一個空位，當相鄰共價鍵上的電子獲得能量時就有可能填補這個空位，使硼原子成了不能移動的負離子，而原來的硅原子的共價鍵則因缺少一個電子，形成了空穴，但整個半導體仍呈中性。這種P型半導...

發光二極管在很多領域得到普遍應用，下面介紹幾點其主要應用：（1）電子用品中的應用發光二極管在電子用品中一般用作屏背光源或作顯示、照明應用。從大型的液晶電視、電腦顯示屏到媒體播放器MP3、MP4以及手機等的顯示屏都將發光二極管用作屏背光源。 [6]（2）汽車以及...

發光二極管在很多領域得到普遍應用，下面介紹幾點其主要應用：（1）電子用品中的應用發光二極管在電子用品中一般用作屏背光源或作顯示、照明應用。從大型的液晶電視、電腦顯示屏到媒體播放器MP3、MP4以及手機等的顯示屏都將發光二極管用作屏背光源。 [6]（2）汽車以及...

因此，每一熔體都有一**小熔化電流。相應于不同的溫度，**小熔化電流也不同。雖然該電流受外界環境的影響，但在實際應用中可以不加考慮。一般定義熔體的**小熔斷電流與熔體的額定電流之比為**小熔化系數，常用熔體的熔化系數大于1.25，也就是說額定電流為10A的熔體...

因此，在本征半導體的兩個不同區域摻入三價和五價雜質元素，便形成了P型區和N型區，根據N型半導體和P型半導體的特性，可知在它們的交界處就出現了電子和空穴的濃度差異，電子和空穴都要從濃度高的區域向濃度低的區域擴散，它們的擴散使原來交界處的電中性被破壞。 [6]PN...

當正向電壓大于死區電壓以后，PN結內電場被克服，二極管正向導通，電流隨電壓增大而迅速上升。在正常使用的電流范圍內，導通時二極管的端電壓幾乎維持不變，這個電壓稱為二極管的正向電壓。 [4]當二極管兩端的正向電壓超過一定數值 ，內電場很快被削弱，特性電流迅速增長，...