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分類： 集成電路的分類方法很多，依照電路屬模擬或數字，可以分為：模擬集成電路、數字集成電路和混合信號集成電路（模擬和數字在一個芯片上）。數字集成電路可以包含任何東西，在幾平方毫米上有從幾千到百萬的邏輯門、觸發器、多任務器和其他電路。這些電路的小尺寸使...

直讀法用直接指出被測量大小的指示儀表進行測量，能夠直接從儀表刻度盤商或從顯示器上讀取被測量數值的測量方法，稱為直讀法。比較法將被測量與標準量在比較儀器中直接比較，從而獲得被測量數值的方法，稱為比較法。 時域測量時域測量也叫作瞬時測量，主要是測量被測量...

電容器電容器通常簡稱其為電容，用字母C表示。定義1：電容器，顧名思義，是“裝電的容器”，是一種容納電荷的器件。英文名稱：capacitor。電容是電子設備中大量使用的電子元件之一，廣泛應用于隔直，耦合，旁路，濾波，調諧回路， 能量轉換，控制電路等方面。定義2：...

測試注意事項：用數字式萬用表去測二極管時，紅表筆接二極管的正極，黑表筆接二極管的負極，此時測得的阻值才是二極管的正向導通阻值，這與指針式萬用表的表筆接法剛好相反。4、常用的1N4000系列二極管耐壓比較如下：型號1N4001 1N4002 1N4003 1N4...

照準部水準軸應垂直于豎軸的檢驗和校正檢驗時先將儀器大致整平,轉動照準部使其水準管與任意兩個腳螺旋的連線平行,調整腳螺旋使氣泡居中,然后將照準部旋轉180度,若氣泡仍然居中則說明條件滿足,否則應進行校正。校正的目的是使水準管軸垂直于豎軸．即用校正針撥動水準管一端...

半導體器件材料和性能？ 大多數半導體使用單晶硅，但使用的其他材料包括鍺、砷化鎵(GaAs)、砷化鎵、氮化鎵(GaN)和碳化硅(SiC)。半導體材料的導電率是由晶體結構中引起自由電子過剩和缺乏的雜質決定的，一般是通過多數載流子（N型半導體中的電子，P型...

1906年美國人德福雷斯特發明真空三極管，用來放大電話的聲音電流。此后，人們強烈地期待著能夠誕生一種固體器件，用來作為質量輕、價廉和壽命長的放大器和電子開關。1947年，點接觸型鍺晶體管的誕生，在電子器件的發展史上翻開了新的一頁。但是，這種點接觸型晶...

集成電路的早期發展可以追溯到1949年，當時德國工程師沃納·雅可比[4]（西門子)[5]申請了集成電路狀半導體放大器的**[6]示出了公共襯底上的五個晶體管組成的三級放大器。雅可比披露了小巧便宜的助聽器作為他**的典型工業應用。他的**尚未被報道而立即用于商業...

鍵盤鍵盤是全站儀在測量時輸入操作指令或數據的硬件，全站型儀器的鍵盤和顯示屏均為雙面式，便于正、倒鏡作業時操作。4．存儲器全站儀存儲器的作用是將實時采集的測量數據存儲起來，再根據需要傳送到其它設備如計算機等中，供進一步的處理或利用，全站儀的存儲器有內存儲器和存儲...

全站儀幾乎可以用在所有的測量領域。電子全站儀由電源部分、測角系統、測距系統、數據處理部分、通訊接口、及顯示屏、鍵盤等組成。同電子經緯儀、光學經緯儀相比，全站儀增加了許多特殊部件，因此而使得全站儀具有比其它測角、測距儀器更多的功能，使用也更方便。這些特殊部件構成...

電子元器件在質量方面國際上有歐盟的CE認證，美國的UL認證，德國的VDE和TUV認證以及中國的CQC認證等國內外認證，來保證元器件的合格。 電子元器件的發展史其實就是一部濃縮的電子發展史。電子技術是十九世紀末、二十世紀初開始發展起來的新...

檢測電位器的活動臂與電阻片的接觸是否良好。用萬用表的歐姆檔測“1”、“2”(或“2”、“3”)兩端，將電位器的轉軸按逆時針方向旋至接近“關”的位置，這時電阻值越小越好。再順時針慢慢旋轉軸柄，電阻值應逐漸增大，表頭中的指針應平穩移動。當軸柄旋至極端位置“3”時，...

檢驗時用十字絲豎絲瞄準一清晰小點，使望遠鏡繞橫軸上下轉動，如果小點始終在豎絲上移動則條件滿足．否則需要進行校正．校正時松開四個壓環螺釘（裝有十字絲環的目鏡用壓環和四個壓環螺釘與望遠鏡筒相連接。轉動目鏡筒使小點始終在十字絲豎絲上移動，校好后將壓環螺釘旋緊。 視準...

在速率上，商用系統大多為2.5Gbit/s或10Gbit/s，更高速率的40Gbit/s系統正在實用化，預計到2004年開始商業應用，一些電信公司如阿爾卡特的實驗室已進行了160Gbit/s的傳輸實驗。在通道密度方面，通道間的波長間隙已小到25GHz...

半導體器件材料和性能？ 大多數半導體使用單晶硅，但使用的其他材料包括鍺、砷化鎵(GaAs)、砷化鎵、氮化鎵(GaN)和碳化硅(SiC)。半導體材料的導電率是由晶體結構中引起自由電子過剩和缺乏的雜質決定的，一般是通過多數載流子（N型半導體中的電子，P型...

產業格局加速整合市場集中度提高：少數幾家國際巨頭占據了大部分市場份額，并控制著先進的半導體制造技術和設備。同時，中國芯片設計行業也涌現出了一批具有競爭力的**企業，市場集中度呈現出高度集中化的特點。產業鏈協同發展：芯片設計企業需要加強與產業鏈上下游企業的合作和...

在儀器的檢驗校正中已介紹了雙軸自動補償原理，作業時若全站儀縱軸傾斜，會引起角度觀測的誤差，盤左、盤右觀測值取中不能使之抵消。而全站儀特有的雙軸（或單軸）傾斜自動補償系統，可對縱軸的傾斜進行監測，并在度盤讀數中對因縱軸傾斜造成的測角誤差自動加以改正(某些全站儀縱...

阻電阻在電路中用"R"加數字表示，如：R1表示編號為1的電阻。電阻在電路中的主要作用為：分流、限流、分壓、偏置等。電容電容在電路中一般用"C"加數字表示(如C13表示編號為13的電容)。電容是由兩片金屬膜緊靠，中間用絕緣材料隔開而組成的元件。電容的特性主要是隔...

封裝的分類 1、按封裝集成電路芯片的數目:單芯片封裝(scP)和多芯片封裝(MCP)； 2、按密封材料區分:高分子材料(塑料)和陶瓷； 3、按器件與電路板互連方式:引腳插入型(PTH)和表面貼裝型(SMT)4、按引腳分布形態:單邊引腳、雙...

一個完整的IC型號一般都至少必須包含以下四個部分:前綴（首標）-----很多可以推測是哪家公司產品。器件名稱----一般可以推斷產品的功能（memory可以得知其容量）。溫度等級-----區分商業級，工業級，軍級等。一般情況下，C表示民用級，Ⅰ表示工業級，E...

外媒聲音 1、日本《日經亞洲評論》8月12日文章稱，中國招聘了100多名前臺積電工程師以力爭獲得芯片（產業）**地位 。作為全世界比較大的芯片代工企業，臺積電成為中國（大陸）求賢若渴的芯片項目的首要目標。高德納咨詢半導體分析師羅杰·盛（音）說：“中國...

從20世紀30年代開始，元素周期表中的化學元素中的半導體被研究者如貝爾實驗室的威廉·肖克利（William Shockley）認為是固態真空管的**可能的原料。從氧化銅到鍺，再到硅，原料在20世紀40到50年代被系統的研究。盡管元素周期表的一些III-V價...

模擬集成電路是指由電阻、電容、晶體管等元件集成在一起用來處理模擬信號的模擬集成電路。有許多的模擬集成電路，如集成運算放大器、比較器、對數和指數放大器、模擬乘(除)法器、鎖相環、電源管理芯片等。模擬集成電路的主要構成電路有：放大器、濾波器、反饋電路、...

半導體發光二極管半導體發光二極管的結構是一個PN結，它正向通電流時，注入的少數載流子靠復合而發光。它可以發出綠光、黃光、紅光和紅外線等。所用的材料有 GaP、GaAs、GaAs1-xPx、Ga1-xAlxAs、In1-xGaxAs1-yPy等。半導...

電源及電子負載：電源及電子負載主要用于給測試對象供電或吸收測試對象產生的電能，并對測試回路的電能進行測量分析 萬用表：萬用表是一種多用途電子測量儀器，主要用于準確測量電壓、電流等基本電學量以及電路故障診斷等，通常包括安培計、電壓表、歐姆計等。其應用場景包括...

電源變壓器的檢測A 通過觀察變壓器的外貌來檢查其是否有明顯異常現象。如線圈引線是否斷裂，脫焊，絕緣材料是否有燒焦痕跡，鐵心緊固螺桿是否有松動，硅鋼片有無銹蝕，繞組線圈是否有外露等。B 絕緣性測試。用萬用表R×10k擋分別測量鐵心與初級，初級與各次級、鐵心與各次...

發展： **的集成電路是微處理器或多核處理器的**，可以控制計算機到手機到數字微波爐的一切。雖然設計開發一個復雜集成電路的成本非常高，但是當分散到通常以百萬計的產品上，每個集成電路的成本**小化。集成電路的性能很高，因為小尺寸帶來短路徑，使得低功率邏...

截至 2018 年，絕大多數晶體管都是使用平坦的二維平面工藝，在硅芯片一側的單層中制造的。研究人員已經生產了幾種有希望的替代品的原型，例如:堆疊幾層晶體管以制造三維集成電路(3DC)的各種方法，例如硅通孔，“單片 3D”， 堆疊引線接合， 和其他方法。由其他材...

半導體器件（英文：semiconductordevice）是指電子工程中主要用于電子電路或利用半導體導電性的類似器件的元件。半導體器件在工程上非常重要，因為它必然嵌入到手機、電腦、電視等現代電子產品中，此外，2006年全球半導體器件市場規模超過25萬億韓元...

全站儀具有角度測量、距離(斜距、平距、高差)測量、三維坐標測量、導線測量、交會定點測量和放樣測量等多種用途。內置**軟件后，功能還可進一步拓展。全站儀的基本操作與使用方法 ：1）水平角測量（1）按角度測量鍵，使全站儀處于角度測量模式，照準***個目標A。（2）...