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場效應管主要參數：1、漏源擊穿電壓。漏源擊穿電壓BUDS是指柵源電壓UGS一定時，場效應管正常工作所能接受的較大漏源電壓。這是一項極限參數，加在場效應管上的工作電壓必須小于BUDS。2、較大耗散功率。較大耗散功率PDSM也是—項極限參數，是指場效應管性能不變壞...

三極管的 3 種工作狀態，分別是截止狀態、放大狀態、飽和狀態。接下給大家講一下這三種狀態情況：1、截止狀態，三極管的截止狀態，這應該是比較好理解的，當三極管的發射結反偏，集電結反偏時，三極管就會進入截止狀態。這就相當于一個關緊了的水龍頭，水龍頭里的水是流不出來...

三極管測量，具體方法是將萬用表調至電阻擋的R×1k擋，先用紅表筆放在三極管的一只腳上，用黑表筆去碰三極管的另兩只腳，如果兩次全通，則紅表筆所放的腳就是三極管的基極(B)。如果一次沒找到，則紅表筆換到三極管的另一個腳，再測兩次;如還沒找到，則紅表筆再換一下，再測...

二極管應用：1.整流，整流二極管主要用于整流電路，即把交流電變換成脈動的直流電。整流二極管都是面結型，因此結電容較大，使其工作頻率較低，一般為3kHZ以下。2.開關，二極管在正向電壓作用下電阻很小，處于導通狀態，相當于一只接通的開關；在反向電壓作用下，電阻很大...

作為電氣系統中的基本部件，工程師如何根據參數做出正確選擇呢？本文將討論如何通過四步來選擇正確的MOSFET。溝道的選擇。為設計選擇正確器件的頭一步是決定采用N溝道還是P溝道MOSFET。在典型的功率應用中，當一個MOSFET接地，而負載連接到干線電 壓上時，該...

二極管保護：二極管可用于保護電路免受電壓峰值和電磁干擾等影響。在電路中加入二極管后，可以有效地限制電壓，保護電路不受損壞。穩壓：二極管還可以作為穩壓器使用，它可以在電路中提供一個固定的電壓，使電路的工作更加穩定。二極管的實際案例解說：整流器：二極管被普遍應用于...

開關作用原理，下面說說三極管的飽和情況.像上面那樣的圖,因為受到電阻 Rc的限制(Rc是固定值,那么較大電流為U/Rc,其中U為電源電壓),集電極電流是不能無限增加下去的.當基極電流的增大,不能使集電極電流繼續增大 時,三極管就進入了飽和狀態.一般判斷三極管是...

下面對二極管伏安特性曲線加以說明：正向特性，二極管兩端加正向電壓時，就產生正向電流，當正向電壓較小時，正向電流極小（幾乎為零），這一部分稱為死區，相應的A（A′）點的電壓稱為死區電壓或門檻電壓（也稱閾值電壓），硅管約為0.5V，鍺管約為0.1V，如圖中OA（O...

常見到的是發紅光、綠光或黃光的發光二極管，翠綠色是人眼感覺較舒服的顏色，所以發翠綠光的發光二極管使用的較多，同時價格也就較便宜，比如手機上的按鍵燈顏色大多是翠綠色的。每種顏色的發光二極管內阻是不同的，這就造成了同樣電壓和電流情況下，發出的光線強度不同，比如電路...

漏極電流iD沿溝道產生的電壓降使溝道內各點與柵極間的電壓不再相等，靠近源極一端的電壓較大，這里溝道較厚，而漏極一端電壓較小，其值為VGD=vGS－vDS，因而這里溝道較薄。但當vDS較小（vDS 隨著vDS的增大，靠近漏極的溝道越來越薄，當vDS增加到使VGD...

導電溝道的形成：當vGS數值較小，吸引電子的能力不強時，漏——源極之間仍無導電溝道出現，如圖1(b)所示。vGS增加時，吸引到P襯底表面層的電子就增多，當vGS達到某一數值時，這些電子在柵極附近的P襯底表面便形成一個N型薄層，且與兩個N+區相連通，在漏——源極...

二極管反向區也分兩個區域：當VBR＜V＜0時，反向電流很小，且基本不隨反向電壓的變化而變化，此時的反向電流也稱反向飽和電流IS。當V≥VBR時，反向電流急劇增加，VBR稱為反向擊穿電壓。在反向區，硅二極管和鍺二極管的特性有所不同。硅二極管的反向擊穿特性比較硬、...

極限參數：a.集電極較大允許電流ICM集電極較大允許電流是指當集電極電流IC增加到某一數值，引起β值下降到額定值的2/3或1/2時的IC值。所以當集電極電流超過集電極較大允許電流時，雖然不致使管子損壞，但β值明顯下降，影響放大質量。b.集電極—基極擊穿電壓U(...

開關時間：場效應管從完全關閉到完全導通（或相反）所需的時間。柵極驅動電路的設計對開關時間有明顯影響，同時寄生電容的大小也會影響開關時間，此外，器件的物理結構，也會影響開關速度。典型應用電路：開關電路：開關電路是指用于控制場效應管開通和關斷的電路。放大電路：場效...

MOS管參數：功率MOSFET的一定較大額定值：注①：漏源較大電壓VDSS，可視為反向施加在體二極管兩端的電壓值，故只有一個方向。注②：柵源較大電壓VGSS，即施加在柵極電極與源極電極之間的電壓，由于柵極與P型半導體襯底中加了SiO2絕緣層，只要電壓一定值超過...

三極管飽和情況，像圖1因為受到電阻Rc的限制(Rc是固定值，那么較大電流為U/Rc，其中U為電源電壓)，集電極電流是不能無限增加下去的。當基極電流的增大，不能使集電極電流繼續增大時，三極管就進入了飽和狀態。一般判斷三極管是否飽和的準則是：Ib*β〉Ic。進入飽...

三極管的工作原理，這里主要講一下PNP和NPN。1、PNP，PNP是一種BJT，其中一種n型材料被引入或放置在兩種p型材料之間。在這樣的配置中，設備將控制電流的流動。PNP晶體管由2個串聯的晶體二極管組成。二極管的右側和左側分別稱為集電極-基極二極管和發射極-...

三極管的3種狀態：三極管有三種狀態：截止狀態、放大狀態和飽和狀態。我們可以把三極管想象成一個水管。①截止狀態，首先，當我們沒有對水龍頭施加任何外力時，水龍頭是關閉的，水流無法通過，這時的狀態相當于三極管的截止狀態。具體來說，就是加在三極管發射結的電壓小于PN結...

可以通過手動調節晶體表面上的導線，以獲得較佳的信號。這個較為麻煩的設備在20世紀20年代由熱離子二極管所取代。20世紀50年代，高純度的半導體材料出現。因為新出現的鍺二極管價格便宜，晶體收音機重新開始被大規模使用。貝爾實驗室還開發了鍺二極管微波接收器。20世紀...

基本結構三極管的內部構造非常簡單，主要由三部分構成：基區：由pn型材料組成、起導電作用的部分稱為本征層；集電極和發射極：分別由n型和p型的兩種半導體制成、起開關作用的部分稱為功能層或柵欄層；溝道和耗盡區：兩個相鄰的pn結之間有一條很窄的過渡區域叫做溝道。功能特...

內置MOSFET的IC當然 不用我們再考慮了，一般大于1A電流會考慮外置MOSFET.為了獲得到更大、更靈活的LED功率能力，外置MOSFET是獨一的選擇方式，IC需要合適 的驅動能力,MOSFET輸入電容是關鍵的參數。下圖Cgd和Cgs是MOSFET等效結電...

二極管是由管芯、管殼和兩個電極構成。管芯就是一個PN結，在PN結的兩端各引出一個引線，并用塑料、玻璃或金屬材料作為封裝外殼，就構成了晶體二極管，如下圖所示。P區的引出的電極稱為正極或陽極，N區的引出的電極稱為負極或陰極。二極管的伏安特性，半導體二極管的主要是P...

耗盡型場效應管與增強型截然不同，其初始狀態下溝道內就已存在導電載流子，仿佛一條已經有水流的河道。當施加柵源電壓時，就如同調節河道的寬窄，可靈活地增加或減少溝道載流子濃度，從而精細控制電流大小。在模擬電路的偏置電路設計中，它扮演著至關重要的角色。以音頻功率放大器...

開關作用原理，下面說說三極管的飽和情況.像上面那樣的圖,因為受到電阻 Rc的限制(Rc是固定值,那么較大電流為U/Rc,其中U為電源電壓),集電極電流是不能無限增加下去的.當基極電流的增大,不能使集電極電流繼續增大 時,三極管就進入了飽和狀態.一般判斷三極管是...

光敏（光電）三極管，光敏三極管的基區面積比普通三極管大，而發射區面積較小。光敏三極管具有對光電信號的放大作用，當光電信號從基極（大多數光窗口即為基極）輸入時，激發了基區半導體，產生電子和空穴的運動，從而在發射區有空穴的積累，相等于在發射極施加了正向偏壓，使光敏...

金屬半導體場效應管（MESFET），其結構獨特之處在于利用金屬與半導體接觸形成的肖特基勢壘作為柵極。這種特殊的柵極結構，當施加合適的柵源電壓時，能夠極為精細地調控溝道的導電能力。從微觀層面來看，高純度的半導體材料使得電子遷移率極高，電子在其中移動時幾乎不受阻礙...

場效應管（FET）是利用控制輸入回路的電場效應來控制輸出回路電流的一種半導體器件，并以此命名。場效應管（fet）是電場效應控制電流大小的單極型半導體器件。在其輸入端基本不取電流或電流極小，具有輸入阻抗高、噪聲低、熱穩定性好、制造工藝簡單等特點，在大規模和超大規...

三極管簡介，三極管，全稱為半導體三極管，也稱雙極型晶體管、晶體三極管，是一種電流控制電流的半導體器件，其作用是把基極電流的微小變化去控制集電極電流的巨大變化， 也用作無觸點開關。單片機應用電路中三極管主要的作用就是開關作用。三極管的常用型號，三極管常用的型號有...

三極管的 3 種工作狀態，分別是截止狀態、放大狀態、飽和狀態。接下給大家講一下這三種狀態情況：1、截止狀態，三極管的截止狀態，這應該是比較好理解的，當三極管的發射結反偏，集電結反偏時，三極管就會進入截止狀態。這就相當于一個關緊了的水龍頭，水龍頭里的水是流不出來...

眾所周知，傳統的MOS場效應管的柵極、源極和漏極較大程度上致處于同一水平面的芯片上，其工作電流基本上是沿水平方向流動。VMOS管則不同，其兩大結構特點:頭一，金屬柵極采用V型槽結構；第二，具有垂直導電性。由于漏極是從芯片的背面引出，所以ID不是沿芯片水平流動，...