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MEMS制作工藝柔性電子的常用材料-PI： 柔性PI膜是一種由聚酰亞胺（PI）構成的薄膜材料，它是通過將均苯四甲酸二酐（PMDA）與二胺基二苯醚（ODA）在強極性溶劑中進行縮聚反應，然后流延成膜，然后經過亞胺化處理得到的高分子絕緣材料。柔性PI膜擁有許多獨特的優點，如高絕緣性、良好的粘結性、強的耐輻射性和耐高溫性能，使其成為一種綜合性能很好的有機高分子材料。 柔性PI膜的應用非常廣，尤其在電子、液晶顯示、機械、航空航天、計算機、光伏電池等領域有著重要的用途。特別是在液晶顯示行業中，柔性PI膜因其優越的性能而被用作新型材料，用于制造折疊屏手機的基板、蓋板和觸控材料。由于OLED顯...

物聯網普及極大拓展MEMS應用場景。物聯網的產業架構可以分為四層：感知層、傳輸層、平臺層和應用層，MEMS器件是物聯網感知層重要組成部分。物聯網的發展帶動智能終端設備普及，推動MEMS需求放量，據全球移動通信系統協會GSMA統計，全球物聯網設備數量已從2010年的20億臺，增長到2019年的120億臺，未來受益于5G商用化和WiFi 6的發展，物聯網市場潛力巨大，GSMA預測，到2025年全球物聯網設備將達到246億臺，2019到2025年將保持12.7%的復合增長率。PDMS 金屬流道加工技術可在柔性流道內沉積金屬鍍層，實現電化學檢測與流體控制一體化。現代MEMS微納米加工服務電話微流控與金...

MEMS制作工藝柔性電子的定義： 柔性電子可概括為是將有機/無機材料電子器件制作在柔性/可延性塑料或薄金屬基板上的新興電子技術，以其獨特的柔性/延展性以及高效、低成本制造工藝，在信息、能源、醫療等領域具有廣泛應用前景，如柔性電子顯示器、有機發光二極管OLED、印刷RFID、薄膜太陽能電池板、電子用表面粘貼(SkinPatches)等。與傳統IC技術一樣，制造工藝和裝備也是柔性電子技術發展的主要驅動力。柔性電子制造技術水平指標包括芯片特征尺寸和基板面積大小，其關鍵是如何在更大幅面的基板上以更低的成本制造出特征尺寸更小的柔性電子器件。 超薄石英玻璃雙面套刻加工技術，在 100μm 以上基...

太赫茲柔性電極的雙面結構設計與加工：太赫茲柔性電極以PI為基底，采用雙面結構設計，上層實現太赫茲波發射/接收，下層集成信號處理電路，解決了傳統剛性太赫茲器件的便攜性難題。加工工藝包括：首先在雙面拋光的PI基板上，利用電子束光刻制備亞微米級金屬天線陣列（如蝴蝶結、螺旋結構），特征尺寸達500nm，周期1-2μm，實現對0.1-1THz頻段的高效耦合；背面通過薄膜沉積技術制備氮化硅絕緣層，濺射銅箔形成共面波導傳輸線，線寬控制精度±10nm，特性阻抗匹配50Ω。電極整體厚度＜50μm，彎曲狀態下信號衰減＜3dB，適用于人體安檢、非金屬材料檢測等場景。在生物醫學領域，太赫茲柔性電極可非侵入式檢測皮膚水...

MEMS制作工藝-太赫茲超材料器件應用前景： 在通信系統、雷達屏蔽、空間勘測等領域都有著重要的應用前景，近年來受到學術界的關注。基于微米納米技術設計的周期微納超材料能夠在太赫茲波段表現出優異的敏感特性，特別是可與石墨烯二維材料集成設計，獲得更優的頻譜調制特性。因此、將太赫茲超材料和石墨烯二維材料集成，通過理論研究、軟件仿真、流片測試實現了石墨烯太赫茲調制器的制備。能夠在低頻帶濾波和高頻帶超寬帶濾波的太赫茲濾波器，通過測試驗證了理論和仿真的正確性，將超材料與石墨烯集成制備的太赫茲調制器可對太赫茲波進行調制。 MEMS聲表面波（即SAW）器件是什么？廣西MEMS微納米加工的技術服務硅基金...

超聲影像芯片的全集成MEMS設計與性能突破：針對超聲PZT換能器及CMUT/PMUT新型傳感器的收發需求，公司開發了**SoC超聲收發芯片，采用0.18mm高壓SOI工藝實現發射與開關復用，大幅節省芯片面積的同時提升性能。在發射端，通過MEMS高壓驅動電路設計，實現±100V峰值輸出電壓與1A持續輸出電流，較TI同類產品提升30%，滿足深部組織成像的能量需求；接收端集成12位ADC，采樣率可達100Msps，信噪比（SNR）達73.5dB，有效提升弱信號檢測能力。芯片采用多層金屬布線與硅通孔（TSV）技術，實現3D堆疊集成，封裝尺寸較傳統方案縮小40%。在二次諧波抑制方面，通過優化版圖布局與寄...

MEMS傳感器的主要應用領域有哪些？ 消費電子產品在MEMSDrive出現之前，手機攝像頭主要由音圈馬達移動鏡頭組的方式實現防抖(簡稱鏡頭防抖技術)，受到很大的局限。而另一個在市場上較好的防抖技術：多軸防抖，則是利用移動圖像傳感器(ImageSensor)補償抖動，但由于這個技術體積龐大、耗電量超出手機載荷，一直無法在手機上應用。憑著微機電在體積和功耗上的突破，新的技術MEMSDrive類似一張貼在圖像傳感器背面的平面馬達，帶動圖像傳感器在三個旋轉軸移動。MEMSDrive的防抖技術是透過陀螺儀感知拍照過程中的瞬間抖動，依靠精密算法，計算出馬達應做的移動幅度并做出快速補償。這一系列動...

主要由傳感器、作動器（執行器）和微能源三大部分組成，但現在其主要都是傳感器比較多。 特點：1.和半導體電路相同，使用刻蝕，光刻等微納米MEMS制造工藝，不需要組裝，調整；2.進一步的將機械可動部，電子線路，傳感器等集成到一片硅板上；3.它很少占用地方，可以在一般的機器人到不了的狹窄場所或條件惡劣的地方使用4.由于工作部件的質量小，高速動作可能；5.由于它的尺寸很小，熱膨脹等的影響小；6.它產生的力和積蓄的能量很小，本質上比較安全。 公司開發的神經電子芯片支持無線充電與通訊，可將電信號轉化為脈沖用于神經調控替代。吉林MEMS微納米加工共同合作新材料或將成為國產MEMS發展的新機會。截止...

MEMS制作工藝柔性電子的定義： 柔性電子可概括為是將有機/無機材料電子器件制作在柔性/可延性塑料或薄金屬基板上的新興電子技術，以其獨特的柔性/延展性以及高效、低成本制造工藝，在信息、能源、醫療等領域具有廣泛應用前景，如柔性電子顯示器、有機發光二極管OLED、印刷RFID、薄膜太陽能電池板、電子用表面粘貼(SkinPatches)等。與傳統IC技術一樣，制造工藝和裝備也是柔性電子技術發展的主要驅動力。柔性電子制造技術水平指標包括芯片特征尺寸和基板面積大小，其關鍵是如何在更大幅面的基板上以更低的成本制造出特征尺寸更小的柔性電子器件。 公司開發的神經電子芯片支持無線充電與通訊，可將電信號...

MEMS多重轉印工藝與硬質塑料芯片快速成型：針對硬質塑料芯片的快速開發需求，公司**MEMS多重轉印工藝。通過紫外光固化膠將硅母模上的微結構（精度±1μm）轉印至PMMA、COC等工程塑料，10個工作日內即可完成從設計到成品的全流程交付。以器官芯片為例，該工藝制造的多層PMMA芯片集成血管網絡與組織隔室，可模擬肺部的氣體交換功能，用于藥物毒性測試時，數據重復性較傳統方法提升80%。此外，COP材質芯片憑借**蛋白吸附性（<3ng/cm2），成為抗體篩選與蛋白質結晶的**載體。該技術還支持復雜三維結構加工，例如仿生肝小葉芯片中的正弦狀微流道，可精細調控細胞剪切力，提升原代肝細胞活性至95%以上。...

MEMS制作工藝柔性電子的常用材料-PI： 柔性PI膜是一種由聚酰亞胺（PI）構成的薄膜材料，它是通過將均苯四甲酸二酐（PMDA）與二胺基二苯醚（ODA）在強極性溶劑中進行縮聚反應，然后流延成膜，然后經過亞胺化處理得到的高分子絕緣材料。柔性PI膜擁有許多獨特的優點，如高絕緣性、良好的粘結性、強的耐輻射性和耐高溫性能，使其成為一種綜合性能很好的有機高分子材料。 柔性PI膜的應用非常廣，尤其在電子、液晶顯示、機械、航空航天、計算機、光伏電池等領域有著重要的用途。特別是在液晶顯示行業中，柔性PI膜因其優越的性能而被用作新型材料，用于制造折疊屏手機的基板、蓋板和觸控材料。由于OLED顯...

MEMS四種刻蝕工藝的不同需求： 1.體硅刻蝕：一些塊體蝕刻些微機電組件制造過程中需要蝕刻挖除較大量的Si基材，如壓力傳感器即為一例，即通過蝕刻硅襯底背面形成深的孔洞，但未蝕穿正面，在正面形成一層薄膜。還有其他組件需蝕穿晶圓，不是完全蝕透晶背而是直到停在晶背的鍍層上。基于Bosch工藝的一項特點，當要維持一個近乎于垂直且平滑的側壁輪廓時，是很難獲得高蝕刻率的。因此通常為達到很高的蝕刻率，一般避免不了伴隨產生具有輕微傾斜角度的側壁輪廓。不過當采用這類塊體蝕刻時，工藝中很少需要垂直的側壁。 2.準確刻蝕：精確蝕刻精確蝕刻工藝是專門為體積較小、垂直度和側壁輪廓平滑性上升為關鍵因素的組...

MEMS制作工藝-太赫茲特性： 1.相干性由于它是由相千電流驅動的電偶極子振蕩產生，或又相千的激光脈沖通過非線性光學頻率差頻產生，因此有很好的相干性。THz的相干測量技術能夠直接測量電場振幅和相位，從而方便提取檢測樣品的折射率，吸收系數等。 2.低能性:THz光子的能量只有10^-3量級，遠小于X射線的10^3量級，不易破壞被檢測的物質，適合于生物大分子與活性物質結構的研究。 3.穿透性:THz輻射對于很多非極性物質，如塑料，紙箱，布料等包裝材料有很強的穿透能力，在環境控制與安全方面能有效發揮作用 4.吸收性:大多數極性分子對THz有強烈的吸收作用，可以用來進行醫療...

MEMS組合慣性傳感器不是一種新的MEMS傳感器類型，而是指加速度傳感器、陀螺儀、磁傳感器等的組合，利用各種慣性傳感器的特性，立體運動的檢測。組合慣性傳感器的一個被廣為熟悉的應用領域就是慣性導航，比如飛機/導彈飛行控制、姿態控制、偏航阻尼等控制應用、以及中程導彈制導、慣性GPS導航等制導應用。 慣性傳感器分為兩大類：一類是角速率陀螺；另一類是線加速度計。角速率陀螺又分為：機械式干式﹑液浮﹑半液浮﹑氣浮角速率陀螺；撓性角速率陀螺；MEMS硅﹑石英角速率陀螺（含半球諧振角速率陀螺等）；光纖角速率陀螺；激光角速率陀螺等。線加速度計又分為：機械式線加速度計；撓性線加速度計；MEMS硅﹑石英線...

太赫茲柔性電極的雙面結構設計與加工：太赫茲柔性電極以PI為基底，采用雙面結構設計，上層實現太赫茲波發射/接收，下層集成信號處理電路，解決了傳統剛性太赫茲器件的便攜性難題。加工工藝包括：首先在雙面拋光的PI基板上，利用電子束光刻制備亞微米級金屬天線陣列（如蝴蝶結、螺旋結構），特征尺寸達500nm，周期1-2μm，實現對0.1-1THz頻段的高效耦合；背面通過薄膜沉積技術制備氮化硅絕緣層，濺射銅箔形成共面波導傳輸線，線寬控制精度±10nm，特性阻抗匹配50Ω。電極整體厚度＜50μm，彎曲狀態下信號衰減＜3dB，適用于人體安檢、非金屬材料檢測等場景。在生物醫學領域，太赫茲柔性電極可非侵入式檢測皮膚水...

MEMS四種刻蝕工藝的不同需求： 絕緣層上的硅蝕刻即SOI器件刻蝕：先進的微機電組件包含精細的可移動性零組件，例如應用于加速計、陀螺儀、偏斜透鏡(tiltingmirrors).共振器(resonators)、閥門、泵、及渦輪葉片等組件的懸臂梁。這些許多的零組件，是以深硅蝕刻方法在晶圓的正面制造，接著藉由橫方向的等向性底部蝕刻的方法從基材脫離，此方法正是典型的表面細微加工技術。而此技術有一項特點是以掩埋的一層材料氧化硅作為針對非等向性蝕刻的蝕刻終止層，達成以等向性蝕刻實現組件與基材間脫離的結構(如懸臂梁)。由于二氧化硅在硅蝕刻工藝中，具有高蝕刻選擇比且在各種尺寸的絕緣層上硅晶材料可輕...

微納結構的多圖拼接測量技術：針對大尺寸微納結構的完整表征，公司開發了多圖拼接測量技術，結合SEM與圖像算法實現亞微米級精度的全景成像。首先通過自動平移臺對樣品進行網格掃描，獲取多幅局部SEM圖像（分辨率5nm，視野范圍10-100μm）；然后利用特征點匹配算法（如SIFT/SURF）進行圖像配準，誤差＜±2nm/100μm；通過融合算法生成完整的拼接圖像，可覆蓋10mm×10mm區域。該技術應用于微流控芯片的流道檢測時，可快速識別全長10cm流道內的微小缺陷（如5μm以下的毛刺或堵塞），檢測效率較單圖測量提升10倍。在納米壓印模具檢測中，多圖拼接可精確分析100μm×100μm范圍內的結構一致...

高壓SOI工藝在MEMS芯片中的應用創新：高壓SOI（絕緣體上硅）工藝是制備高耐壓、低功耗MEMS芯片的**技術，公司在0.18μm節點實現了發射與開關電路的集成創新。通過SOI襯底的埋氧層（厚度1μm）隔離高壓器件與低壓控制電路，耐壓能力達200V以上，漏電流＜1nA，適用于神經電刺激、超聲驅動等高壓場景。在神經電子芯片中，高壓SOI工藝實現了128通道**驅動，每通道輸出脈沖寬度1-1000μs可調，幅度0-100V可控，脈沖邊沿抖動＜5ns，確保精細的神經信號調制。與傳統體硅工藝相比，SOI芯片的寄生電容降低40%，功耗節省30%，芯片面積縮小50%。公司優化了SOI晶圓的鍵合與減薄工藝...

加速度傳感器是很早廣泛應用的MEMS之一。MEMS，作為一個機械結構為主的技術，可以通過設計使一個部件(圖中橙色部件)相對底座substrate產生位移（這也是絕大部分MEMS的工作原理），這個部件稱為質量塊（proofmass）。質量塊通過錨anchor，鉸鏈hinge，或彈簧spring與底座連接。鉸鏈或懸臂梁部分固定在底座。當感應到加速度時，質量塊相對底座產生位移。通過一些換能技術可以將位移轉換為電能，如果采用電容式傳感結構（電容的大小受到兩極板重疊面積或間距影響），電容大小的變化可以產生電流信號供其信號處理單元采樣。通過梳齒結構可以極大地擴大傳感面積，提高測量精度，降低信號處理難度。加...

在腦科學與精細醫療領域，公司開發的MEA柔性電極采用超薄MEMS工藝，兼具物相容性與高導電性，可定制化設計“觸凸”電極陣列，***降低植入式腦機接口的手術創傷，同時提升神經信號采集的信噪比。針對藥物遞送與檢測需求，通過干濕結合刻蝕技術制備的微針器件，既可實現組織間液的無痛提取，又能集成電化學傳感功能，為糖尿病動態監測、透皮給藥系統提供硬件支持。此外，公司**的MEMS多重轉印工藝，可將光刻硅片模板快速轉化為PMMA、COC等硬質塑料芯片，支持10個工作日內完成從設計圖紙到塑料芯片成型的全流程，極大加速微流控產品的研發驗證周期。MEMS 微納米加工技術是現代制造業中的關鍵領域，它能夠在微觀尺度上...

弧形柱子點陣的微納加工技術：弧形柱子點陣結構在細胞黏附、流體動力學調控中具有重要應用，公司通過激光直寫與反應離子刻蝕（RIE）技術實現該結構的精密加工。首先利用激光直寫系統在光刻膠上繪制弧形軌跡，**小曲率半徑可達5μm，線條寬度10-50μm；然后通過RIE刻蝕硅片或石英基板，刻蝕速率50-200nm/min，側壁弧度偏差＜±2°。柱子高度50-500μm，間距20-100μm，陣列密度可達10?個/cm2。在細胞培養芯片中，弧形柱子表面通過RGD多肽修飾，促進成纖維細胞沿曲率方向鋪展，細胞取向率提升70%，用于肌腱組織工程研究。在微流控芯片中，弧形柱子陣列可降低流體阻力30%，減少氣泡滯留...

微納結構的多圖拼接測量技術：針對大尺寸微納結構的完整表征，公司開發了多圖拼接測量技術，結合SEM與圖像算法實現亞微米級精度的全景成像。首先通過自動平移臺對樣品進行網格掃描，獲取多幅局部SEM圖像（分辨率5nm，視野范圍10-100μm）；然后利用特征點匹配算法（如SIFT/SURF）進行圖像配準，誤差＜±2nm/100μm；通過融合算法生成完整的拼接圖像，可覆蓋10mm×10mm區域。該技術應用于微流控芯片的流道檢測時，可快速識別全長10cm流道內的微小缺陷（如5μm以下的毛刺或堵塞），檢測效率較單圖測量提升10倍。在納米壓印模具檢測中，多圖拼接可精確分析100μm×100μm范圍內的結構一致...

MEMS組合慣性傳感器不是一種新的MEMS傳感器類型，而是指加速度傳感器、陀螺儀、磁傳感器等的組合，利用各種慣性傳感器的特性，立體運動的檢測。組合慣性傳感器的一個被廣為熟悉的應用領域就是慣性導航，比如飛機/導彈飛行控制、姿態控制、偏航阻尼等控制應用、以及中程導彈制導、慣性GPS導航等制導應用。 慣性傳感器分為兩大類：一類是角速率陀螺；另一類是線加速度計。角速率陀螺又分為：機械式干式﹑液浮﹑半液浮﹑氣浮角速率陀螺；撓性角速率陀螺；MEMS硅﹑石英角速率陀螺（含半球諧振角速率陀螺等）；光纖角速率陀螺；激光角速率陀螺等。線加速度計又分為：機械式線加速度計；撓性線加速度計；MEMS硅﹑石英線...

MEMS制作工藝-聲表面波器件的特點： 1.由于聲表面波器件是在單晶材料上用半導體平面工藝制作的，所以它具有很好的一致性和重復性，易于大量生產，而且當使用某些單晶材料或復合材料時，聲表面波器件具有極高的溫度穩定性。 2.聲表面波器件的抗輻射能力強，動態范圍很大，可達100dB。這是因為它利用的是晶體表面的彈性波而不涉及電子的遷移過程此外，在很多情況下，聲表面波器件的性能還遠遠超過了很好的電磁波器件所能達到的水平。比如用聲表面波可以作成時間-帶寬乘積大于五千的脈沖壓縮濾波器，在UHF頻段內可以作成Q值超過五萬的諧振腔，以及可以作成帶外抑制達70dB、頻率達1低Hz的帶通濾波器 可...

神經電子芯片的MEMS微納加工技術與臨床應用：神經電子芯片作為植入式醫療設備的**組件，對微型化、生物相容性及功能集成度提出了極高要求。公司依托0.35/0.18μm高壓工藝，成功開發多通道神經電刺激SoC芯片，可實現無線充電與通訊功能，將控制信號轉化為精細電刺激脈沖，用于神經感知、調控及阻斷。以128像素視網膜假體芯片為例，通過MEMS薄膜沉積技術在硅基基板上制備高密度電極陣列，單個電極尺寸*50μm×50μm，間距100μm，確保對視網膜神經細胞的靶向刺激。芯片表面采用聚酰亞胺（PI）與氮化硅復合涂層，經120℃高溫固化處理后，涂層厚度控制在5-8μm，有效抑制蛋白吸附與炎癥反應，植入體壽...

MEMS特點： 1.微型化：MEMS器件體積小、重量輕、耗能低、慣性小、諧振頻率高、響應時間短。 2.以硅為主要材料，機械電器性能優良：硅的強度、硬度和楊氏模量與鐵相當，密度類似鋁，熱傳導率接近鉬和鎢。 3.批量生產：用硅微加工工藝在一片硅片上可同時制造成百上千個微型機電裝置或完整的MEMS。批量生產可降低生產成本。 4.集成化：可以把不同功能、不同敏感方向或致動方向的多個傳感器或執行器集成于一體，或形成微傳感器陣列、微執行器陣列，甚至把多種功能的器件集成在一起，形成復雜的微系統。微傳感器、微執行器和微電子器件的集成可制造出可靠性、穩定性很高的MEMS。 5....

射頻MEMS器件分為MEMS濾波器、MEMS開關、MEMS諧振器等。射頻前端模組主要由濾波器、低噪聲放大器、功率放大器、射頻開關等器件組成，其中濾波器是射頻前端中重要的分立器件，濾波器的工藝就是MEMS，在射頻前端模組中占比超過50%，主要由村田制作所等國外公司生產。因為沒有適用的國產5GMEMS濾波器，因此華為手機只能用4G，也是這個原因，可見MEMS濾波器的重要性。濾波器（SAW、BAW、FBAR等），負責接收通道的射頻信號濾波，將接收的多種射頻信號中特定頻率的信號輸出，將其他頻率信號濾除。以SAW聲表面波為例，通過電磁信號-聲波-電磁信號的兩次轉換，將不受歡迎的頻率信號濾除。MEMS的光...

MEMS制作工藝-太赫茲超材料器件應用前景： 在通信系統、雷達屏蔽、空間勘測等領域都有著重要的應用前景，近年來受到學術界的關注。基于微米納米技術設計的周期微納超材料能夠在太赫茲波段表現出優異的敏感特性，特別是可與石墨烯二維材料集成設計，獲得更優的頻譜調制特性。因此、將太赫茲超材料和石墨烯二維材料集成，通過理論研究、軟件仿真、流片測試實現了石墨烯太赫茲調制器的制備。能夠在低頻帶濾波和高頻帶超寬帶濾波的太赫茲濾波器，通過測試驗證了理論和仿真的正確性，將超材料與石墨烯集成制備的太赫茲調制器可對太赫茲波進行調制。 以PI為特色的柔性電子在太赫茲超表面器件上的應用很廣。國產MEMS微納米加工生...

MEMS制作工藝-聲表面波器件SAW： 聲表面波是一種沿物體表面傳播的彈性波，它能夠在兼作傳聲介質和電聲換能材料的壓電基底材料表面進行傳播。它是聲學和電子學相結合的一門邊緣學科。由于聲表面波的傳播速度比電磁波慢十萬倍，而且在它的傳播路徑上容易取樣和進行處理。因此，用聲表面波去模擬電子學的各種功能，能使電子器件實現超小型化和多功能化。隨著微機電系統（MEMS）技術的發展進步，聲表面波研究向諸多領域進行延伸研究。上世紀90年代，已經實現了利用聲表面波驅動固體。進入二十一世紀，聲表面波SAW在微流體應用研究取得了巨大的發展。應用聲表面波器件可以實現固體驅動、液滴驅動、微加熱、微粒集聚\混合...

微納結構的臺階儀與SEM測量技術：臺階儀與掃描電子顯微鏡（SEM）是微納加工中關鍵的計量手段，確保結構尺寸與表面形貌符合設計要求。臺階儀采用觸針式或光學式測量，可精確獲取0.1nm-500μm高度范圍內的輪廓信息，分辨率達0.1nm，適用于薄膜厚度、刻蝕深度、臺階高度的測量。例如，在深硅刻蝕工藝中，通過臺階儀監測刻蝕深度（精度±1%），確保流道深度均勻性＜2%。SEM則用于納米級結構觀測，配備二次電子探測器，可實現5nm分辨率的表面形貌成像，用于微流道側壁粗糙度（Ra＜50nm）、微孔孔徑（誤差＜±5nm）的檢測。在PDMS模具復制過程中，SEM檢測模具結構的完整性，避免因缺陷導致的芯片流道堵...