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省**出臺實施了工業轉型升級行動計劃和22個實施方案，為制造業轉型升級做好了頂層設計和路線規劃。完備的產業體系和省委省**的堅強領導，為我省制造業轉型升級提供了堅實的發展基礎和政策保障。不強，正在成為實現經濟中高速增長、邁向中**水平的“痛點”。一方面，傳統低成本優勢逐步衰減，資源約束日益增強，產能過剩困擾加劇；另一方面，全球新一輪科技**和產業變革方興未艾，許多發達國家紛紛高呼“重返制造業”，意圖在國際產業分工格局重塑的博弈中爭奪優勢地位。讓制造業強起來，不但是解決現實問為滿足客戶的多方面需求，同時代理德國,中國臺灣,韓國,瑞士,日本,美國等國家的各種、工程塑料，絕緣材料板、棒，片材...

所述奧氏體不銹鋼具體可以是316l不銹鋼，即，驅動軸3、傳動筒4和工藝盤轉軸1中至少一者的材料為316l不銹鋼。本實用新型將現有技術中旋轉件常用的304不銹鋼材料替換為316l不銹鋼，使得旋轉件在強度幾乎不變的同時，電阻率***降低，從而保證了工藝盤組件運動的流暢性。進一步推薦地，傳動筒4的外凸臺結構42與軸承座10之間的軸承材料也采用奧氏體不銹鋼(推薦為316l不銹鋼)。作為本實用新型的第二個方面，還提供一種半導體設備，包括工藝腔和工藝盤組件，其中，工藝盤組件為上文中描述的工藝盤組件，工藝盤組件的工藝盤01設置在工藝腔中。在本實用新型提供的半導體設備中，驅動連接部310為非圓柱體，驅...

自然界中的物質，根據其導電性能的差異可劃分為導電性能良好的導體（如銀、銅、鐵等）、幾乎不能導電的絕緣體（如橡膠、陶瓷、塑料等）和半導體（如鍺、硅、砷化鎵等）。半導體是導電能力介于導體和絕緣體之間的一種物質。它的導電能力會隨溫度、光照及摻入雜質的不同而***變化，特別是摻雜可以改變半導體的導電能力和導電類型，這是其***應用于制造各種電子元器件和集成電路的基本依據。半導體材料的特點半導體材料是一類具有半導體性能，用來制作半導體器件的電子材料。常用的重要半導體的導電機理是通過電子和空穴這兩種載流子來實現的，因此相應的有N型和P型之分。半導體材料通常具有一定的禁帶寬度，其電特性易受外界條件（...

為實現傳動筒4的平穩傳動，可選地，如圖1至圖3所示，工藝盤組件還包括傳動架9，傳動架9的一端與傳動筒4背離波浪管6的一端固定連接，傳動架9的另一端用于與電機12的輸出軸連接，傳動架9用于帶動傳動筒4轉動。本實用新型對傳動架9的結構不做具體限定，例如，如圖3所示，傳動架9包括一對傳動法蘭91和用于連接兩傳動法蘭91的法蘭連接件92。推薦地，下方的傳動法蘭91通過聯軸器與電機12的輸出軸連接。為保證所述工藝盤組件運動的流暢性，推薦地，驅動軸3、傳動筒4和工藝盤轉軸1中至少一者的材料為奧氏體不銹鋼。本實用新型的發明人在研究中發現，現有的半導體設備出現旋轉卡頓的問題是因為運動件之間的潤滑油脂液...

從而能夠緩解定位平面311兩側的應力集中現象，提高了驅動軸3和驅動襯套2上應力分布的均勻性。并且，在本實施例中，兩圓柱面312與驅動襯套2套孔中的相應圓柱面相配合，能夠實現定位平面311的精確定位，保證定位平面311與驅動襯套2套孔中的平面緊密貼合，避免平面之間的空隙導致驅動軸3和驅動襯套2在傳動過程中相互碰撞、磨損。此外，兩定位平面311以驅動軸3的軸線為對稱中心對稱設置，使得驅動軸3與驅動襯套2通過平面傳動時受到的力矩也是中心對稱的，避免了驅動襯套2與驅動軸3的軸線之間發生偏移，保證了定位精度。為提高工藝盤組件結構的整體強度，推薦地，如圖6所示，驅動襯套2包括相互連接的***襯套部...

以避免軸承座10與工藝腔碰撞導致傳送組件精度下降。為進一步提高傳動筒4的穩定性，避免外界物質進入軸承座10，推薦地，如圖3、圖4所示，工藝盤組件還包括密封襯套5，密封襯套5環繞設置在傳動筒4的外壁上。需要說明的是，密封襯套5與軸承座之間為固定連接關系，如圖4所示，推薦地，密封襯套5的內壁上還設置有用于容納密封圈的密封圈槽，在傳動筒4轉動時，與軸承座固定連接的密封襯套5持續地與傳動筒4摩擦。為提高密封襯套5的耐磨性能，推薦地，密封襯套5為不銹鋼材料。在實驗研究中，發明人還發現，現有的半導體設備工藝效果不佳的原因在于，個別軸套類部件上的密封件在傳動機構的運動過程中會逐漸沿軸向移動，偏離預定...

塑膠材料項目投資立項申請報告.***章項目基本情況一、項目概況（一）項目名稱塑膠材料項目（二）項目選址某某產業示范園區項目屬于相關制造行業，投資項目對其生產工藝流程、設施布置等都有較為嚴格的標準化要求，為了更好地發揮其經濟效益并綜合考慮環境等多方面的因素，根據項目選址的一般原則和項目建設地的實際情況，該項目選址應遵循以下基本原則的要求。（三）項目用地規模項目總用地面積（折合約）。（四）項目用地控制指標該工程規劃建筑系數，建筑容積率，建設區域綠化覆蓋率，固定資產投資強度。（五）土建工程指標項目凈用地面積，建筑物基底占地面積，總建筑面積，其中規劃建設主體工程，項目規劃綠化面積。（六）設備選...

步驟s160：將第二預制坯以℃/min～℃/min的速率升溫至900℃，保溫2h～4h，進行排膠。對第二預制坯進行排膠能夠將第二預制坯中的第二碳源轉化為碳，從而在后續步驟中與液態硅反應得到碳化硅。步驟s170：將第二預制坯和硅粉進行反應燒結，得到碳化硅陶瓷。其中，反應燒結的溫度為1400℃～1800℃，反應燒結的時間為1h～5h。第二預制坯和硅粉的質量比為1∶(～4)。進一步地，反應燒結的溫度為1700℃～1800℃。具體地，步驟s170在真空高溫燒結爐中進行。將第二預制坯和硅粉進行反應燒結，第二預制坯中的碳與滲入的硅反應，生成鋅的碳化硅，并與原有的顆粒碳化硅相結合，游離硅填充了氣孔，...

得到排膠后的***預制坯。(5)將排膠后的***預制坯升溫至300℃，加入第二碳源酚醛樹脂，加熱2h，然后抽真空1h，再以氮氣加壓至5mpa，進行壓力浸滲，讓高含碳液體滲入預制坯的孔隙中，降溫得到第二預制坯。(6)將第二預制坯放置于真空排膠爐中，以每分鐘℃的速度升溫至900℃，保溫3h，排膠后，機加工得到排膠后的第二預制坯。(7)將排膠后的第二預制坯和硅粉按質量比為1∶2在石墨坩堝中混合，然后放置于真空高溫燒結爐中進行反應燒結，燒結溫度為1600℃，保溫時間為3h，冷卻后，得到碳化硅陶瓷。實施例3本實施例的碳化硅陶瓷的制備過程具體如下：(1)以氧化鈰與碳化硅微粉的質量比為5∶100，得...

所述奧氏體不銹鋼具體可以是316l不銹鋼，即，驅動軸3、傳動筒4和工藝盤轉軸1中至少一者的材料為316l不銹鋼。本實用新型將現有技術中旋轉件常用的304不銹鋼材料替換為316l不銹鋼，使得旋轉件在強度幾乎不變的同時，電阻率***降低，從而保證了工藝盤組件運動的流暢性。進一步推薦地，傳動筒4的外凸臺結構42與軸承座10之間的軸承材料也采用奧氏體不銹鋼(推薦為316l不銹鋼)。作為本實用新型的第二個方面，還提供一種半導體設備，包括工藝腔和工藝盤組件，其中，工藝盤組件為上文中描述的工藝盤組件，工藝盤組件的工藝盤01設置在工藝腔中。在本實用新型提供的半導體設備中，驅動連接部310為非圓柱體，驅...

水平定向結晶法主要用于制備砷化鎵單晶，而垂直定向結晶法用于制備碲化鎘、砷化鎵。用各種方法生產的體單晶再經過晶體定向、滾磨、作參考面、切片、磨片、倒角、拋光、腐蝕、清洗、檢測、封裝等全部或部分工序以提供相應的晶片。在單晶襯底上生長單晶薄膜稱為外延。外延的方法有氣相、液相、固相、分子束外延等。工業生產使用的主要是化學氣相外延，其次是液相外延。金屬有機化合物氣相外延和分子束外延則用于制備量子阱及超晶格等微結構。非晶、微晶、多晶薄膜多在玻璃、陶瓷、金屬等襯底上用不同類型的化學氣相沉積、磁控濺射等方法制成。1、元素半導體材料硅在當前的應用相當***，他不僅是半導體集成電路，半導體器件和硅太陽能電...

有些塑料本身已經有很好的耐磨性，加入各種耐磨添加劑之后，可以更加改善其耐磨性。這些添加劑像聚四氟乙烯，二硫化鉬，石墨，硅利康油，玻纖，碳纖和芳香族聚酰胺纖維的添加劑制成的塑料復合材料具有自潤性(selflubricating)，并可降低配合零件的壓力，從而提高材料的耐磨性。下面就來看看可以提高材料耐磨性的材料。1、聚四氟乙烯（PTFE，鐵氟龍）PTFE是所有耐加劑中有比較低的磨擦系數。在磨擦過程中磨出來的PTFE分子會在零件表面形成潤滑的薄膜。PTFE在磨擦剪力下有很好的潤滑性及耐磨性能，在高負荷應中，PTFE是比較好的耐磨添加劑。這些高負荷用包括液壓式活塞環封、推力墊圈。**適當的PTFE含...

驅動襯套2包括***襯套部210和第二襯套部220，從而在驅動軸3與驅動襯套2連接時，驅動連接部310與***襯套部210中的驅動通孔211匹配；在驅動襯套2與工藝盤轉軸1連接時，工藝盤轉軸1的安裝孔與第二襯套部220的側面相配合。即，本實用新型的實施例中工藝盤轉軸1與驅動襯套2之間的配合面以及驅動襯套2與驅動軸3之間的配合面是軸向錯開的。如圖10、圖12所示，三者連接在一起后，工藝盤轉軸1與驅動襯套2的***襯套部210之間存在空隙，驅動軸3與驅動襯套2的第二襯套部220之間存在空隙，從而在三者進行裝配時，驅動通孔211過緊時***襯套部210可以向其外側的縫隙膨脹，安裝孔過緊時第二...

步驟s160：將第二預制坯以℃/min～℃/min的速率升溫至900℃，保溫2h～4h，進行排膠。對第二預制坯進行排膠能夠將第二預制坯中的第二碳源轉化為碳，從而在后續步驟中與液態硅反應得到碳化硅。步驟s170：將第二預制坯和硅粉進行反應燒結，得到碳化硅陶瓷。其中，反應燒結的溫度為1400℃～1800℃，反應燒結的時間為1h～5h。第二預制坯和硅粉的質量比為1∶(～4)。進一步地，反應燒結的溫度為1700℃～1800℃。具體地，步驟s170在真空高溫燒結爐中進行。將第二預制坯和硅粉進行反應燒結，第二預制坯中的碳與滲入的硅反應，生成鋅的碳化硅，并與原有的顆粒碳化硅相結合，游離硅填充了氣孔，...

3)為：將造粒粉均勻填滿模具，進行模壓成型，成型壓強為120mpa，保壓時間為50s，脫模得到***預制坯。對比例8對比例8的碳化硅陶瓷的制備過程與實施例2的碳化硅陶瓷的制備過程相似，區別在于：步驟(3)為：將造粒粉置入真空包裝袋中，抽真空，然后置于等靜壓機中等靜壓成型，成型壓力為300mpa，保壓時間為120s，得到***預制坯。對比例9對比例9的碳化硅陶瓷的制備過程與實施例2的碳化硅陶瓷的制備過程相似，區別在于：步驟(7)中，燒結溫度為1300℃。對比例10對比例10的碳化硅陶瓷的制備過程與實施例2的碳化硅陶瓷的制備過程相似，區別在于：步驟(7)中，燒結溫度為1900℃。對比例11...

所述在真空條件、700℃～900℃下進行加熱處理的步驟中，加熱處理的時間為1h～4h。在其中一個實施例中，所述將所述造粒粉成型，得到***預制坯的步驟包括：將所述造粒粉先進行模壓成型，成型壓力為70mpa～170mpa，保壓時間為10s～90s，然后進行等靜壓成型，成型壓力為200mpa～400mpa，保壓時間為60s～180s，得到所述***預制坯。在其中一個實施例中，所述將所述造粒粉成型，得到***預制坯的步驟之后，所述將所述***預制坯與第二碳源混合加熱的步驟之前，還包括：將所述***預制坯以℃/min～℃/min的速率升溫至900℃，保溫2h～4h，進行排膠；及/或，所述將所述...

3)為：將造粒粉均勻填滿模具，進行模壓成型，成型壓強為120mpa，保壓時間為50s，脫模得到***預制坯。對比例8對比例8的碳化硅陶瓷的制備過程與實施例2的碳化硅陶瓷的制備過程相似，區別在于：步驟(3)為：將造粒粉置入真空包裝袋中，抽真空，然后置于等靜壓機中等靜壓成型，成型壓力為300mpa，保壓時間為120s，得到***預制坯。對比例9對比例9的碳化硅陶瓷的制備過程與實施例2的碳化硅陶瓷的制備過程相似，區別在于：步驟(7)中，燒結溫度為1300℃。對比例10對比例10的碳化硅陶瓷的制備過程與實施例2的碳化硅陶瓷的制備過程相似，區別在于：步驟(7)中，燒結溫度為1900℃。對比例11...

碳化硅的自擴散系數小，在不添加燒結助劑的情況下，很難燒結，即使在高溫高壓下也很難燒結出致密的組織。而采用金屬元素的氧化物為燒結助劑能夠降低燒結溫度，促進燒結體組織致密化，從而提高碳化硅陶瓷的力學性能。***分散劑包括四甲基氫氧化銨、聚乙烯吡咯烷酮、丙烯酸銨、丙烯酸鈉、聚乙烯醇及聚乙烯醇縮丁醛中的至少一種。***分散劑能夠使碳化硅微粉和稀土元素的氯化物在***溶劑中混合均勻，從而利于后續的噴霧及熱處理過程。具體地，步驟s110包括：步驟s112：將金屬元素的氯化物、***分散劑、***溶劑及碳化硅微粉混合，得到***漿料。具體地，金屬元素的氯化物的加入量按金屬元素的氧化物的質量為碳化硅微...

有些塑料本身已經有很好的耐磨性，加入各種耐磨添加劑之后，可以更加改善其耐磨性。這些添加劑像聚四氟乙烯，二硫化鉬，石墨，硅利康油，玻纖，碳纖和芳香族聚酰胺纖維的添加劑制成的塑料復合材料具有自潤性(selflubricating)，并可降低配合零件的壓力，從而提高材料的耐磨性。下面就來看看可以提高材料耐磨性的材料。1、聚四氟乙烯（PTFE，鐵氟龍）PTFE是所有耐加劑中有比較低的磨擦系數。在磨擦過程中磨出來的PTFE分子會在零件表面形成潤滑的薄膜。PTFE在磨擦剪力下有很好的潤滑性及耐磨性能，在高負荷應中，PTFE是比較好的耐磨添加劑。這些高負荷用包括液壓式活塞環封、推力墊圈。**適當的PTFE含...

以糠醛與聚碳硅烷的混合物為***碳源和預處理顆粒在該溶液中均勻分散，再以聚乙烯醇、丙烯酸及聚乙烯醇縮丁醛的混合物為粘接劑加入其中，進行球磨，球磨過程中的轉速為300轉/分，球磨時間為1h，得到第三漿料，將第三漿料在噴霧造粒塔中噴霧，得到平均尺寸為80微米的造粒粉。(3)將造粒粉均勻填滿模具，進行模壓成型，成型壓強為170mpa，保壓時間為10s，脫模得，然后置入真空包裝袋中，抽真空，再置于等靜壓機中等靜壓成型，成型壓力為400mpa，保壓時間為180s，得到***預制坯。(4)將***預制坯放置于真空排膠爐中，以每分鐘1℃的速度升溫至900℃，保溫4h，得到排膠后的***預制坯。(5)...

為實現傳動筒4的平穩傳動，可選地，如圖1至圖3所示，工藝盤組件還包括傳動架9，傳動架9的一端與傳動筒4背離波浪管6的一端固定連接，傳動架9的另一端用于與電機12的輸出軸連接，傳動架9用于帶動傳動筒4轉動。本實用新型對傳動架9的結構不做具體限定，例如，如圖3所示，傳動架9包括一對傳動法蘭91和用于連接兩傳動法蘭91的法蘭連接件92。推薦地，下方的傳動法蘭91通過聯軸器與電機12的輸出軸連接。為保證所述工藝盤組件運動的流暢性，推薦地，驅動軸3、傳動筒4和工藝盤轉軸1中至少一者的材料為奧氏體不銹鋼。本實用新型的發明人在研究中發現，現有的半導體設備出現旋轉卡頓的問題是因為運動件之間的潤滑油脂液...

半導體材料是什么？半導體材料（semiconductormaterial）是一類具有半導體性能（導電能力介于導體與絕緣體之間，電阻率約在1mΩ·cm～1GΩ·cm范圍內）、可用來制作半導體器件和集成電路的電子材料。自然界的物質、材料按導電能力大小可分為導體、半導體和絕緣體三大類。半導體的電阻率在1mΩ·cm～1GΩ·cm范圍（上限按謝嘉奎《電子線路》取值，還有取其1/10或10倍的；因角標不可用，暫用當前描述）。在一般情況下，半導體電導率隨溫度的升高而升高，這與金屬導體恰好相反。凡具有上述兩種特征的材料都可歸入半導體材料的范圍。反映半導體半導體材料內在基本性質的卻是各種外界因素如光、熱...

水平定向結晶法主要用于制備砷化鎵單晶，而垂直定向結晶法用于制備碲化鎘、砷化鎵。用各種方法生產的體單晶再經過晶體定向、滾磨、作參考面、切片、磨片、倒角、拋光、腐蝕、清洗、檢測、封裝等全部或部分工序以提供相應的晶片。在單晶襯底上生長單晶薄膜稱為外延。外延的方法有氣相、液相、固相、分子束外延等。工業生產使用的主要是化學氣相外延，其次是液相外延。金屬有機化合物氣相外延和分子束外延則用于制備量子阱及超晶格等微結構。非晶、微晶、多晶薄膜多在玻璃、陶瓷、金屬等襯底上用不同類型的化學氣相沉積、磁控濺射等方法制成。1、元素半導體材料硅在當前的應用相當***，他不僅是半導體集成電路，半導體器件和硅太陽能電...

所述奧氏體不銹鋼具體可以是316l不銹鋼，即，驅動軸3、傳動筒4和工藝盤轉軸1中至少一者的材料為316l不銹鋼。本實用新型將現有技術中旋轉件常用的304不銹鋼材料替換為316l不銹鋼，使得旋轉件在強度幾乎不變的同時，電阻率***降低，從而保證了工藝盤組件運動的流暢性。進一步推薦地，傳動筒4的外凸臺結構42與軸承座10之間的軸承材料也采用奧氏體不銹鋼(推薦為316l不銹鋼)。作為本實用新型的第二個方面，還提供一種半導體設備，包括工藝腔和工藝盤組件，其中，工藝盤組件為上文中描述的工藝盤組件，工藝盤組件的工藝盤01設置在工藝腔中。在本實用新型提供的半導體設備中，驅動連接部310為非圓柱體，驅...

驅動軸3通過非圓柱體的驅動連接部310與異形孔之間的配合將扭矩傳遞至驅動襯套2，從而能夠在工藝盤組件進行變速運動時，避免驅動軸3與驅動襯套2之間發生相對滑動，保證了驅動襯套2與驅動軸3之間的對位精度，進而提高了工藝盤轉軸1旋轉角度的控制精度。為實現驅動襯套2與工藝盤轉軸1的匹配，同時提高驅動襯套2與工藝盤轉軸1之間的對位精度，推薦地，如圖5至圖12所示，驅動襯套2的外壁上形成有至少一個定位凸起222，對應的，安裝孔的側壁上形成有至少一個定位槽，定位凸起222一一對應地插入定位槽中。如圖11、圖12所示為本實用新型的實施例中驅動襯套2插入工藝盤轉軸1的底端安裝孔時，定位凸起222插入定位...

表1實施例和對比例的碳化硅陶瓷的力學性能數據從上表1中可以看出，實施例得到的碳化硅陶瓷的抗彎強度均在400mpa左右，實施例2得到的碳化硅陶瓷的抗彎強度甚至高達451mpa，遠高于對比例得到的碳化硅陶瓷的抗彎強度。實施例得到的碳化硅陶瓷的顯微硬度至少為2441hv，致密度均在3g/cm3以上，而對比例得到的碳化硅陶瓷的抗顯微硬度和致密度均較低。由此可以看出，采用實施例中的碳化硅陶瓷的制備方法得到的碳化硅陶瓷的力學性能較好。以上所述實施例的各技術特征可以進行任意的組合，為使描述簡潔，未對上述實施例中的各個技術特征所有可能的組合都進行描述，然而，只要這些技術特征的組合不存在矛盾，都應當認為...

為實現傳動筒4的平穩傳動，可選地，如圖1至圖3所示，工藝盤組件還包括傳動架9，傳動架9的一端與傳動筒4背離波浪管6的一端固定連接，傳動架9的另一端用于與電機12的輸出軸連接，傳動架9用于帶動傳動筒4轉動。本實用新型對傳動架9的結構不做具體限定，例如，如圖3所示，傳動架9包括一對傳動法蘭91和用于連接兩傳動法蘭91的法蘭連接件92。推薦地，下方的傳動法蘭91通過聯軸器與電機12的輸出軸連接。為保證所述工藝盤組件運動的流暢性，推薦地，驅動軸3、傳動筒4和工藝盤轉軸1中至少一者的材料為奧氏體不銹鋼。本實用新型的發明人在研究中發現，現有的半導體設備出現旋轉卡頓的問題是因為運動件之間的潤滑油脂液...

工藝盤組件還包括軸承座10，傳動筒4的外凸臺結構42設置在軸承座10內，且傳動筒4的兩端設置在軸承座10外；外凸臺與軸承座10的內壁之間設置有前述的軸承，使得傳動筒4能夠繞軸線相對軸承座10旋轉；為便于安裝，如圖3所示，軸承座10可以包括上法蘭101和下法蘭102，上法蘭101和下法蘭102上均形成有軸孔，傳動筒4朝向工藝盤01的一端穿過上法蘭101上的軸孔，傳動筒4背離工藝盤01的一端穿過下法蘭102上的軸孔。為保證定位傳動筒4的軸向定位，避免傳動筒4在轉動時晃動，推薦地，上述滾針軸承為推力滾針軸承，且位于外凸臺結構42背離工藝盤01一側的推力滾針軸承與下法蘭102之間還設置有碟形彈...

再進行等靜壓成型的兩步成型方式能夠得到密度更大、更均勻的***預制坯。步驟s140：將***預制坯以℃/min～℃/min的速率升溫至900℃，保溫2h～4h，進行排膠。具體地，排膠過程在真空排膠爐中進行。通過上述排膠過程能夠除去***預制坯中的粘結劑、分散劑等有機物質。步驟s150：將***預制坯與第二碳源混合加熱，使第二碳源呈液態，然后加壓至3mpa～7mpa，得到第二預制坯。具體地，第二碳源包括石墨、炭黑、石油焦、糠醛、聚碳硅烷、瀝青、酚醛樹脂及環氧樹脂中的至少一種。在本實施方式中，第二碳源與***碳源可以相同，也可以不同。具體地，步驟s150包括：將***預制坯與第二碳源在28...

附圖標記說明01：工藝盤1：工藝盤轉軸2：驅動襯套210：***襯套部211：驅動通孔211a：避讓槽220：第二襯套部221：軸通孔222：定位凸起3：驅動軸310：驅動連接部320：驅動軸體部311：定位平面312：圓柱面4：傳動筒41：內凸臺結構42：外凸臺結構43：擋環槽5：密封襯套6：波浪管7：擋環8：調平件9：傳動架91：傳動法蘭92：法蘭連接件10：軸承座101：上法蘭102：下法蘭11：升降機構12：電機13：定位塊具體實施方式以下結合附圖對本實用新型的具體實施方式進行詳細說明。應當理解的是，此處所描述的具體實施方式*用于說明和解釋本實用新型，并不用于限制本實用新型。本...