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單擊View Topology按鈕進入SigXplorer拓撲編輯環境，可以按前面161節反射 中的實驗所學習的操作去編輯拓撲進行分析。也可以單擊Waveforms..按鈕去直接進行反射和 串擾的布線后仿真。 在提取出來的拓撲中，設置Controller的輸出激勵為Pulse,然后在菜單Analyze- Preferences..界面中設置Pulse頻率等參數， 單擊OK按鈕退出參數設置窗口，單擊工具欄中的Signal Simulate進行仿真分析， 在波形顯示界面里，只打開器件U104 (近端顆粒)管腳上的差分波形進行查看, 可以看到，差分時鐘波形邊沿正常，有一些反射。...

重復步驟6至步驟9,設置Memory器件U101、U102、U103和U104的模型為 memory.ibs模型文件中的Generic器件。 在所要仿真的時鐘網絡中含有上拉電阻(R515和R518),在模型賦置界面中找到 這兩個電阻，其Device Type都是R0402 47R,可以選中R0402 47R對這類模型統一進行設置, (12) 選中R0402 47R后,選擇Create ESpice Model...按鈕,在彈出的界面中單擊OK按 鈕，在界面中設置電阻模型后，單擊OK按鈕賦上電阻模型。 同步驟11、步驟12,將上拉電源處的電容(C583)賦置的電容模型。 ...

還可以給這個Bus設置一個容易區分的名字，例如把這個Byte改為ByteO,這樣就把 DQ0-DQ7, DM和DQS, DQS與Clock的總線關系設置好了。 重復以上操作，依次創建：DQ8?DQ15、DM1信號；DQS1/NDQS1選通和時鐘 CK/NCK的第2個字節Bytel,包括DQ16?DQ23、DM2信號；DQS2/NDQS2選通和時鐘 CK/NCK的第3個字節Byte2,包括DQ24?DQ31、DM3信號；DQS3/NDQS3選通和時鐘 CK/NCK的第4個字節Byte3。 開始創建地址、命令和控制信號，以及時鐘信號的時序關系。因為沒有多個Rank, 所以本例將把地...

走線阻抗/耦合檢查 走線阻抗/耦合檢查流程在PowerSI和SPEED2000中都有，流程也是一樣的。本例通過 Allegro Sigrity SI 啟動 Trace Impedance/Coupling Check,自動調用 PowerSI 的流程。下面通過實例來介紹走線阻抗/耦合檢查的方法。 啟動 Allegro Sigrity SI,打開 DDR_Case_Check.brd。單擊菜單 AnalyzeTrace Impedance/Coupling Check,在彈出的 SPDLINK Xnet Selection 窗口 中單擊 OK 按鈕。整個.brd 文件將被轉換成....

多數電子產品，從智能手機、PC到服務器，都用著某種形式的RAM存儲設備。由于相 對較低的每比特的成本提供了速度和存儲很好的結合，SDRAM作為大多數基于計算機產品 的主流存儲器技術被廣泛應用于各種高速系統設計中。 DDR是雙倍數率的SDRAM內存接口，其規范于2000年由JEDEC （電子工程設計發展 聯合協會）發布。隨著時鐘速率和數據傳輸速率不斷增加帶來的性能提升，電子工程師在確 保系統性能指標，或確保系統內部存儲器及其控制設備的互操作性方面的挑戰越來越大。存 儲器子系統的信號完整性早已成為電子工程師重點考慮的棘手問題。 DDR3內存的一致性測試可以修復一致性問題嗎？信息化DDR3...

DDR3拓撲結構規劃：Fly?by拓撲還是T拓撲 DDR1/2控制命令等信號，均采用T拓撲結構。到了 DDR3,由于信號速率提升，當負 載較多如多于4個負載時，T拓撲信號質量較差，因此DDR3的控制命令和時鐘信號均釆用 Fly.by拓撲。下面是在某項目中通過前仿真比較2片負載和4片負載時，T拓撲和Fly-by拓 撲對信號質量的影響，仿真驅動芯片為Altera芯片，IBIS文件 為arria5.ibs, DDR顆粒為Micron顆粒，IBIS模型文件為v70s.ibs。 分別標示了兩種拓撲下的仿真波形和眼圖，可以看到2片負載 時，Fly-by拓撲對DDR3控制和命令信號的改善作用...

單擊Next按鈕，出現Setup Trace Check Wizard窗口，確保網絡組的所有網絡都被選中, 單擊Finish按鈕。 單擊Save File with Error Check保存文件，保存結束后，單擊Start Simulation開始仿 真。仿真完成后，仿真結果包括Workflow中Results and Report的所有內容。如果在Setup Trace Check Parameters 的步驟 net selection 時選的是 check all signal nets 或者 check all enabled signal nets 模式，那么仿真結果...

DDR3： DDR3釆用SSTL_15接口，I/O 口工作電壓為1.5V；時鐘信號頻率為400? 800MHz；數據信號速率為800?1600Mbps,通過差分選通信號雙沿釆樣；地址/命令/控制信 號在1T模式下速率為400?800Mbps,在2T模式下速率為200?400Mbps；數據和選通信號 仍然使用點對點或樹形拓撲，時鐘/地址/命令/控制信號則改用Fly-by的拓撲布線；數據和選 通信號有動態ODT功能；使用Write Leveling功能調整時鐘和選通信號間因不同拓撲引起的 延時偏移，以滿足時序要求。DDR3一致性測試是否適用于特定應用程序和軟件環境？河北DDR3測試維修 創建工程...

DDR（Double Data Rate）是一種常見的動態隨機存取存儲器（DRAM）技術，它提供了較高的數據傳輸速度和帶寬。以下是DDR系統的概述： 架構：DDR系統由多個組件組成，包括主板、內存控制器、內存槽和DDR內存模塊。主板上的內存控制器負責管理和控制DDR內存模塊的讀寫操作。數據傳輸方式：DDR采用雙倍數據傳輸率，即在每個時鐘周期內進行兩次數據傳輸，相比于單倍數據傳輸率（SDR），DDR具有更高的帶寬。在DDR技術中，數據在上升沿和下降沿時都進行傳輸，從而實現雙倍數據傳輸。速度等級：DDR技術有多個速度等級，如DDR-200、DDR-400、DDR2-800、DDR3-16...

高速DDRx總線概述 DDR SDRAM 全稱為 Double Data Rate Synchronous Dynamic Random Access Memory? 中 文名可理解為“雙倍速率同步動態隨機存儲器”。DDR SDRAM是在原單倍速率SDR SDRAM 的基礎上改進而來的，嚴格地說DDR應該叫作DDR SDRAM,人們習慣稱之為DDR。 DDRx發展簡介 代DDR （通常稱為DDR1）接口規范于2000年由JEDEC組織 發布。DDR經過幾代的發展，現在市面上主要流行DDR3,而的DDR4規范也巳經發 布，甚至出現了部分DDR4的產品。Cadence的系統仿...

· 工業規范標準，Specification：如果所設計的功能模塊要實現某種工業標準接口或者協議，那一定要找到相關的工業規范標準，讀懂規范之后，才能開始設計。 因此，為實現本設計實例中的 DDR 模塊，需要的技術資料和文檔。 由于我們要設計 DDR 存儲模塊，那么在所有的資料當中，應該較早了解 DDR 規范。通過對 DDR 規范文件「JEDEC79R2.pdf」的閱讀，我們了解到，設計一個 DDR 接口，需要滿足規范中規定的 DC，AC 特性及信號時序特征。下面我們從設計規范要求和器件本身特性兩個方面來解讀，如何在設計中滿足設計要求。 DDR3一致性測試期間會測試哪些方面？江蘇...

重復以上步驟，分別對Meml?Mem4分配模型并建立總線時序關系，置完其中一個，單擊0K按鈕并在彈出窗口單擊Copy按鈕，將會同時更新其他Memory 模塊。 3.分配互連模型有3種方法可設置互連部分的模型：第1種是將已有的SPICE電路模型或S參數模型分配給相應模塊；第2種是根據疊層信息生成傳輸線模型；第3種是將互連模塊與印制電路板或封裝板關聯，利用模型提取工具按需提取互連模型。對前兩種方法大家比較熟悉，這里以第3種方法為例介紹其使用過程。 是否可以在運行操作系統時執行DDR3一致性測試？江西DDR3測試產品介紹 高速DDRx總線系統設計 首先簡要介紹DDRx的發展歷程，通...

單擊Check Stackup,設置PCB板的疊層信息。比如每層的厚度(Thickness)、介 電常數(Permittivity (Er))及介質損耗(LossTangent)。 單擊 Enable Trace Check Mode,確保 Enable Trace Check Mode 被勾選。在走線檢查 流程中，可以選擇檢查所有信號網絡、部分信號網絡或者網絡組(Net Gr。叩s)。可以通過 Prepare Nets步驟來選擇需要檢查的網絡。本例釆用的是檢查網絡組。檢查網絡組會生成較詳 細的阻抗和耦合檢查結果。單擊Optional： Setup Net Groups,出現Set...

DDR 系統概述 DDR 全名為 Double Data Rate SDRAM ，簡稱為 DDR。DDR 本質上不需要提高時鐘頻率就能加倍提高 SDRAM 的速度，它允許在時鐘的上升沿和下降沿讀/寫數據，因而其數據速率是標準 SDRAM 的兩倍，至于地址與控制信號與傳統 SDRAM 相同，仍在時鐘上升沿進行數據判決。 DDR 與 SDRAM 的對比DDR 是一個總線系統，總線包括地址線、數據信號線以及時鐘、控制線等。其中數據信號線可以隨著系統吞吐量的帶寬而調整，但是必須以字節為單位進行調整，例如，可以是 8 位、16 位、24 位或者 32 位帶寬等。 所示的是 DDR 總線的系統...

常見的信號質量包括閾值電平、Overshoot、Undershoot、Slew Rate> tDVAC等，DDRx 信號質量的每個參數JEDEC都給出了明確的規范。比如DDR3要求Overshoot和Undershoot 分別為0.4V,也就是說信號幅值P?P值應該在-0.4-1.9V,但在實際應用中由于不適合信號 端接使DDR信號質量變差，通過仿真就可以找出合適端接，使信號質量滿足JEDEC規范。 下面以DDR3 1066Mbps信號為例，通過一個實際案例說明DDR3信號質量仿真。 在本案例中客戶反映實測CLK信號質量不好。CLK信號從CUP (U100)出來經過4片 DDR3 (...

至此，DDR3控制器端各信號間的總線關系創建完畢。單擊OK按鈕，在彈出的提示窗 口中選擇Copy,這會將以上總線設置信息作為SystemSI能識別的注釋，連同原始IBIS文件 保存為一個新的IBIS文件。如果不希望生成新的IBIS文件，則也可以選擇Updateo 設置合適的 OnDie Parasitics 和 Package Parasiticso 在本例中。nDie Parasitics 選擇 None, Package Parasitics使用Pin RLC封裝模型。單擊OK按鈕保存并退出控制器端的設置。 On-Die Parasitics在仿真非理想電源地時影響很大，特...

創建工程啟動SystemSI工具，單擊左側Workflow下的LoadaNew/ExistingWorkspace菜單項,在彈出的WorkspaceFile對話框中選擇Createanewworkspace,單擊OK按鈕。在彈出的SelectModule對話框中選擇ParallelBusAnalysis模塊，單擊OK按鈕。選擇合適的License后彈出NewWorkspace對話框在NewWorkspace對話框中選擇Createbytemplate單選框，選擇個模板addr_bus_sparam_4mem,設置好新建Workspace的路徑和名字，單擊0K按鈕。如圖4-36所示，左側是W...

"DDRx"是一個通用的術語，用于表示多種類型的動態隨機存取存儲器（DRAM）標準，包括DDR2、DDR3和DDR4等。這里的"x"可以是任意一個數字，了不同的DDR代數。每一代的DDR標準在速度、帶寬、電氣特性等方面都有所不同，以適應不斷增長的計算需求和技術發展。下面是一些常見的DDR標準：DDR2：DDR2是第二代DDR技術，相比于DDR，它具有更高的頻率和帶寬，以及更低的功耗。DDR2還引入了一些新的技術和功能，如多通道架構和前瞻性預充電（prefetch）。DDR3：DDR3是第三代DDR技術，進一步提高了頻率和帶寬，并降低了功耗。DDR3內存模塊具有更高的密度和容量，可以支持更多的內...

還可以給這個Bus設置一個容易區分的名字，例如把這個Byte改為ByteO,這樣就把 DQ0-DQ7, DM和DQS, DQS與Clock的總線關系設置好了。 重復以上操作，依次創建：DQ8?DQ15、DM1信號；DQS1/NDQS1選通和時鐘 CK/NCK的第2個字節Bytel,包括DQ16?DQ23、DM2信號；DQS2/NDQS2選通和時鐘 CK/NCK的第3個字節Byte2,包括DQ24?DQ31、DM3信號；DQS3/NDQS3選通和時鐘 CK/NCK的第4個字節Byte3。 開始創建地址、命令和控制信號，以及時鐘信號的時序關系。因為沒有多個Rank, 所以本例將把地...

LPDDR2 (低功耗 DDR2) : LPDDR2 釆用 HSUL_12 接口，I/O 口工作電壓為 1.2V；時 鐘信號頻率為166?533MHz；數據和命令地址(CA)信號速率333?1066Mbps,并分別通過 差分選通信號和時鐘信號的雙沿釆樣；控制信號速率為166?533Mbps,通過時鐘信號上升沿 采樣；一般用于板載(Memory?down)設計，信號通常為點對點或樹形拓撲，沒有ODT功能。 LPDDR3 0氐功耗DDR3) : LPDDR3同樣釆用HSUL_12接口，I/O 口工作電壓為1.2V； 時鐘信號頻率為667?1066MHz；數據和命令地址(CA)信號速率為1...

重復步驟6至步驟9,設置Memory器件U101、U102、U103和U104的模型為 memory.ibs模型文件中的Generic器件。 在所要仿真的時鐘網絡中含有上拉電阻(R515和R518),在模型賦置界面中找到 這兩個電阻，其Device Type都是R0402 47R,可以選中R0402 47R對這類模型統一進行設置, (12) 選中R0402 47R后,選擇Create ESpice Model...按鈕,在彈出的界面中單擊OK按 鈕，在界面中設置電阻模型后，單擊OK按鈕賦上電阻模型。 同步驟11、步驟12,將上拉電源處的電容(C583)賦置的電容模型。 ...

重復以上步驟，分別對Meml?Mem4分配模型并建立總線時序關系，置完其中一個，單擊0K按鈕并在彈出窗口單擊Copy按鈕，將會同時更新其他Memory 模塊。 3.分配互連模型有3種方法可設置互連部分的模型：第1種是將已有的SPICE電路模型或S參數模型分配給相應模塊；第2種是根據疊層信息生成傳輸線模型；第3種是將互連模塊與印制電路板或封裝板關聯，利用模型提取工具按需提取互連模型。對前兩種方法大家比較熟悉，這里以第3種方法為例介紹其使用過程。 如何解決DDR3一致性測試期間出現的錯誤？廣東DDR3測試多端口矩陣測試 走線阻抗/耦合檢查 走線阻抗/耦合檢查流程在PowerSI和...

重復以上步驟，分別對Meml?Mem4分配模型并建立總線時序關系，置完其中一個，單擊0K按鈕并在彈出窗口單擊Copy按鈕，將會同時更新其他Memory 模塊。 3.分配互連模型有3種方法可設置互連部分的模型：第1種是將已有的SPICE電路模型或S參數模型分配給相應模塊；第2種是根據疊層信息生成傳輸線模型；第3種是將互連模塊與印制電路板或封裝板關聯，利用模型提取工具按需提取互連模型。對前兩種方法大家比較熟悉，這里以第3種方法為例介紹其使用過程。 在DDR3一致性測試期間能否繼續進行其他任務？通信DDR3測試推薦貨源 瀏覽選擇控制器的IBIS模型，切換到Bus Definition選項...

· 相關器件的應用手冊，ApplicationNote：在這個文檔中，廠家一般會提出一些設計建議，甚至參考設計，有時該文檔也會作為器件手冊的一部分出現在器件手冊文檔中。但是在資料的搜集和準備中，要注意這些信息是否齊備。 · 參考設計，ReferenceDesign：對于比較復雜的器件，廠商一般會提供一些參考設計，以幫助使用者盡快實現解決方案。有些廠商甚至會直接提供原理圖，用戶可以根據自己的需求進行更改。 · IBIS 文件：這個對高速設計而言是必需的，獲得的方法前面已經講過。 如何監控DDR3內存模塊的溫度進行一致性測試？北京DDR3測試DDR測試 走線阻抗/耦合檢查 ...

瀏覽選擇控制器的IBIS模型，切換到Bus Definition選項卡，單擊Add按鈕添加一 組新的Buso選中新加的一行Bus使其高亮，將鼠標移動到Signal Names下方高亮處，單擊 出現的字母E,打開Signal列表。勾選組數據和DM信號，單擊0K按鈕確認。 同樣，在Timing Ref下方高亮處，單擊出現的字母E打開TimingRef列表。在這個列表 窗口左側，用鼠標左鍵點選DQS差分線的正端，用鼠標右鍵點選負端，單擊中間的“>>”按 鈕將選中信號加入TimingRefs,單擊OK按鈕確認。 很多其他工具都忽略選通Strobe信號和時鐘Clock信號之間的時序分析功...

高速DDRx總線概述 DDR SDRAM 全稱為 Double Data Rate Synchronous Dynamic Random Access Memory? 中 文名可理解為“雙倍速率同步動態隨機存儲器”。DDR SDRAM是在原單倍速率SDR SDRAM 的基礎上改進而來的，嚴格地說DDR應該叫作DDR SDRAM,人們習慣稱之為DDR。 DDRx發展簡介 代DDR （通常稱為DDR1）接口規范于2000年由JEDEC組織 發布。DDR經過幾代的發展，現在市面上主要流行DDR3,而的DDR4規范也巳經發 布，甚至出現了部分DDR4的產品。Cadence的系統仿...

DDR3（Double Data Rate 3）是一種常見的動態隨機存取存儲器（DRAM）標準，它定義了數據傳輸和操作時的時序要求。以下是DDR3規范中常見的時序要求： 初始時序（Initialization Timing）tRFC：內存行刷新周期，表示在關閉時需要等待多久才能開啟并訪問一個新的內存行。tRP/tRCD/tRA：行預充電時間、行開放時間和行訪問時間，分別表示在執行讀或寫操作之前需要預充電的短時間、行打開后需要等待的短時間以及行訪問的持續時間。tWR：寫入恢復時間，表示每次寫操作之間小需要等待的時間。數據傳輸時序（Data Transfer Timing）tDQSS：數...

使用了一個 DDR 的設計實例，來講解如何規劃并設計一個 DDR 存儲系統，包括從系統性能分析，資料準備和整理，仿真模型的驗證和使用，布局布線約束規則的生成和復用，一直到的 PCB 布線完成，一整套設計方法和流程。其目的是幫助讀者掌握 DDR 系統的設計思路和方法。隨著技術的發展，DDR 技術本身也有了很大的改變，DDR 和 DDR2 基本上已經被市場淘汰，而 DDR3 是目前存儲系統的主流技術。 并且，隨著設計水平的提高和 DDR 技術的普及，大多數工程師都已經對如何設計一個 DDR 系統不再陌生，基本上按照通用的 DDR 設計規范或者參考案例，在系統不是很復雜的情況下，都能夠一次...

重復以上步驟，分別對Meml?Mem4分配模型并建立總線時序關系，置完其中一個，單擊0K按鈕并在彈出窗口單擊Copy按鈕，將會同時更新其他Memory 模塊。 3.分配互連模型有3種方法可設置互連部分的模型：第1種是將已有的SPICE電路模型或S參數模型分配給相應模塊；第2種是根據疊層信息生成傳輸線模型；第3種是將互連模塊與印制電路板或封裝板關聯，利用模型提取工具按需提取互連模型。對前兩種方法大家比較熟悉，這里以第3種方法為例介紹其使用過程。 DDR3內存的一致性測試是否需要長時間運行？黑龍江DDR3測試故障 DDR4： DDR4釆用POD12接口，I/O 口工作電壓為1.2V；時...

容量與組織：DDR規范還涵蓋了內存模塊的容量和組織方式。DDR內存模塊的容量可以根據規范支持不同的大小，如1GB、2GB、4GB等。DDR內存模塊通常以多個內存芯片排列組成，其中每個內存芯片被稱為一個芯粒（die），多個芯粒可以組成密集的內存模塊。電氣特性：DDR規范還定義了內存模塊的電氣特性，包括供電電壓、電流消耗、輸入輸出電平等。這些電氣特性對于確保DDR內存模塊的正常工作和兼容性至關重要。兼容性：DDR規范還考慮了兼容性問題，確保DDR內存模塊能夠與兼容DDR接口的主板和控制器正常配合。例如，保留向后兼容性，允許支持DDR接口的控制器工作在較低速度的DDR模式下。DDR3內存的一致性測試...