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場效應管電阻法測好壞:測電阻法是用萬用表測量場效應管的源極與漏極、柵極與源極、柵極與漏極、柵極G1與柵極G2之間的電阻值同場效應管手冊標明的電阻值是否相符去判別管的好壞。具體方法：首先將萬用表置于R×10或R×100檔，測量源極S與漏極D之間的電阻，通常在幾十歐到幾千歐范圍（在手冊中可知，各種不同型號的管，其電阻值是各不相同的），如果測得阻值大于正常值，可能是由于內部接觸不良；如果測得阻值是無窮大，可能是內部斷極。然后把萬用表置于R×10k檔，再測柵極G1與G2之間、柵極與源極、柵極與漏極之間的電阻值，當測得其各項電阻值均為無窮大，則說明管是正常的；若測得上述各阻值太小或為通路，則說明管是...

場效應管無標示管的判別:首先用測量電阻的方法找出兩個有電阻值的管腳，也就是源極S和漏極D，余下兩個腳為點柵極G1和柵極G2。把先用兩表筆測的源極S與漏極D之間的電阻值記下來，對調表筆再測量一次，把其測得電阻值記下來，兩次測得阻值較大的一次，黑表筆所接的電極為漏極D；紅表筆所接的為源極S。用這種方法判別出來的S、D極，還可以用估測其管的放大能力的方法進行驗證，即放大能力大的黑表筆所接的是D極；紅表筆所接地是S極，兩種方法檢測結果均應一樣。當確定了漏極D、源極S的位置后，按D、S的對應位置裝人電路，一般G1、G2也會依次對準位置，這就確定了兩個柵極G1、G2的位置，從而就確定了D、S、G1、G...

場效應管注意事項:結型場效應管的柵源電壓不能接反，可以在開路狀態下保存，而絕緣柵型場效應管在不使用時，由于它的輸入電阻非常高，須將各電極短路，以免外電場作用而使管子損壞。焊接時，電烙鐵外殼必須裝有外接地線，以防止由于電烙鐵帶電而損壞管子。對于少量焊接，也可以將電烙鐵燒熱后拔下插頭或切斷電源后焊接。特別在焊接絕緣柵場效應管時，要按源極－漏極－柵極的先后順序焊接，并且要斷電焊接。對于功率型場效應管，要有良好的散熱條件。因為功率型場效應管在高負荷條件下運用，必須設計足夠的散熱器，確保殼體溫度不超過額定值，使器件長期穩定可靠地工作。 場效應管很高的輸入阻抗非常適合作阻抗變換。常用于多級放大器的輸入...

盟科MK3004N大功率MOS用于榨汁機，手持咖啡機，破壁機等家電產品，其內阻可以做到4毫歐以為，芯片面積大，EAS雪崩能力強，可達40A，電流可達100A，電壓為30V，N溝道的場效應管，封裝形式為貼片TO-252，產品穩定，可以提供樣品測試，技術支持，深圳盟科電子科技有限公司坐落于深圳市寶安區，成立于2010年，主要專注場效應管的研發，制造還有應用，同時還有三極管，二極管，穩壓管，LDO等產品，主要領域為消費類市場，歡迎客戶洽談合作。 場效應管可以用作電子開關。惠州好的場效應管產品介紹 場效應管無標示管的判別:首先用測量電阻的方法找出兩個有電阻值的管腳，也就是源極S和漏極D，余下兩個...

與雙極型晶體管相比，場效應管具有如下特點。（1）場效應管是電壓控制器件，它通過VGS(柵源電壓)來控制ID（漏極電流）；（2）場效應管的控制輸入端電流極小，因此它的輸入電阻（107～1012Ω）很大。（3）它是利用多數載流子導電，因此它的溫度穩定性較好；（4）它組成的放大電路的電壓放大系數要小于三極管組成放大電路的電壓放大系數；（5）場效應管的抗輻射能力強；（6）由于它不存在雜亂運動的電子擴散引起的散粒噪聲，所以噪聲低。 場效應管的失真多為偶次諧波失真，聽感好。高壓場效應管銷售廠 MOS場效應管的測試方式(1)．打算工作測量之前，先把人體對地短路后，才能摸觸MOSFET的管腳。在手腕上接...

各類音頻放大器具有各自的優點及屬性，也各有其不足之處，而場效應管放大器主流兼具晶體管和電子管兩者的優勢，同時還具備兩者所沒有的優勢。在電路程式上，大量實踐證明，單端甲類功放是以效率換音質的典范，具有出色的音樂魅力。不少發燒友從單純追求音質出發，反復制作功放，反復對比聽音，非常終為A類所動，似乎覺得沒有A類的音樂猶如孤獨的音樂。各類音頻放大器具有各自的優點及屬性，也各有其不足之處，而場效應管放大器主流兼具晶體管和電子管兩者的優勢，同時還具備兩者所沒有的優勢。在電路程式上，大量實踐證明，單端甲類功放是以效率換音質的典范，具有出色的音樂魅力。不少發燒友從單純追求音質出發，反復制作功放，反復對比聽...

根據場效應管的PN結正、反向電阻值不一樣的現象，可以判別出結型場效應管的三個電極。具體方法：將萬用表撥在R×1k檔上，任選兩個電極，分別測出其正、反向電阻值。當某兩個電極的正、反向電阻值相等，且為幾千歐姆時，則該兩個電極分別是漏極D和源極S。因為對結型場效應管而言，漏極和源極可互換，剩下的電極肯定是柵極Ｇ。也可以將萬用表的黑表筆（紅表筆也行）任意接觸一個電極，另一只表筆依次去接觸其余的兩個電極，測其電阻值。當出現兩次測得的電阻值近似相等時，則黑表筆所接觸的電極為柵極，其余兩電極分別為漏極和源極。若兩次測出的電阻值均很大，說明是ＰＮ結的反向，即都是反向電阻，可以判定是Ｎ溝道場效應管，且黑表筆...

2N7002和2N7002K是一款帶ESD防靜電保護的場效應管，封裝形式為SOT-23，深圳市盟科電子科技有限公司從2010年成立至今一直專注場效應管的研發、生產和應用。主要生產場效應管，三極管，二極管，可控硅，LDO等。質量可靠，且提供全程的售前售后服務。這款2N7002產品是N溝道增強型帶靜電保護MOS，ESD可達2000V，其電壓BVDSS是大于60V，電流ID可達300mA，阻抗Rdon在VGS@10V檔位下典型值為1歐姆，開啟電壓VGS(th)典型值在2-4V。本款產品包裝為3000PCS，標準絲印為7002和02K，也可以支持ODM定制，交期大多在15天就可以產出。主要用于電腦...

三極管是流控型器件，MOS管是壓控型器件，可控硅不單單是流控型器件，稍微復雜一點。分別介紹。三極管的控制方式三極管是常用的電子元器件，可以用作開關，也可以用作信號放大。三極管分為NPN型和PNP型，當三極管的PN結正向偏置之后，三極管導通。對于NPN三極管而言：在基極是高電平時，三極管導通；在基極是低電平時，三極管截至。對于PNP三極管而言：在基極是高電平時，三極管截至；在基極是低電平時，三極管導通。MOS管的控制方式MOS管是壓控型的器件，與三極管相比較，其過電流能力會更大。MOS管分為NMOS管和PMOS管。其導通條件不一樣。NMOS管，在Vgs>0時導通，Vgs<><0時導通，vgs...

場效應管是電壓控制元件，而晶體管是電流控制元件。在只允許從信號源取較少電流的情況下，應選用場效應管；而在信號電壓較低，又允許從信號源取較多電流的條件下，應選用晶體管。場效應管是利用多數載流子導電，所以稱之為單極型器件，而晶體管是既有多數載流子，也利用少數載流子導電，被稱之為雙極型器件。有些場效應管的源極和漏極可以互換使用，柵壓也可正可負，靈活性比三極管好。場效應管能在很小電流和很低電壓的條件下工作，而且它的制造工藝可以很方便地把很多場效應管集成在一塊硅片上，因此場效應管在大規模集成電路中得到了普遍的應用。 漏極(D)，載流子通過漏極離開溝道。通常，在漏極處進入通道的電流由ID表示。小家電場...

用測電阻法判別無標志的場效應管：首先用測量電阻的方法找出兩個有電阻值的管腳，也就是源極Ｓ和漏極Ｄ，余下兩個腳為點柵極G1和柵極G2。把先用兩表筆測的源極Ｓ與漏極Ｄ之間的電阻值記下來，對調表筆再測量一次，把其測得電阻值記下來，兩次測得阻值較大的一次，黑表筆所接的電極為漏極Ｄ；紅表筆所接的為源極Ｓ。用這種方法判別出來的Ｓ、Ｄ極，還可以用估測其管的放大能力的方法進行驗證，即放大能力大的黑表筆所接的是Ｄ極；紅表筆所接地是８極，兩種方法檢測結果均應一樣。當確定了漏極Ｄ、源極Ｓ的位置后，按Ｄ、Ｓ的對應位置裝人電路，一般G1、G2也會依次對準位置，這就確定了兩個柵極G1、G2的位置，從而就確定了Ｄ、S、...

場效應管具有輸入阻抗高、低噪聲等特點，因此經常作為多級放大電流的輸入級，與三極管一樣，根據輸入、輸出回路公共端選擇不同，將場效應管放電電路分為共源、公漏、共柵三種狀態，如下圖是場效應管共源放大電路，其中：Rg是柵極電阻，將Rs壓降加至柵極；Rd是漏極電阻，將漏極電流轉換成漏極電壓，并影響放大倍數Au；Rs是源極電阻，為柵極提供偏壓；C3是旁路電容，消除Rs對交流信號的衰減。由于場效應管是電壓型控制器件，它的柵極幾乎不取電流，輸入阻抗非常高，其實要想獲得較大恒流輸出，并且精度提高可以采取基準源與比較器結合方法來獲得所需要的效果。 場效應管場效應管更好的熱穩定性，抗輻射性和較低噪聲 。SOT-...

場效應管在過渡層由于沒有電子、空穴的自由移動，在理想狀態下幾乎具有絕緣特性，通常電流也難流動。但是此時漏極-源極間的電場，實際上是兩個過渡層接觸漏極與門極下部附近，由于漂移電場拉去的高速電子通過過渡層。因漂移電場的強度幾乎不變產生ID的飽和現象。其次，VGS向負的方向變化，讓VGS=VGS(off)，此時過渡層大致成為覆蓋全區域的狀態。而且VDS的電場大部分加到過渡層上，將電子拉向漂移方向的電場，只有靠近源極的很短部分，這更使電流不能流通。 場效應晶體管的一個常見用途是用作放大器。高壓場效應管供應 C-MOS場效應管（增強型MOS場效應管）電路將一個增強型P溝道MOS場效應管和一個增強型...

場效應管的類型：DEPFET 是在完全耗盡的襯底中形成的場效應晶體管，同時充當傳感器、放大器和存儲器節點。它可以用作圖像(光子)傳感器。FREDFET (快速反向或快速恢復外延二極管場效應晶體管)是一種用于提供非常快速的重啟（關閉）體二極管的特殊的場效應晶體管，HIGFET (異質結構絕緣柵場效應晶體管)現在主要用于研究MODFET(調制摻雜場效應晶體管)是使用通過在有源區分級摻雜形成的量子阱結構的高電子遷移率晶體管。TFET ( 隧道場效應晶體管)是以帶對帶隧道基的晶體管IGBT(IGBT高頻爐)是一種功率控制裝置。它與類雙極的主導電溝道的MOSFET的結構，并常用于200-3000伏的漏源...

場效應管的測試判定估測場效應管的放大能力: 將萬用表撥到R×100檔，紅表筆接源極S，黑表筆接漏極D，相當于給場效應管加上1.5V的電源電壓。這時表針指示出的是D-S極間電阻值。然后用手指捏柵極G，將人體的感應電壓作為輸入信號加到柵極上。由于管子的放大作用，UDS和ID都將發生變化，也相當于D-S極間電阻發生變化，可觀察到表針有較大幅度的擺動。如果手捏柵極時表針擺動很小，說明管子的放大能力較弱；若表針不動，說明管子已經損壞。 場效應管它屬于電壓控制型半導體器件。具有輸入電阻高（107～1015Ω）。金華固電場效應管制造商 場效應管注意事項:結型場效應管的柵源電壓不能接反，可以在開路狀態下...

場效應管大功率如何使用：為了防止場效應管柵極感應擊穿,要求一切測試儀器、工作臺、電烙鐵、線路本身都必須有良好的接地;管腳在焊接時,先焊源極;在連入電路之前,管的全部引線端保持互相短接狀態,焊接完后才把短接材料去掉;從元器件架上取下管時,應以適當的方式確保人體接地如采用接地環等。在安裝場效應管時,注意安裝的位置要盡量避免靠近發熱元件;為了防管件振動,有必要將管殼體緊固起來;管腳引線在彎曲時,應當大于根部尺寸5毫米處進行,以防止彎斷管腳和引起漏氣等.場效應管布局走線合理，整機穩定性高，信噪比佳，音樂細節有很好表現 。嘉興金屬氧化半導體場效應管作用 場效應管電阻法測電極:根據場效應管的PN結正、反...

場效應管介紹：場效應晶體管（縮寫FET）簡稱場效應管。由多數載流子參與導電，也稱為單極型晶體管。屬于電壓控制型半導體器件。具有輸入電阻高（10^8~10^9Ω）、噪聲小、功耗低、動態范圍大、易于集成、沒有二次擊穿現象、安全工作區域寬等優點。場效應管是電壓控制器件，它通過VGS（柵源電壓）來控制ID（漏極電流）；場效應管的輸入端電流極小，因此它的輸入電阻很大。它是利用多數載流子導電，因此它的溫度穩定性較好；它組成的放大電路的電壓放大系數要小于三極管組成放大電路的電壓放大系數；由于不存在雜亂運動的少子擴散引起的散粒噪聲，所以噪聲相對會比較低。大多數場效應晶體管都有第四個電極。廣州N溝耗盡型場效應管...

場效應晶體管的溝道是摻雜n型半導體或p型半導體的結果。在增強型場效應晶體管中，漏極和源極可以摻雜與溝道相反的類型，或者摻雜與耗盡型場效應晶體管類似的類型。場效應晶體管也可由溝道和柵極之間的絕緣方法來區分。場效應晶體管的類型包括:結型場效應管(結型場效應晶體管)使用反向偏置的pn結將柵極與主體電極分開MOSFET (金屬氧化物半導體場效應晶體管)將絕緣體(通常SiO2)置于漏極和主體電極之間。MNOS 金屬-氮化物-氧化物-半導體晶體管將氮化物-氧化物層絕緣體置于柵極和主體電極之間。DGMOSFET ( 雙柵極MOSFET )，一種具有兩個絕緣柵極的場效應晶體管。場效應管的噪聲系數很小，在低噪聲...

場效應管的主要參數：① 開啟電壓VGS（th） （或VT）開啟電壓是MOS增強型管的參數，柵源電壓小于開啟電壓的好不要值，場效應管不能導通。② 夾斷電壓VGS（off） （或VP）夾斷電壓是耗盡型FET的參數，當VGS=VGS（off） 時，漏極電流為零。③ 飽和漏極電流IDSS耗盡型場效應三極管，當VGS=0時所對應的漏極電流。④ 輸入電阻RGS場效應三極管的柵源輸入電阻的典型值，對于結型場效應三極管，反偏時RGS約大于107Ω，對于絕緣柵場型效應三極管，RGS約是109～1015Ω。結型場效應管(結型場效應晶體管)使用反向偏置的pn結將柵極與主體電極分開。廣州MOS場效應管參數 場效應管...

場效應管注意事項:結型場效應管的柵源電壓不能接反，可以在開路狀態下保存，而絕緣柵型場效應管在不使用時，由于它的輸入電阻非常高，須將各電極短路，以免外電場作用而使管子損壞。焊接時，電烙鐵外殼必須裝有外接地線，以防止由于電烙鐵帶電而損壞管子。對于少量焊接，也可以將電烙鐵燒熱后拔下插頭或切斷電源后焊接。特別在焊接絕緣柵場效應管時，要按源極－漏極－柵極的先后順序焊接，并且要斷電焊接。對于功率型場效應管，要有良好的散熱條件。因為功率型場效應管在高負荷條件下運用，必須設計足夠的散熱器，確保殼體溫度不超過額定值，使器件長期穩定可靠地工作。 場效應管轉換速率較高，高頻特性好。杭州N溝耗盡型場效應管多少錢 ...

場效應管無標示管的判別:首先用測量電阻的方法找出兩個有電阻值的管腳，也就是源極S和漏極D，余下兩個腳為點柵極G1和柵極G2。把先用兩表筆測的源極S與漏極D之間的電阻值記下來，對調表筆再測量一次，把其測得電阻值記下來，兩次測得阻值較大的一次，黑表筆所接的電極為漏極D；紅表筆所接的為源極S。用這種方法判別出來的S、D極，還可以用估測其管的放大能力的方法進行驗證，即放大能力大的黑表筆所接的是D極；紅表筆所接地是S極，兩種方法檢測結果均應一樣。當確定了漏極D、源極S的位置后，按D、S的對應位置裝人電路，一般G1、G2也會依次對準位置，這就確定了兩個柵極G1、G2的位置，從而就確定了D、S、G1、G...

貼片場效應管:1：場效應管是電壓控制器件，管子的導電情況取決于柵極電壓的高低。晶體管是電流控制器件，管子的導電情況取決于基極電流的大小。 2：場效應管漏源靜態伏安特性以柵極電壓UGS為參變量，晶體管輸出特性曲線以基極電流Ib 為參變量。3：場效應管電流IDS與柵極UGS之間的關系由跨導Gm 決定，晶體管電流Ic與Ib 之間的關系由放大系數β決定。也就是說，場效應管的放大能力用Gm 衡量，晶體管的放大能力用β衡量。4：場效應管的輸入阻抗很大，輸入電流極小；晶體管輸入阻抗很小，在導電時輸入電流較大。5：一般場效應管功率較小，晶體管功率較大。場效應管在源極金屬與襯底連在一起時，源極和漏極可以互換使用...

場效應管注意事項:用25W電烙鐵焊接時應迅速，若用45～75W電烙鐵焊接，應用鑷子夾住管腳根部以幫助散熱。結型場效應管可用表電阻檔定性地檢查管子的質量（檢查各PN結的正反向電阻及漏源之間的電阻值），而絕緣柵場效管不能用萬用表檢查，必須用測試儀，而且要在接入測試儀后才能去掉各電極短路線。取下時，則應先短路再取下，關鍵在于避免柵極懸空。在要求輸入阻抗較高的場合使用時，必須采取防潮措施，以免由于溫度影響使場效應管的輸入電阻降低。如果用四引線的場效應管，其襯底引線應接地。陶瓷封裝的芝麻管有光敏特性，應注意避光使用。 場效應管當柵壓為零，漏極電流也為零，必須再加一定的柵壓之后才有漏極電流的稱為增強型...

場效應管電極：所有的FET都有柵極（gate）、漏極（drain）、源極（source）三個端，分別大致對應BJT的基極（base）、集電極（collector）和發射極（emitter）。除JFET以外，所有的FET也有第四端，被稱為體（body）、基（base）、塊體（bulk）或襯底（substrate）。這個第四端可以將晶體管調制至運行；在電路設計中，很少讓體端發揮大的作用，但是當物理設計一個集成電路的時候，它的存在就是重要的。在圖中柵極的長度（length）L，是指源和漏的距離。寬度（width）是指晶體管的范圍，在圖中和橫截面垂直。通常情況下寬度比長度大得多。長度1微米的柵極限...

場效應管輸入電阻基本是無窮大，但是GS之間存在一個電容，而且場效應管能承受電流越大，Cgs一般也越大，在高速開關時，MOS會在突然導通與突然關斷之間切換，那么前級的推動電路就需要對MOS的輸入電容進行充放電，如果不要驅動電路，推動電路加在MOS上的電壓上升速度或下降速度就可能不能滿足要求（推動輸出電阻越大，MOS的Vgs上升或下降越慢），這樣就使得MOS在相當一部分時間內工作在線性區域，從而導致開關效率降低！例如用500型萬用表R×1檔實測一只IRFPC50型VMOS管，RDS（on）=3.2W，大于0.58W（典型值）（4）檢查跨導將萬用表置于R×1k（或R×100）檔，紅表筆接S極，黑表筆...

C-MOS場效應管（增強型MOS場效應管）電路將一個增強型P溝道MOS場效應管和一個增強型N溝道MOS場效應管組合在一起使用。當輸入端為低電平時，P溝道MOS場效應管導通，輸出端與電源正極接通。當輸入端為高電平時，N溝道MOS場效應管導通，輸出端與電源地接通。在該電路中，P溝道MOS場效應管和N溝道MOS場效應管總是在相反的狀態下工作，其相位輸入端和輸出端相反。通過這種工作方式我們可以獲得較大的電流輸出。同時由于漏電流的影響，使得柵壓在還沒有到0V，通常在柵極電壓小于1到2V時，MOS場效應管既被關斷。 場效應管由于它不存在雜亂運動的電子擴散引起的散粒噪聲，所以噪聲低。廣州加強型場效應管分...

場效應管的參數:場效應管的參數很多，包括直流參數、交流參數和極限參數，但一般使用時關注以下主要參數：1、I DSS — 飽和漏源電流。是指結型或耗盡型絕緣柵場效應管中，柵極電壓U GS=0時的漏源電流。　2、UP — 夾斷電壓。是指結型或耗盡型絕緣柵場效應管中，使漏源間剛截止時的柵極電壓。　3、UT — 開啟電壓。是指增強型絕緣柵場效管中，使漏源間剛導通時的柵極電壓。4、gM — 跨導。是表示柵源電壓U GS — 對漏極電流I D的控制能力，即漏極電流I D變化量與柵源電壓UGS變化量的比值。gM 是衡量場效應管放大能力的重要參數。在場效應晶體管中，當以線性模式工作時，電子可以沿任意方向流過溝...

場效應管是電壓控制元件，而晶體管是電流控制元件。在只允許從信號源取較少電流的情況下，應選用場效應管；而在信號電壓較低，又允許從信號源取較多電流的條件下，應選用晶體管。場效應管是利用多數載流子導電，所以稱之為單極型器件，而晶體管是既有多數載流子，也利用少數載流子導電，被稱之為雙極型器件。有些場效應管的源極和漏極可以互換使用，柵壓也可正可負，靈活性比三極管好。場效應管能在很小電流和很低電壓的條件下工作，而且它的制造工藝可以很方便地把很多場效應管集成在一塊硅片上，因此場效應管在大規模集成電路中得到了普遍的應用。場效應管輸出為輸入的2次冪函數。溫州V型槽場效應管生產C-MOS場效應管（增強型MOS場效...

場效應晶體管的溝道是摻雜n型半導體或p型半導體的結果。在增強型場效應晶體管中，漏極和源極可以摻雜與溝道相反的類型，或者摻雜與耗盡型場效應晶體管類似的類型。場效應晶體管也可由溝道和柵極之間的絕緣方法來區分。場效應晶體管的類型包括:結型場效應管(結型場效應晶體管)使用反向偏置的pn結將柵極與主體電極分開MOSFET (金屬氧化物半導體場效應晶體管)將絕緣體(通常SiO2)置于漏極和主體電極之間。MNOS 金屬-氮化物-氧化物-半導體晶體管將氮化物-氧化物層絕緣體置于柵極和主體電極之間。DGMOSFET ( 雙柵極MOSFET )，一種具有兩個絕緣柵極的場效應晶體管。場效應晶體管以電子或空穴中的一種...

場效應管估測放大能力:將萬用表撥到R×100檔，紅表筆接源極S，黑表筆接漏極D，相當于給場效應管加上1.5V的電源電壓。這時表針指示出的是D-S極間電阻值。然后用手指捏柵極G，將人體的感應電壓作為輸入信號加到柵極上。由于管子的放大作用，UDS和ID都將發生變化，也相當于D-S極間電阻發生變化，可觀察到表針有較大幅度的擺動。如果手捏柵極時表針擺動很小，說明管子的放大能力較弱；若表針不動，說明管子已經損壞。由于人體感應的50Hz交流電壓較高，而不同的場效應管用電阻檔測量時的工作點可能不同，因此用手捏柵極時表針可能向右擺動，也可能向左擺動。少數的管子RDS減小，使表針向右擺動，多數管子的RDS增大，...