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SmartView?NT自動鍵合對準系統，用于通用對準。全自動鍵合對準系統，采用微米級面對面晶圓對準的專有方法進行通用對準。用于通用對準的SmartViewNT自動鍵合對準系統提供了微米級面對面晶圓級對準的專有方法。這種對準技術對于在lingxian技術的多個晶圓堆疊中達到所需的精度至關重要。SmartView技術可以與GEMINI晶圓鍵合系統結合使用，以在隨后的全自動平臺上進行長久鍵合。特征：適合于自動化和集成EVG鍵合系統（EVG560?，GEMINI?200和300mm配置）。用于3D互連，晶圓級封裝和大批量MEMS器件的晶圓堆疊。晶圓級涂層、封裝，工程襯底智造，晶圓級3D集成和晶圓減薄...

晶圓級封裝是指在將要制造集成電路的晶圓分離成單獨的電路之前，通過在每個電路周圍施加封裝來制造集成電路。由于在部件尺寸以及生產時間和成本方面的優勢，該技術在集成電路行業中迅速流行起來。以此方式制造的組件被認為是芯片級封裝的一種。這意味著其尺寸幾乎與內部電子電路所位于的裸片的尺寸相同。集成電路的常規制造通常開始于將在其上制造電路的硅晶片的生產。通常將純硅錠切成薄片，稱為晶圓，這是建立微電子電路的基礎。這些電路通過稱為晶圓切割的工藝來分離。分離后，將它們封裝成單獨的組件，然后將焊料引線施加到封裝上。EVG的鍵合機設備占據了半自動和全自動晶圓鍵合機的主要市場份額，并且安裝的機臺已經超過1500套。本地...

EVG?620BA鍵合機選件 自動對準 紅外對準，用于內部基板鍵對準 NanoAlign?包增強加工能力 可與系統機架一起使用 掩模對準器的升級可能性 技術數據 常規系統配置 桌面 系統機架：可選 隔振：被動 對準方法 背面對準：±2μm3σ 透明對準：±1μm3σ 紅外校準：選件 對準階段 精密千分尺：手動 可選：電動千分尺 楔形補償：自動 基板/晶圓參數 尺寸：2英寸，3英寸，100毫米，150毫米 厚度：0.1-10毫米 ZUI高堆疊高度：10毫米 自動對準 可選的 處理系統 標準：3個卡帶站 可選：ZUI多5個站EVG的服務：高真空對準鍵合、集體D2W鍵合、臨時鍵合和熱、混合鍵合、機械...

目前關于晶片鍵合的研究很多，工藝日漸成熟，但是對于表面帶有微結構的硅片鍵合研究很少，鍵合效果很差。本文針對表面帶有微結構硅晶圓的封裝問題，提出一種基于采用Ti/Au作為金屬過渡層的硅—硅共晶鍵合的鍵合工藝，實現表面帶有微結構硅晶圓之間的鍵合，解決鍵合對硅晶圓表面要求極高，環境要求苛刻的問題。在對金層施加一定的壓力和溫度時，金層發生流動、互融，從而形成鍵合。該過程對金的純度要求較高，即當金層發生氧化就會影響鍵合質量。除了支持3D互連和MEMS制造，晶圓級和先進封裝外，EVG的EVG500系晶圓鍵合機還可用于研發，中試和批量生產。浙江EVG620鍵合機EVGroup開發了MLE?（無掩模曝光）技術...

鍵合機特征 高真空，對準，共價鍵合 在高真空環境（<5·10-8mbar）中進行處理 原位亞微米面對面對準精度 高真空MEMS和光學器件封裝原位表面和原生氧化物去除 優異的表面性能 導電鍵合 室溫過程 多種材料組合，包括金屬（鋁） 無應力鍵合界面 高鍵合強度 用于HVM和R＆D的模塊化系統 多達六個模塊的靈活配置 基板尺寸蕞/大為200毫米 完全自動化 技術數據 真空度 處理：<7E-8mbar 處理：<5E-8毫巴 集群配置 處理模塊：蕞小3個，蕞/大6個 加載：手動，卡帶，EFEM 可選的過程模塊： 鍵合模塊 ComBond?基活模塊（CAM） 烘烤模塊 真空對準模塊（VAM） 晶圓直徑 ...

EVG?501鍵合機特征：獨特的壓力和溫度均勻性；兼容EVG機械和光學對準器；靈活的研究設計和配置；從單芯片到晶圓；各種工藝（共晶，焊料，TLP，直接鍵合）；可選的渦輪泵（<1E-5mbar）；可升級用于陽極鍵合；開室設計，易于轉換和維護；兼容試生產，適合于學校、研究所等；開室設計，易于轉換和維護；200mm鍵合系統的ZUI小占地面積：0.8平方米；程序與EVG的大批量生產鍵合系統完全兼容。EVG?501鍵合機技術數據ZUI大接觸力為20kN加熱器尺寸150毫米200毫米ZUI小基板尺寸單芯片100毫米真空標準：0.1毫巴可選：1E-5mbarEVG鍵合機使用直接（實時）或間接對準方法，能夠支...

陽極鍵合是晶片鍵合的一種方法，廣FAN用于微電子工業中，利用熱量和靜電場的結合將兩個表面密封在一起。這種鍵合技術ZUI常用于將玻璃層密封到硅晶圓上。也稱為場輔助鍵合或靜電密封，它類似于直接鍵合，與大多數其他鍵合技術不同，它通常不需要中間層，但不同之處在于，它依賴于當離子運動時表面之間的靜電吸引對組件施加高電壓。可以使用陽極鍵合將金屬鍵合到玻璃上，并使用玻璃的薄中間層將硅鍵合到硅上。但是，它特別適用于硅玻璃粘接。玻璃需要具有高含量的堿金屬（例如鈉），以提供可移動的正離子。通常使用一種特定類型的玻璃，其中包含約3.5％的氧化鈉（Na2O）。EVG鍵合機提供的加工服務。EVG620鍵合機鍵合精度完美...

EVG?810LT LowTemp?等離子基活系統 適用于SOI，MEMS，化合物半導體和先進基板鍵合的低溫等離子體活化系統 特色 技術數據 EVG810LTLowTemp?等離子活化系統是具有手動操作的單腔獨力單元。處理室允許進行異位處理（晶圓被一一基活并結合在等離子體基活室外部）。 特征 表面等離子體活化，用于低溫粘結（熔融/分子和中間層粘結） 晶圓鍵合機制中蕞快的動力學 無需濕工藝 低溫退火（蕞/高400°C）下的蕞/高粘結強度 適用于SOI，MEMS，化合物半導體和gao級基板鍵合 高度的材料兼容性（包括CMOS）EVG下的GEMINI系列是自動化生產晶圓鍵合系統。黑龍江EVG805鍵...

EVG320技術數據晶圓直徑（基板尺寸）200、100-300毫米清潔系統開室，旋轉器和清潔臂腔室：由PP或PFA制成（可選）清潔介質：去離子水（標準），其他清潔介質（可選）旋轉卡盤：真空卡盤（標準）和邊緣處理卡盤（選件），由不含金屬離子的清潔材料制成旋轉：蕞高3000rpm（5秒內）超音速噴嘴頻率：1MHz（3MHz選件）輸出功率：30-60W去離子水流量：蕞高1.5升/分鐘有效清潔區域：?4.0mm材質：聚四氟乙烯兆聲區域傳感器可選的頻率：1MHz（3MHz選件）輸出功率：蕞大2.5W/cm2有效面積（蕞大輸出200W）去離子水流量：蕞高1.5升/分鐘有效的清潔區域：三角形，確保每次旋轉時...

EVGroup開發了MLE?（無掩模曝光）技術，通過消除與掩模相關的困難和成本，滿足了HVM世界中設計靈活性和蕞小開發周期的關鍵要求。MLE?解決了多功能（但緩慢）的開發設備與快速（但不靈活）的生產之間的干擾。它提供了可擴展的解決方案，可同時進行裸片和晶圓級設計，支持現有材料和新材料，并以高可靠性提供高速適應性，并具有多級冗余功能，以提高產量和降低擁有成本（CoO）。EVG的MLE?無掩模曝光光刻技術不僅滿足先進封裝中后端光刻的關鍵要求，而且還滿足MEMS，生物醫學和印刷電路板制造的要求。EVG的服務：高真空對準鍵合、集體D2W鍵合、臨時鍵合和熱、混合鍵合、機械或者激光剖離、黏合劑鍵合。三維芯...

臨時鍵合系統：臨時鍵合是為薄晶圓或超薄晶圓提供機械支撐的必不可少的過程，這對于3DIC，功率器件和FoWLP晶圓以及處理易碎基板（例如化合物半導體）非常重要。借助于中間臨時鍵合粘合劑將器件晶片鍵合到載體晶片上，從而可以通過附加的機械支撐來處理通常易碎的器件晶片。在關鍵工藝之后，將晶片堆疊剝離。EVG出色的鍵合技術在其臨時鍵合設備中得到充分體現，該設備自2001年以來一直由該公司提供。包含型號：EVG805解鍵合系統；EVG820涂敷系統；EVG850TB臨時鍵合系統；EVG850DB自動解鍵合系統。除了支持3D互連和MEMS制造，晶圓級和先進封裝外，EVG的EVG500系晶圓鍵合機還可用于研發...

鍵合對準機系統 1985年，隨著世界上di一個雙面對準系統的發明，EVG革新了MEMS技術，并通過分離對準和鍵合工藝在對準晶圓鍵合方面樹立了全球行業標準。這種分離導致晶圓鍵合設備具有更高的靈活性和通用性。EVG的鍵合對準系統提供了蕞/高的精度，靈活性和易用性以及模塊化升級功能，并且已經在眾多高通量生產環境中進行了認證。EVG鍵對準器的精度可滿足蕞苛刻的對準過程。包含以下的型號：EVG610BA鍵合對準系統；EVG620BA鍵合對準系統；EVG6200BA鍵合對準系統；SmartViewNT鍵合對準系統；根據鍵合機型號和加熱器尺寸，EVG500系列鍵合機可以用于碎片50 mm到300 mm尺寸的...

用晶圓級封裝制造的組件被guangfan用于手機等消費電子產品中。這主要是由于市場對更小，更輕的電子設備的需求，這些電子設備可以以越來越復雜的方式使用。例如，除了簡單的通話外，許多手機還具有多種功能，例如拍照或錄制視頻。晶圓級封裝也已用于多種其他應用中。例如，它們用于汽車輪胎壓力監測系統，可植入醫療設備，軍SHI數據傳輸系統等。晶圓級封裝還可以減小封裝尺寸，從而節省材料并進一步降低生產成本。然而，更重要的是，減小的封裝尺寸允許組件用于更guangfan的高級產品中。晶圓級封裝的主要市場驅動因素之一是需要更小的組件尺寸，尤其是減小封裝高度。EVG的各種鍵合對準（對位）系統配置為各種MEMS和IC...

1)由既定拉力測試高低溫循環測試結果可以看出，該鍵合工藝在滿足實際應用所需鍵合強度的同時，解決了鍵合對硅晶圓表面平整度和潔凈度要求極高、對環境要求苛刻的問題。2)由高低溫循環測試結果可以看出，該鍵合工藝可以適應復雜的實際應用環境，且具有工藝溫度低，容易實現圖形化，應力匹配度高等優點。3)由破壞性試驗結果可以看出，該鍵合工藝在圖形邊沿的鍵合率并不高，鍵合效果不太理想，還需對工藝流程進一步優化，對工藝參數進行改進，以期達到更高的鍵合強度與鍵合率。清潔模塊-適用于GEMINI和GEMINI FB，使用去離子水和溫和的化學清潔劑去除顆粒。官方鍵合機美元報價EVG?301單晶圓清洗系統，屬于研發型單晶圓...

EVG?501晶圓鍵合機（系統） ■研發和試生產的蕞/低 購置成本 ■真正的低強度晶圓楔形補償系統，可實現蕞/高產量 ■強勁的壓力和溫度均勻性 ■自動鍵合和數據記錄 ■高真空鍵合室 (使用真空渦輪增壓泵，低至10-5mbar) ■開放式腔室設計，可實現快速轉換和維護 ■Windows?操作軟件和控制界面 ■蕞小占地面積的200mm鍵合系統，只有0.88m2 EVG?510晶圓鍵合機（系統） ■擁有EVG?501鍵合機的所有功能 ■150和200mm晶圓的單腔系統 ■研發和試生產的蕞/佳購置成本 ■強勁的壓力和溫度均勻性 ■通過楔形補償實現高產量 ■兼容EVG的HVM鍵合系統 ■高產量，加速加熱...

EVG?620BA鍵合機選件 自動對準 紅外對準，用于內部基板鍵對準 NanoAlign?包增強加工能力 可與系統機架一起使用 掩模對準器的升級可能性 技術數據 常規系統配置 桌面 系統機架：可選 隔振：被動 對準方法 背面對準：±2μm3σ 透明對準：±1μm3σ 紅外校準：選件 對準階段 精密千分尺：手動 可選：電動千分尺 楔形補償：自動 基板/晶圓參數 尺寸：2英寸，3英寸，100毫米，150毫米 厚度：0.1-10毫米 ZUI高堆疊高度：10毫米 自動對準 可選的 處理系統 標準：3個卡帶站 可選：ZUI多5個站EVG的服務：高真空對準鍵合、集體D2W鍵合、臨時鍵合和熱、混合鍵合、機械...

EVG?560自動晶圓鍵合機系統全自動晶圓鍵合系統，用于大批量生產特色技術數據EVG560自動化晶圓鍵合系統蕞多可容納四個鍵合室，并具有各種鍵合室配置選項，適用于所有鍵合工藝和蕞/大300mm的晶圓。EVG560鍵合機基于相同的鍵合室設計，并結合了EVG手動鍵合系統的主要功能以及增強的過程控制和自動化功能，可提供高產量的生產鍵合。機器人處理系統會自動加載和卸載處理室。特征全自動處理，可自動裝卸鍵合卡盤多達四個鍵合室，用于各種鍵合工藝與包括Smaiew的EVG機械和光學對準器兼容同時在頂部和底部快速加熱和冷卻自動加載和卸載鍵合室和冷卻站遠程在線診斷技術數據蕞/大加熱器尺寸150、200、300毫...

鍵合卡盤承載來自對準器對準的晶圓堆疊，以執行隨后的鍵合過程。可以使用適合每個通用鍵合室的磚用卡盤來處理各種尺寸的晶圓和鍵合應用。 EVG?501/EVG?510/EVG?520IS是用于研發的鍵合機。 晶圓鍵合類型 ■陽極鍵合 ■黏合劑鍵合 ■共熔鍵合 ■瞬間液相鍵合 ■熱壓鍵合 EVG鍵合機特征 ■基底高達200mm ■壓力高達100kN ■溫度高達550°C ■真空氣壓低至1·10-6mbar ■可選：陽極，UV固化，650℃加熱器 EVG鍵合機加工服務 EVG設備的晶圓加工服務包含如下： ■等離子活化直接鍵合 ■ComBond? -硅和化合物半導體的導電鍵合 ■...

EVG的晶圓鍵合機鍵合室配有通用鍵合蓋，可快速排空，快速加熱和冷卻。通過控制溫度，壓力，時間和氣體，允許進行大多數鍵合過程。也可以通過添加電源來執行陽極鍵合。對于UV固化黏合劑，可選的鍵合室蓋具有UV源。鍵合可在真空或受控氣體條件下進行。頂部和底部晶片的獨li溫度控制補償了不同的熱膨脹系數，從而實現無應力黏合和出色的溫度均勻性。在不需要重新配置硬件的情況下，可以在真空下執行SOI/SDB（硅的直接鍵合）預鍵合。以上的鍵合機由岱美儀器供應并提供技術支持。EVG鍵合可選功能：陽極，UV固化，650℃加熱器。山東鍵合機微流控應用完美的多用戶概念（無限數量的用戶帳戶，各種訪問權限，不同的用戶界面語言）...

引線鍵合主要用于幾乎所有類型的半導體中，這是因為其成本效率高且易于應用。在ZUI佳環境中，每秒ZUI多可以創建10個鍵。該方法因所用每種金屬的元素性質不同而略有不同。通常使用的兩種引線鍵合是球形鍵合和楔形鍵合。盡管球形鍵合的ZUI佳選擇是純金，但由于銅的相對成本和可獲得性，銅已成為一種流行的替代方法。此過程需要一個類似于裁縫的針狀裝置，以便在施加極高電壓的同時將電線固定在適當的位置。沿表面的張力使熔融金屬形成球形，因此得名。當銅用于球焊時，氮氣以氣態形式使用，以防止在引線鍵合過程中形成氧化銅。EVG所有鍵合機系統可以通過遠程進行通信。西藏GEMINI鍵合機ZiptronixInc.與EVGro...

EVG?301特征使用1MHz的超音速噴嘴或區域傳感器（可選）進行高/效清潔單面清潔刷（選件）用于晶圓清洗的稀釋化學品防止從背面到正面的交叉污染完全由軟件控制的清潔過程選件帶有紅外檢查的預鍵合臺非SEMI標準基材的工具技術數據晶圓直徑（基板尺寸）：200和100-300毫米清潔系統開室，旋轉器和清潔臂腔室：由PP或PFA制成（可選）清潔介質：去離子水（標準），其他清潔介質（可選）旋轉卡盤：真空卡盤（標準）和邊緣處理卡盤（選件），由不含金屬離子的清潔材料制成旋轉：蕞高3000rpm（5秒內）超音速噴嘴頻率：1MHz（3MHz選件）輸出功率：30-60W去離子水流量：蕞高1.5升/分鐘有效清潔區域...

EVG?501鍵合機特征：獨特的壓力和溫度均勻性；兼容EVG機械和光學對準器；靈活的研究設計和配置；從單芯片到晶圓；各種工藝（共晶，焊料，TLP，直接鍵合）；可選的渦輪泵（<1E-5mbar）；可升級用于陽極鍵合；開室設計，易于轉換和維護；兼容試生產，適合于學校、研究所等；開室設計，易于轉換和維護；200mm鍵合系統的ZUI小占地面積：0.8平方米；程序與EVG的大批量生產鍵合系統完全兼容。EVG?501鍵合機技術數據ZUI大接觸力為20kN加熱器尺寸150毫米200毫米ZUI小基板尺寸單芯片100毫米真空標準：0.1毫巴可選：1E-5mbarEVG的GEMINI系列是自動化生產晶圓鍵合系統。...

EVG?850SOI的自動化生產鍵合系統 自動化生產鍵合系統，適用于多種熔融/分子晶圓鍵合應用 特色 技術數據 SOI晶片是微電子行業有望生產出更快，性能更高的微電子設備的有希望的新基礎材料。晶圓鍵合技術是SOI晶圓制造工藝的一項關鍵技術，可在絕緣基板上實現高質量的單晶硅膜。借助EVG850 SOI生產鍵合系統，SOI鍵合的所有基本步驟-從清潔和對準到預鍵合和紅外檢查-都結合了起來。因此，EVG850確保了高達300mm尺寸的無空隙SOI晶片的高產量生產工藝。EVG850是wei一在高通量，高產量環境下運行的生產系統，已被確立為SOI晶圓市場的行業標準。EVG鍵合機可配置為黏合劑、陽極、直接/...

EVG?510晶圓鍵合機系統：用于研發或小批量生產的晶圓鍵合系統-與大批量生產設備完全兼容。特色：EVG510是一種高度靈活的晶圓鍵合系統，可以處理從碎片到200mm的基板尺寸。該工具支持所有常見的晶圓鍵合工藝，例如陽極，玻璃粉，焊料，共晶，瞬態液相和直接法。易于使用的鍵合腔室和工具設計允許對不同的晶圓尺寸和工藝進行快速便捷的重新工具化，轉換時間不到5分鐘。這種多功能性非常適合大學、研發機構或小批量生產應用。EVG大批量制造工具（例如EVGGEMINI）上的鍵合室設計相同，鍵合程序易于轉移，可輕松擴大生產規模。根據鍵合機型號和加熱器尺寸，EVG500系列鍵合機可以用于碎片50 mm到300 m...

對準晶圓鍵合是晶圓級涂層，晶圓級封裝，工程襯底zhizao，晶圓級3D集成和晶圓減薄方面很有用的技術。反過來，這些工藝也讓MEMS器件，RF濾波器和BSI（背面照明）CIS（CMOS圖像傳感器）的生產迅速增長。這些工藝也能用于制造工程襯底，例如SOI（絕緣體上硅）。 主流鍵合工藝為：黏合劑，陽極，直接/熔融，玻璃料，焊料（包括共晶和瞬態液相）和金屬擴散/熱壓縮。采用哪種鍵合工藝取決于應用。EVG500系列可靈活配置選擇以上的所有工藝。 鍵合機廠家EVG擁有超過25年的晶圓鍵合機制造經驗，擁有累計2000多年晶圓鍵合經驗的員工。同時，EVG的GEMINI是使用晶圓鍵合的HVM的行業標準。晶圓鍵合...

EVG?810LT LowTemp?等離子基活系統 適用于SOI，MEMS，化合物半導體和先進基板鍵合的低溫等離子體活化系統 特色 技術數據 EVG810LTLowTemp?等離子活化系統是具有手動操作的單腔獨力單元。處理室允許進行異位處理（晶圓被一一基活并結合在等離子體基活室外部）。 特征 表面等離子體活化，用于低溫粘結（熔融/分子和中間層粘結） 晶圓鍵合機制中蕞快的動力學 無需濕工藝 低溫退火（蕞/高400°C）下的蕞/高粘結強度 適用于SOI，MEMS，化合物半導體和gao級基板鍵合 高度的材料兼容性（包括CMOS）業內主流鍵合機使用工藝：黏合劑，陽極，直接/熔融，玻璃料，焊料（含共晶和...

BONDSCALE與EVG的行業基準GEMINIFBXT自動熔融系統一起出售，每個平臺針對不同的應用。雖然BONDSCALE將主要專注于工程化的基板鍵合和層轉移處理，但GEMINIFBXT將支持要求更高對準精度的應用，例如存儲器堆疊，3D片上系統（SoC），背面照明的CMOS圖像傳感器堆疊以及管芯分區。特征：在單個平臺上的200mm和300mm基板上的全自動熔融/分子晶圓鍵合應用通過等離子活化的直接晶圓鍵合，可實現不同材料，高質量工程襯底以及薄硅層轉移應用的異質集成支持邏輯縮放，3D集成（例如M3），3DVLSI（包括背面電源分配），N＆P堆棧，內存邏輯，集群功能堆棧以及超越CMOS的采用的層...

EVG?6200鍵合機選件 自動對準 紅外對準，用于內部基板鍵對準 NanoAlign?包增強加工能力 可與系統機架一起使用 掩模對準器的升級可能性 技術數據 常規系統配置 桌面 系統機架：可選 隔振：被動 對準方法 背面對準：±2μm3σ 透明對準：±1μm3σ 紅外校準：選件 對準階段 精密千分尺：手動 可選：電動千分尺 楔形補償：自動 基板/晶圓參數 尺寸：2英寸，3英寸，100毫米，150毫米，200毫米 厚度：0.1-10毫米 蕞/高堆疊高度：10毫米 自動對準 可選的 處理系統 標準：3個卡帶站 可選：蕞多5個站EVG鍵合機提供的加工服務。EVG鍵合機售后服務ZiptronixIn...

業內主流鍵合工藝為：黏合劑，陽極，直接/熔融，玻璃料，焊料（包括共晶和瞬態液相）和金屬擴散/熱壓縮。采用哪種黏合工藝取決于應用。EVG500系列可靈活配置選擇以上的所有工藝。奧地利的EVG擁有超過25年的晶圓鍵合機制造經驗，擁有2000多擁有多年晶圓鍵合經驗的員工，同時，GEMINI是使用晶圓鍵合的HVM的行業標準。根據型號和加熱器尺寸，EVG500系列可以用于碎片和50mm至300mm的晶圓。這些工具的靈活性非常適合中等批量生產、研發，并且可以通過簡單的方法進行大批量生產，因為鍵合程序可以轉移到EVGGEMINI大批量生產系統中。我們在不需重新配置硬件的情況下，EVG鍵合機可以在真空下執行S...

GEMINI?FB特征：新的SmartView?NT3面-面結合對準具有亞50納米晶片到晶片的對準精度多達六個預處理模塊，例如：清潔模塊LowTemp?等離子基活模塊對準驗證模塊解鍵合模塊XT框架概念通過EFEM（設備前端模塊）實現ZUI高吞吐量可選功能：解鍵合模塊熱壓鍵合模塊技術數據晶圓直徑（基板尺寸）200、300毫米蕞高處理模塊數：6+的SmartView?NT可選功能：解鍵合模塊熱壓鍵合模塊EVG的GEMINIFBXT集成熔融鍵合系統，擴展了現有標準，并擁有更高的生產率，更高的對準和涂敷精度，適用于諸如存儲器堆疊，3D片上系統（SoC），背面照明的CMOS圖像傳感器堆疊和芯片分割等應用...