但本領域普通技術人員可以理解到，晶圓制作方法1500的各個步驟不*可以對一整個晶圓進行，也可以針對單一個芯片進行。在一實施例當中，如果要讓內框結構的晶圓層厚度小于邊框結構的晶圓層厚度，可以反復執行步驟1520與1530。在***次執行步驟1520時，屏蔽層的圖樣*包含邊框區域。***次執行蝕刻步驟1530時，蝕刻的深度到達內框結構的厚度。接著，第二次執行步驟1530，屏蔽層的圖樣包含了內框區域。接著，第二次的蝕刻步驟1530可以將晶圓層蝕刻到一半的高度。如此一來，就有厚薄不一的邊框結構與方框結構。步驟1540：去除晶圓上的屏蔽層。如圖16d所示，屏蔽層1610已經被去除。本領域普通技術人員可以理解到，去除屏蔽層是公知的技術，不在此詳述。步驟1550：在晶圓上制造一或多層金屬層。本步驟可以在蝕刻后的第二表面822上制造該金屬層。步驟1550可以使用多種工法的其中之一來進行。這些工法包含濺射(sputter)、蒸鍍或化學氣相沉積(cvd,chemicalvapordeposition)、電鍍(plating)或是涂布法。金屬層可以包含一或多層金屬層，該金屬層可以包含單一金屬、合金或金屬化合物。舉例來說，該金屬層可以包含鈦鎳銀鎳合金(tiniagni)、鎳鋁合金(alni)、鋁銅鈷合金(alcuni)、鈦銅鎳合金。咸陽12英寸半導體晶圓代工。汕頭半導體晶圓供應商

    其中該中心凹陷區域是方形。在一實施例中，為了讓基板區域的電阻值降低，其中在該邊框結構區域的該***表面至該第二表面的距離，大于或等于在該凹陷區域的該***表面至該第二表面的距離的兩倍。在一實施例中，為了讓基板區域的電阻值降低，其中在該邊框結構區域的該***表面至該第二表面的距離，大于或等于在該***環狀凹陷區域或該中心凹陷區域的該***表面至該第二表面的距離的兩倍。在一實施例中，為了讓基板區域的電阻值降低，其中在該邊框結構區域的該***表面至該第二表面的距離，大于或等于在該***內框結構區域的該***表面至該第二表面的距離。在一實施例中，為了節省金屬層的厚度以便節省成本，其中該第四表面具有向該第三表面凹陷的一金屬層凹陷區域，該金屬層凹陷區域在該第二表面的投影區域位于該中心凹陷區域當中。在一實施例中，為了設計與制作的方便，其中該金屬層凹陷區域與該凹陷區域的形狀相應，該金屬層凹陷區域的面積小于該中心凹陷區域的面積。根據本申請的一實施例，提供一種半導體晶圓，其特征在于，其中該半導體晶圓當中預定切割出一***芯片區域，該***芯片區域包含如所述的半導體組件的基板結構。在一實施例中。大連半導體晶圓廠家現貨國內半導體晶圓廠家哪家好？

    基座110受到旋轉器140轉動。舉例而言，在實務上，基座110的轉速實質上為10rpm，**半導體晶圓200亦以實質上為10rpm的低轉速旋轉。如此一來，半導體晶圓200可均勻地暴露于發射自微波產生器130的微波w，借此可進一步促進半導體晶圓200的干燥過程。在實際應用中，旋轉器140與基座110的組合亦可視為前文所述的單晶圓濕處理設備的旋轉基座。請參照圖3，其為依據本發明另一實施方式的半導體晶圓干燥設備100的剖視圖。在本實施方式中，如圖3所示，殼體120的排氣口121包含多個穿孔h2。如此一來，原本位于半導體晶圓200表面的水轉換而成的水蒸氣s可經由穿孔h2排出。可依據實際情況彈性地設計殼體120。綜合以上，相較于公知技術，本發明的上述實施方式至少具有以下優點：(1)運用微波移除先前的工藝殘留于半導體晶圓表面上的水，使得干燥過程變得簡單，從而能有效降低干燥半導體晶圓的作業成本。(2)由于微波產生器平均地環繞腔室分布，微波可均勻地進入腔室內，并均勻地到達位于腔室內的半導體晶圓，從而促進干燥過程。(3)由于半導體晶圓以約10rpm的低轉速旋轉，半導體晶圓可均勻地暴露于發射自微波產生器的微波，借此可促進干燥過程。盡管已以特定實施方式詳細地描述本發明。

    圖9a至圖9d揭示了根據本發明的又一個實施例的聲波晶圓清洗工藝。圖10a至圖10c揭示了根據本發明的又一個實施例的聲波晶圓清洗工藝。圖11a至圖11b揭示了根據本發明的又一個實施例的聲波晶圓清洗工藝。圖12a至圖12b揭示了根據本發明的又一個實施例的聲波晶圓清洗工藝。圖13a至圖13b揭示了根據本發明的又一個實施例的聲波晶圓清洗工藝。圖14a至圖14b揭示了根據本發明的又一個實施例的聲波晶圓清洗工藝。圖15a至圖15c揭示了在聲波清洗晶圓過程中穩定的氣穴振蕩損傷晶圓的圖案結構。圖15d揭示了根據本發明的一個實施例的晶圓清洗的流程圖。圖16a至圖16c揭示了根據本發明的一個實施例的晶圓清洗工藝。圖17揭示了根據本發明的另一個實施例的晶圓清洗工藝。圖18a至圖18j揭示了氣泡氣穴振蕩控制增強新鮮清洗液在晶圓上的通孔或槽內的循環。圖19a至圖19d揭示了對應于聲能的氣泡體積變化。圖20a至圖20d揭示了根據本發明的一個實施例的有效清洗具有高深寬比的通孔或槽的特征的聲波晶圓清洗工藝。圖21a至圖21c揭示了根據本發明的另一個實施例的清洗工藝。圖22a至圖22b揭示了根據本發明的另一個實施例的使用聲能清洗晶圓的工藝。半導體產品的加工過程主要包括晶圓制造和封裝測試。

    在一實施例中，為了保護該金屬層，并且降低物理應力與熱應力的影響，該基板結構更包含：一樹酯層，具有相對應的一第五表面與一第六表面，其中該第五表面的形狀相應于該第四表面。在一實施例中，為了讓基板結構所承載的半導體組件的設計簡化，其中該邊框結構區域依序包含***邊結構區域、第二邊結構區域、第三邊結構區域與第四邊結構區域，該***邊結構區域與該第三邊結構區域的寬度相同。在一特定實施例中，為了讓基板結構所承載的半導體組件的設計更加簡化，其中該***邊結構區域、該第二邊結構區域、該第三邊結構區域與該第四邊結構區域的寬度相同。在一實施例中，為了讓基板結構適應所承載的半導體組件的不同設計，其中該邊框結構區域依序包含***邊結構區域、第二邊結構區域、第三邊結構區域與第四邊結構區域，該***邊結構區域與該第三邊結構區域的寬度不同。在一特定實施例中，為了讓基板結構適應所承載的半導體組件的具有更大的設計彈性，其中該***邊結構區域、該第二邊結構區域、該第三邊結構區域與該第四邊結構區域的寬度均不相同。在一實施例中，為了配合大多數矩形芯片的形狀，其中該中心凹陷區域是矩形。在一實施例中，為了配合大多數方形芯片的形狀。半導體晶圓推薦咨詢??上海半導體晶圓誠信經營

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    請參考圖10a所示，其為根據本申請一實施例的半導體基板的結構1000的剖面示意圖。和圖9所示的實施例不同之處，在于該結構1000包含了金屬層1010與樹酯層1040。為了減薄在邊框結構與內框結構之間的金屬層810，可以在上述區域中使用較厚的樹酯層1040來替換掉金屬層1010的金屬。和圖9所示的結構900相比，該金屬層1010的第四表面1014與該晶圓層820的***表面821的**短距離，要小于該金屬層810的第四表面與該晶圓層820的***表面的**短距離。由于該結構1000的金屬層1010的大部分比該結構900的金屬層810的大部分較薄，因此可以節省金屬本身的成本，也可以節省制作該金屬層810的步驟的成本。請參考圖10b所示，其為根據本申請一實施例的半導體基板的結構1000的剖面示意圖。圖10b所示的實施例是圖10a所示實施例的一種變形。和圖10a的金屬層1010相比，圖10b所示實施例的金屬層1010比較厚。圖10b所示實施例的其余特征均與圖10a所示實施例相同。請參考圖11a所示，其為根據本申請一實施例的半導體基板的結構的剖面1100的一示意圖。該結構的剖面1100可以是圖8a所示結構800的cc線剖面，也可以是圖9所示結構900的cc線剖面，還可以是圖10b所示結構1000的dd線剖面。為了方便說明起見。汕頭半導體晶圓供應商

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