在微流體領域，Polos系列光刻機通過無掩模技術實現了復雜3D流道結構的快速成型。例如，中科院理化所利用類似技術制備跨尺度微盤陣列，研究細胞球浸潤行為，為組織工程提供了新型生物界面設計策略10。Polos設備的精度與靈活性可支持此類仿生結構的批量生產，推動醫療診斷芯片的研發。無掩模光刻技術可以隨意進行納米級圖案化，無需使用速度慢且昂貴的光罩。這種便利對于科研和快速原型制作非常有用。POL0S@ Beam XL在性能上沒有任何妥協的情況下，將該技術帶到了桌面上，進一步提升了其優勢。亞微米級精度：0.8 mmost小線寬，支持高精度微流體芯片與MEMS器件制造。河南POLOSBEAM光刻機MAX層厚可達到10微米

大尺寸晶圓的高效處理：Polos-BESM XL的優勢！Polos-BESM XL Mk2專為6英寸晶圓設計，寫入區域達155×155 mm，平臺重復性精度0.1 m，滿足工業級需求。搭配20x/0.75 NA尼康物鏡和120 FPS高清攝像頭，實時觀測與多層對準功能使其成為光子晶體和柔性電子器件研究的理想工具。其BEAM Xplorer軟件簡化復雜圖案設計，內置高性能筆記本實現快速數據處理62。無掩模激光光刻 (MLL) 是一種微加工技術，用于在基板上以高精度和高分辨率創建復雜圖案。一個新加坡研究團隊通過無縫集成硬件和軟件組件，開發出一款緊湊且經濟高效的 MLL 系統。通過與計算機輔助設計軟件無縫集成，操作員可以輕松輸入任意圖案進行曝光。該系統占用空間小，非常適合研究實驗室，并broad應用于微流體、電子學和納/微機械系統等各個領域。該系統的經濟高效性使其優勢擴展到大學研究實驗室以外的領域，為半導體和醫療公司提供了利用其功能的機會。陜西德國BEAM光刻機不需要緩慢且昂貴的光掩模圖案靈活性：支持 STL 模型直接導入，30 分鐘完成從設計到曝光全流程。

Polos光刻機與弗勞恩霍夫ILT的光束整形技術結合，可定制激光輪廓以優化能量分布，減少材料蒸發和飛濺，提升金屬3D打印效率7。這種跨領域技術融合為工業級微納制造（如光學元件封裝）提供新思路，推動智能制造向高精度、低能耗方向發展Polos系列broad兼容AZ、SU-8等光刻膠，通過優化曝光參數（如能量密度與聚焦深度）實現不同材料的高質量加工。例如，使用AZ5214E時，可調節光束強度以減少側壁粗糙度，提升微結構的功能性。這一特性使其在生物相容性器件（如仿生傳感器）中表現outstanding26。

可編程微流控芯片需要集成電路控制與流體通道，傳統工藝需多次掩模對準，良率only 30%。Polos 光刻機的多材料同步曝光技術，支持在同一塊基板上直接制備金屬電極與 PDMS 通道，將良率提升至 85%。某微系統實驗室利用該特性，開發出可實時切換流路的生化分析芯片，通過軟件輸入不同圖案，10 分鐘內即可完成從 DNA 擴增到蛋白質檢測的模塊切換。該成果應用于 POCT 設備，使現場快速檢測系統的體積縮小 60%，檢測時間縮短至傳統方法的 1/3。無掩模激光光刻 (MLL) 是一種微加工技術，用于在基板上以高精度和高分辨率創建復雜圖案。一個新加坡研究團隊通過無縫集成硬件和軟件組件，開發出一款緊湊且經濟高效的 MLL 系統。通過與計算機輔助設計軟件無縫集成，操作員可以輕松輸入任意圖案進行曝光。該系統占用空間小，非常適合研究實驗室，并broad應用于微流體、電子學和納/微機械系統等各個領域。該系統的經濟高效性使其優勢擴展到大學研究實驗室以外的領域，為半導體和醫療公司提供了利用其功能的機會。光學超材料突破：光子晶體結構precise制造，賦能超透鏡與隱身技術研究。

石墨烯、二硫化鉬等二維材料的器件制備依賴高精度圖案轉移，Polos 光刻機的激光直寫技術避免了傳統濕法轉移的污染問題。某納米電子實驗室在 SiO基底上直接曝光出 10nm 間隔的電極陣列，成功制備出石墨烯場效應晶體管，其電子遷移率達 2×10 cm/(Vs)，接近理論極限。該技術支持快速構建多種二維材料異質結，使器件研發效率提升 5 倍，相關成果推動二維材料在柔性電子、量子計算領域的應用研究進入快車道。無掩模激光光刻 (MLL) 是一種微加工技術，用于在基板上以高精度和高分辨率創建復雜圖案。一個新加坡研究團隊通過無縫集成硬件和軟件組件，開發出一款緊湊且經濟高效的 MLL 系統。通過與計算機輔助設計軟件無縫集成，操作員可以輕松輸入任意圖案進行曝光。該系統占用空間小，非常適合研究實驗室，并broad應用于微流體、電子學和納/微機械系統等各個領域。該系統的經濟高效性使其優勢擴展到大學研究實驗室以外的領域，為半導體和醫療公司提供了利用其功能的機會。生物界面創新：微納結構可控加工，為組織工程提供新型仿生材料解決方案。河南POLOSBEAM光刻機MAX層厚可達到10微米

能源收集：微型壓電收集器效率 35%，低頻振動發電支持無源物聯網。河南POLOSBEAM光刻機MAX層厚可達到10微米

針對碳化硅（SiC）功率模塊的柵極刻蝕難題，Polos 光刻機的激光直寫技術實現了 20nm 的邊緣粗糙度控制，較傳統光刻膠工藝提升 5 倍。某新能源汽車芯片廠商利用該設備，將 SiC MOSFET 的導通電阻降低 15%，開關損耗減少 20%，推動車載逆變器效率突破 99%。其靈活的圖案編輯功能支持快速驗證新型柵極結構，使器件研發周期從 12 周壓縮至 4 周，助力我國在第三代半導體領域實現彎道超車。無掩模激光光刻 (MLL) 是一種微加工技術，用于在基板上以高精度和高分辨率創建復雜圖案。一個新加坡研究團隊通過無縫集成硬件和軟件組件，開發出一款緊湊且經濟高效的 MLL 系統。通過與計算機輔助設計軟件無縫集成，操作員可以輕松輸入任意圖案進行曝光。該系統占用空間小，非常適合研究實驗室，并broad應用于微流體、電子學和納/微機械系統等各個領域。該系統的經濟高效性使其優勢擴展到大學研究實驗室以外的領域，為半導體和醫療公司提供了利用其功能的機會。河南POLOSBEAM光刻機MAX層厚可達到10微米