植入式神經(jīng)電極需要兼具生物相容性與導(dǎo)電性能，表面微圖案可remarkable影響細(xì)胞 - 電極界面。Polos 光刻機(jī)在鉑銥合金電極表面刻制出 10μm 間距的蜂窩狀微孔，某神經(jīng)工程團(tuán)隊(duì)發(fā)現(xiàn)該結(jié)構(gòu)使神經(jīng)元突觸密度提升 20%，信號(hào)采集噪聲降低 35%。其無(wú)掩模特性支持根據(jù)不同腦區(qū)結(jié)構(gòu)定制電極陣列，在大鼠海馬區(qū)電生理實(shí)驗(yàn)中，單神經(jīng)元信號(hào)識(shí)別率從 60% 提升至 85%，為腦機(jī)接口技術(shù)的臨床轉(zhuǎn)化奠定了硬件基礎(chǔ)。無(wú)掩模激光光刻 (MLL) 是一種微加工技術(shù)，用于在基板上以高精度和高分辨率創(chuàng)建復(fù)雜圖案。一個(gè)新加坡研究團(tuán)隊(duì)通過(guò)無(wú)縫集成硬件和軟件組件，開(kāi)發(fā)出一款緊湊且經(jīng)濟(jì)高效的 MLL 系統(tǒng)。通過(guò)與計(jì)算機(jī)輔助設(shè)計(jì)軟件無(wú)縫集成，操作員可以輕松輸入任意圖案進(jìn)行曝光。該系統(tǒng)占用空間小，非常適合研究實(shí)驗(yàn)室，并broad應(yīng)用于微流體、電子學(xué)和納/微機(jī)械系統(tǒng)等各個(gè)領(lǐng)域。該系統(tǒng)的經(jīng)濟(jì)高效性使其優(yōu)勢(shì)擴(kuò)展到大學(xué)研究實(shí)驗(yàn)室以外的領(lǐng)域，為半導(dǎo)體和醫(yī)療公司提供了利用其功能的機(jī)會(huì)。高頻元件驗(yàn)證：成功開(kāi)發(fā)射頻器件與IDC電容器，加速國(guó)產(chǎn)芯片產(chǎn)業(yè)鏈突破。天津POLOSBEAM光刻機(jī)

在organ芯片研究中，模擬人體organ微環(huán)境需要微米級(jí)精度的三維結(jié)構(gòu)。德國(guó) Polos 光刻機(jī)憑借無(wú)掩模激光光刻技術(shù)，幫助科研團(tuán)隊(duì)在 PDMS 材料上構(gòu)建出仿生血管網(wǎng)絡(luò)與組織界面。某再生醫(yī)學(xué)實(shí)驗(yàn)室使用 Polos 光刻機(jī)，成功制備出肝芯片微通道，其內(nèi)皮細(xì)胞黏附率較傳統(tǒng)方法提升 40%，且可通過(guò)軟件實(shí)時(shí)調(diào)整通道曲率，precise模擬肝臟血流動(dòng)力學(xué)。該技術(shù)縮短了organ芯片的研發(fā)周期，為藥物肝毒性測(cè)試提供了更真實(shí)的體外模型，相關(guān)成果入選《自然生物技術(shù)》年度創(chuàng)新技術(shù)案例。湖北BEAM-XL光刻機(jī)讓你隨意進(jìn)行納米圖案化軟件高效兼容：BEAM Xplorer支持GDS文件導(dǎo)入，簡(jiǎn)化復(fù)雜圖案設(shè)計(jì)流程。

某分析化學(xué)實(shí)驗(yàn)室采用 Polos 光刻機(jī)開(kāi)發(fā)了集成電化學(xué)傳感器的微流控芯片。其多材料同步曝光技術(shù)在 PDMS 通道底部直接制備出 10μm 寬的金電極，傳感器的檢測(cè)限達(dá) 1nM，較傳統(tǒng)電化學(xué)工作站提升 100 倍。通過(guò)軟件輸入不同圖案，可在 24 小時(shí)內(nèi)完成從葡萄糖檢測(cè)到重金屬離子分析的模塊切換。該芯片被用于即時(shí)檢測(cè)（POCT）設(shè)備，使現(xiàn)場(chǎng)水質(zhì)監(jiān)測(cè)時(shí)間從 2 小時(shí)縮短至 10 分鐘，相關(guān)設(shè)備已通過(guò)歐盟 CE 認(rèn)證。無(wú)掩模激光光刻 (MLL) 是一種微加工技術(shù)，用于在基板上以高精度和高分辨率創(chuàng)建復(fù)雜圖案。一個(gè)新加坡研究團(tuán)隊(duì)通過(guò)無(wú)縫集成硬件和軟件組件，開(kāi)發(fā)出一款緊湊且經(jīng)濟(jì)高效的 MLL 系統(tǒng)。通過(guò)與計(jì)算機(jī)輔助設(shè)計(jì)軟件無(wú)縫集成，操作員可以輕松輸入任意圖案進(jìn)行曝光。該系統(tǒng)占用空間小，非常適合研究實(shí)驗(yàn)室，并broad應(yīng)用于微流體、電子學(xué)和納/微機(jī)械系統(tǒng)等各個(gè)領(lǐng)域。該系統(tǒng)的經(jīng)濟(jì)高效性使其優(yōu)勢(shì)擴(kuò)展到大學(xué)研究實(shí)驗(yàn)室以外的領(lǐng)域，為半導(dǎo)體和醫(yī)療公司提供了利用其功能的機(jī)會(huì)。

某人工智能芯片公司利用 Polos 光刻機(jī)開(kāi)發(fā)了基于阻變存儲(chǔ)器（RRAM）的存算一體架構(gòu)。其激光直寫技術(shù)在 10nm 厚度的 HfO介質(zhì)層上實(shí)現(xiàn)了 5nm 的電極邊緣控制，器件的電導(dǎo)均勻性提升至 95%，計(jì)算能效比達(dá) 10TOPS/W，較傳統(tǒng) GPU 提升兩個(gè)數(shù)量級(jí)。基于該技術(shù)的邊緣 AI 芯片，在圖像識(shí)別任務(wù)中能耗降低 80%，推理速度提升 3 倍，已應(yīng)用于智能攝像頭和無(wú)人機(jī)避障系統(tǒng)，相關(guān)芯片出貨量突破百萬(wàn)片。無(wú)掩模激光光刻 (MLL) 是一種微加工技術(shù)，用于在基板上以高精度和高分辨率創(chuàng)建復(fù)雜圖案。一個(gè)新加坡研究團(tuán)隊(duì)通過(guò)無(wú)縫集成硬件和軟件組件，開(kāi)發(fā)出一款緊湊且經(jīng)濟(jì)高效的 MLL 系統(tǒng)。通過(guò)與計(jì)算機(jī)輔助設(shè)計(jì)軟件無(wú)縫集成，操作員可以輕松輸入任意圖案進(jìn)行曝光。該系統(tǒng)占用空間小，非常適合研究實(shí)驗(yàn)室，并broad應(yīng)用于微流體、電子學(xué)和納/微機(jī)械系統(tǒng)等各個(gè)領(lǐng)域。該系統(tǒng)的經(jīng)濟(jì)高效性使其優(yōu)勢(shì)擴(kuò)展到大學(xué)研究實(shí)驗(yàn)室以外的領(lǐng)域，為半導(dǎo)體和醫(yī)療公司提供了利用其功能的機(jī)會(huì)。無(wú)掩模技術(shù)優(yōu)勢(shì)：摒棄傳統(tǒng)掩模，圖案設(shè)計(jì)實(shí)時(shí)調(diào)整，研發(fā)成本直降 70%。

細(xì)胞培養(yǎng)芯片需根據(jù)不同細(xì)胞類型設(shè)計(jì)表面微結(jié)構(gòu)，傳統(tǒng)光刻依賴掩模庫(kù)，難以滿足個(gè)性化需求。Polos 光刻機(jī)支持 STL 模型直接導(dǎo)入，某干細(xì)胞研究所在 24 小時(shí)內(nèi)完成了神經(jīng)干細(xì)胞三維培養(yǎng)支架的定制加工。其制造的微柱陣列間距可精確控制在 5-50μm，適配不同分化階段的細(xì)胞黏附需求。實(shí)驗(yàn)顯示，使用該支架的神經(jīng)細(xì)胞軸突生長(zhǎng)速度提升 30%，為神經(jīng)再生機(jī)制研究提供了高效工具，相關(guān)技術(shù)已授權(quán)給生物芯片企業(yè)實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)。無(wú)掩模激光光刻 (MLL) 是一種微加工技術(shù)，用于在基板上以高精度和高分辨率創(chuàng)建復(fù)雜圖案。一個(gè)新加坡研究團(tuán)隊(duì)通過(guò)無(wú)縫集成硬件和軟件組件，開(kāi)發(fā)出一款緊湊且經(jīng)濟(jì)高效的 MLL 系統(tǒng)。通過(guò)與計(jì)算機(jī)輔助設(shè)計(jì)軟件無(wú)縫集成，操作員可以輕松輸入任意圖案進(jìn)行曝光。該系統(tǒng)占用空間小，非常適合研究實(shí)驗(yàn)室，并broad應(yīng)用于微流體、電子學(xué)和納/微機(jī)械系統(tǒng)等各個(gè)領(lǐng)域。該系統(tǒng)的經(jīng)濟(jì)高效性使其優(yōu)勢(shì)擴(kuò)展到大學(xué)研究實(shí)驗(yàn)室以外的領(lǐng)域，為半導(dǎo)體和醫(yī)療公司提供了利用其功能的機(jī)會(huì)。POLOS 光刻機(jī)：微型化機(jī)身，納米級(jí)曝光精度，微流體芯片制備周期縮短 40%。天津POLOSBEAM光刻機(jī)

柔性電子：曲面 OLED 驅(qū)動(dòng)電路漏電降 70%，彎曲半徑達(dá) 1mm，適配可穿戴設(shè)備。天津POLOSBEAM光刻機(jī)

某集成電路實(shí)驗(yàn)室利用 Polos 光刻機(jī)開(kāi)發(fā)了基于相變材料的存算一體芯片。其激光直寫技術(shù)在二氧化硅基底上實(shí)現(xiàn)了 100nm 間距的電極陣列，器件的讀寫速度達(dá) 10ns，較傳統(tǒng) SRAM 提升 100 倍。通過(guò)在電極間集成 20nm 厚的 Ge2Sb2Te5 相變材料，芯片實(shí)現(xiàn)了計(jì)算與存儲(chǔ)的原位融合，能效比達(dá) 1TOPS/W，較傳統(tǒng)馮諾依曼架構(gòu)提升 1000 倍。該技術(shù)被用于邊緣計(jì)算設(shè)備，使圖像識(shí)別延遲從 50ms 縮短至 5ms，相關(guān)芯片已進(jìn)入小批量試產(chǎn)階段。無(wú)掩模激光光刻 (MLL) 是一種微加工技術(shù)，用于在基板上以高精度和高分辨率創(chuàng)建復(fù)雜圖案。一個(gè)新加坡研究團(tuán)隊(duì)通過(guò)無(wú)縫集成硬件和軟件組件，開(kāi)發(fā)出一款緊湊且經(jīng)濟(jì)高效的 MLL 系統(tǒng)。通過(guò)與計(jì)算機(jī)輔助設(shè)計(jì)軟件無(wú)縫集成，操作員可以輕松輸入任意圖案進(jìn)行曝光。該系統(tǒng)占用空間小，非常適合研究實(shí)驗(yàn)室，并broad應(yīng)用于微流體、電子學(xué)和納/微機(jī)械系統(tǒng)等各個(gè)領(lǐng)域。該系統(tǒng)的經(jīng)濟(jì)高效性使其優(yōu)勢(shì)擴(kuò)展到大學(xué)研究實(shí)驗(yàn)室以外的領(lǐng)域，為半導(dǎo)體和醫(yī)療公司提供了利用其功能的機(jī)會(huì)。天津POLOSBEAM光刻機(jī)