某半導(dǎo)體實(shí)驗(yàn)室采用 Polos 光刻機(jī)開發(fā)氮化鎵（GaN）基高電子遷移率晶體管（HEMT）。其激光直寫技術(shù)在藍(lán)寶石襯底上實(shí)現(xiàn)了 50nm 柵極長度的precise曝光，較傳統(tǒng)光刻工藝線寬偏差降低 60%。通過自定義多晶硅柵極圖案，器件的電子遷移率達(dá) 2000 cm/(Vs)，擊穿電壓提升至 1200V，遠(yuǎn)超商用產(chǎn)品水平。該技術(shù)還被用于 SiC 基功率器件的臺面刻蝕，刻蝕深度均勻性誤差小于 ±3%，助力我國新能源汽車電控系統(tǒng)core器件的國產(chǎn)化突破。無掩模激光光刻 (MLL) 是一種微加工技術(shù)，用于在基板上以高精度和高分辨率創(chuàng)建復(fù)雜圖案。一個新加坡研究團(tuán)隊(duì)通過無縫集成硬件和軟件組件，開發(fā)出一款緊湊且經(jīng)濟(jì)高效的 MLL 系統(tǒng)。通過與計(jì)算機(jī)輔助設(shè)計(jì)軟件無縫集成，操作員可以輕松輸入任意圖案進(jìn)行曝光。該系統(tǒng)占用空間小，非常適合研究實(shí)驗(yàn)室，并broad應(yīng)用于微流體、電子學(xué)和納/微機(jī)械系統(tǒng)等各個領(lǐng)域。該系統(tǒng)的經(jīng)濟(jì)高效性使其優(yōu)勢擴(kuò)展到大學(xué)研究實(shí)驗(yàn)室以外的領(lǐng)域，為半導(dǎo)體和醫(yī)療公司提供了利用其功能的機(jī)會。微型傳感器量產(chǎn)：80 m開環(huán)諧振器加工能力，推動工業(yè)級MEMS傳感器升級。陜西光刻機(jī)讓你隨意進(jìn)行納米圖案化

在科研領(lǐng)域，設(shè)備的先進(jìn)程度往往決定了研究的深度與廣度。德國的 Polos - BESM、Polos - BESM XL、SPS 光刻機(jī) POLOS 帶來了革新之光。它們運(yùn)用無掩模激光光刻技術(shù)，摒棄了傳統(tǒng)光刻中昂貴且制作周期長的掩模，極大降低了成本。這些光刻機(jī)可輕松輸入任意圖案進(jìn)行曝光，在微流體、電子學(xué)和納 / 微機(jī)械系統(tǒng)等領(lǐng)域大顯身手。例如在微流體研究中，能precise制造復(fù)雜的微通道網(wǎng)絡(luò)，助力藥物傳輸、細(xì)胞培養(yǎng)等研究。在電子學(xué)方面，可實(shí)現(xiàn)高精度的電路圖案曝光，為芯片研發(fā)提供有力支持。其占用空間小，對于空間有限的研究實(shí)驗(yàn)室來說堪稱完美。憑借出色特性，它們已助力眾多科研團(tuán)隊(duì)取得成果，成為科研創(chuàng)新的得力助手 。上海POLOSBEAM光刻機(jī)MAX層厚可達(dá)到10微米Polos-BESM 光刻機(jī)：無掩模激光技術(shù)，成本降低 50%，任意圖案輕松輸入，適配實(shí)驗(yàn)室微納加工。

可編程微流控芯片需要集成電路控制與流體通道，傳統(tǒng)工藝需多次掩模對準(zhǔn)，良率only 30%。Polos 光刻機(jī)的多材料同步曝光技術(shù)，支持在同一塊基板上直接制備金屬電極與 PDMS 通道，將良率提升至 85%。某微系統(tǒng)實(shí)驗(yàn)室利用該特性，開發(fā)出可實(shí)時切換流路的生化分析芯片，通過軟件輸入不同圖案，10 分鐘內(nèi)即可完成從 DNA 擴(kuò)增到蛋白質(zhì)檢測的模塊切換。該成果應(yīng)用于 POCT 設(shè)備，使現(xiàn)場快速檢測系統(tǒng)的體積縮小 60%，檢測時間縮短至傳統(tǒng)方法的 1/3。無掩模激光光刻 (MLL) 是一種微加工技術(shù)，用于在基板上以高精度和高分辨率創(chuàng)建復(fù)雜圖案。一個新加坡研究團(tuán)隊(duì)通過無縫集成硬件和軟件組件，開發(fā)出一款緊湊且經(jīng)濟(jì)高效的 MLL 系統(tǒng)。通過與計(jì)算機(jī)輔助設(shè)計(jì)軟件無縫集成，操作員可以輕松輸入任意圖案進(jìn)行曝光。該系統(tǒng)占用空間小，非常適合研究實(shí)驗(yàn)室，并broad應(yīng)用于微流體、電子學(xué)和納/微機(jī)械系統(tǒng)等各個領(lǐng)域。該系統(tǒng)的經(jīng)濟(jì)高效性使其優(yōu)勢擴(kuò)展到大學(xué)研究實(shí)驗(yàn)室以外的領(lǐng)域，為半導(dǎo)體和醫(yī)療公司提供了利用其功能的機(jī)會。

微納衛(wèi)星對部件重量與精度要求苛刻，傳統(tǒng)加工難以兼顧。Polos 光刻機(jī)在硅基材料上實(shí)現(xiàn)了 50nm 深度的微溝槽加工，為某航天團(tuán)隊(duì)制造出輕量化星載慣性導(dǎo)航陀螺結(jié)構(gòu)。通過自定義螺旋型振動梁圖案，陀螺的零偏穩(wěn)定性提升至 0.01°/h，較商用產(chǎn)品性能翻倍。該技術(shù)還被用于微推進(jìn)器噴嘴陣列加工，使衛(wèi)星姿態(tài)調(diào)整精度達(dá)到亞毫牛級，助力我國低軌衛(wèi)星星座建設(shè)取得關(guān)鍵突破。無掩模激光光刻 (MLL) 是一種微加工技術(shù)，用于在基板上以高精度和高分辨率創(chuàng)建復(fù)雜圖案。一個新加坡研究團(tuán)隊(duì)通過無縫集成硬件和軟件組件，開發(fā)出一款緊湊且經(jīng)濟(jì)高效的 MLL 系統(tǒng)。通過與計(jì)算機(jī)輔助設(shè)計(jì)軟件無縫集成，操作員可以輕松輸入任意圖案進(jìn)行曝光。該系統(tǒng)占用空間小，非常適合研究實(shí)驗(yàn)室，并broad應(yīng)用于微流體、電子學(xué)和納/微機(jī)械系統(tǒng)等各個領(lǐng)域。該系統(tǒng)的經(jīng)濟(jì)高效性使其優(yōu)勢擴(kuò)展到大學(xué)研究實(shí)驗(yàn)室以外的領(lǐng)域，為半導(dǎo)體和醫(yī)療公司提供了利用其功能的機(jī)會。POLOS ：超緊湊設(shè)計(jì)，納米級精度專攻微流控與細(xì)胞芯片。

Polos-BESM XL Mk2專為6英寸晶圓設(shè)計(jì)，寫入?yún)^(qū)域達(dá)155×155 mm，平臺雙向重復(fù)性精度0.1 m，滿足工業(yè)級需求。其搭載20x/0.75 NA尼康物鏡和120 FPS高清攝像頭，支持實(shí)時觀測與多層對準(zhǔn)。配套的BEAM Xplorer軟件簡化了復(fù)雜圖案設(shè)計(jì)流程，內(nèi)置高性能筆記本電腦實(shí)現(xiàn)快速數(shù)據(jù)處理，成為微機(jī)電系統(tǒng)（MEMS）和光子晶體研究的理想工具。無掩模光刻技術(shù)可以隨意進(jìn)行納米級圖案化，無需使用速度慢且昂貴的光罩。這種便利對于科研和快速原型制作非常有用。POL0S@ Beam XL在性能上沒有任何妥協(xié)的情況下，將該技術(shù)帶到了桌面上，進(jìn)一步提升了其優(yōu)勢。跨學(xué)科應(yīng)用：覆蓋微機(jī)械、光子晶體、仿生傳感器與納米材料合成領(lǐng)域。上海POLOSBEAM光刻機(jī)MAX層厚可達(dá)到10微米

Polos-Printer 入選《半導(dǎo)體技術(shù)》年度創(chuàng)新產(chǎn)品，推動無掩模光刻技術(shù)普及。陜西光刻機(jī)讓你隨意進(jìn)行納米圖案化

德國Polos-BESM系列光刻機(jī)采用無掩模激光直寫技術(shù)，突破傳統(tǒng)光刻對物理掩膜的依賴，支持用戶通過軟件直接輸入任意圖案進(jìn)行快速曝光。其亞微米分辨率（most小線寬0.8 m）和405 nm紫外光源，可在5英寸晶圓上實(shí)現(xiàn)高精度微納結(jié)構(gòu)加工18。系統(tǒng)體積緊湊，only占桌面空間，搭配閉環(huán)自動對焦（1秒完成）和半自動多層對準(zhǔn)功能，大幅提升實(shí)驗(yàn)室原型開發(fā)效率，適用于微流體芯片設(shè)計(jì)、電子元件制造等領(lǐng)域。無掩模光刻技術(shù)可以隨意進(jìn)行納米級圖案化，無需使用速度慢且昂貴的光罩。這種便利對于科研和快速原型制作非常有用。POL0S@ Beam XL在性能上沒有任何妥協(xié)的情況下，將該技術(shù)帶到了桌面上，進(jìn)一步提升了其優(yōu)勢。陜西光刻機(jī)讓你隨意進(jìn)行納米圖案化