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發(fā)布時間:2025-06-19
微納衛(wèi)星對部件重量與精度要求苛刻,傳統(tǒng)加工難以兼顧。Polos 光刻機在硅基材料上實現(xiàn)了 50nm 深度的微溝槽加工,為某航天團隊制造出輕量化星載慣性導(dǎo)航陀螺結(jié)構(gòu)。通過自定義螺旋型振動梁圖案,陀螺的零偏穩(wěn)定性提升至 0.01°/h,較商用產(chǎn)品性能翻倍。該技術(shù)還被用于微推進器噴嘴陣列加工,使衛(wèi)星姿態(tài)調(diào)整精度達到亞毫牛級,助力我國低軌衛(wèi)星星座建設(shè)取得關(guān)鍵突破。無掩模激光光刻 (MLL) 是一種微加工技術(shù),用于在基板上以高精度和高分辨率創(chuàng)建復(fù)雜圖案。一個新加坡研究團隊通過無縫集成硬件和軟件組件,開發(fā)出一款緊湊且經(jīng)濟高效的 MLL 系統(tǒng)。通過與計算機輔助設(shè)計軟件無縫集成,操作員可以輕松輸入任意圖案進行曝光。該系統(tǒng)占用空間小,非常適合研究實驗室,并broad應(yīng)用于微流體、電子學(xué)和納/微機械系統(tǒng)等各個領(lǐng)域。該系統(tǒng)的經(jīng)濟高效性使其優(yōu)勢擴展到大學(xué)研究實驗室以外的領(lǐng)域,為半導(dǎo)體和醫(yī)療公司提供了利用其功能的機會。電子學(xué)應(yīng)用:2μm 線寬光刻能力,第三代半導(dǎo)體器件研發(fā)效率提升 3 倍。安徽BEAM-XL光刻機基材厚度可達到0.1毫米至8毫米
Polos光刻機與弗勞恩霍夫ILT的光束整形技術(shù)結(jié)合,可定制激光輪廓以優(yōu)化能量分布,減少材料蒸發(fā)和飛濺,提升金屬3D打印效率7。這種跨領(lǐng)域技術(shù)融合為工業(yè)級微納制造(如光學(xué)元件封裝)提供新思路,推動智能制造向高精度、低能耗方向發(fā)展Polos系列broad兼容AZ、SU-8等光刻膠,通過優(yōu)化曝光參數(shù)(如能量密度與聚焦深度)實現(xiàn)不同材料的高質(zhì)量加工。例如,使用AZ5214E時,可調(diào)節(jié)光束強度以減少側(cè)壁粗糙度,提升微結(jié)構(gòu)的功能性。這一特性使其在生物相容性器件(如仿生傳感器)中表現(xiàn)outstanding26。北京BEAM-XL光刻機不需要緩慢且昂貴的光掩模柔性電子:曲面 OLED 驅(qū)動電路漏電降 70%,彎曲半徑達 1mm,適配可穿戴設(shè)備。
植入式神經(jīng)電極需要兼具生物相容性與導(dǎo)電性能,表面微圖案可remarkable影響細胞 - 電極界面。Polos 光刻機在鉑銥合金電極表面刻制出 10μm 間距的蜂窩狀微孔,某神經(jīng)工程團隊發(fā)現(xiàn)該結(jié)構(gòu)使神經(jīng)元突觸密度提升 20%,信號采集噪聲降低 35%。其無掩模特性支持根據(jù)不同腦區(qū)結(jié)構(gòu)定制電極陣列,在大鼠海馬區(qū)電生理實驗中,單神經(jīng)元信號識別率從 60% 提升至 85%,為腦機接口技術(shù)的臨床轉(zhuǎn)化奠定了硬件基礎(chǔ)。無掩模激光光刻 (MLL) 是一種微加工技術(shù),用于在基板上以高精度和高分辨率創(chuàng)建復(fù)雜圖案。一個新加坡研究團隊通過無縫集成硬件和軟件組件,開發(fā)出一款緊湊且經(jīng)濟高效的 MLL 系統(tǒng)。通過與計算機輔助設(shè)計軟件無縫集成,操作員可以輕松輸入任意圖案進行曝光。該系統(tǒng)占用空間小,非常適合研究實驗室,并broad應(yīng)用于微流體、電子學(xué)和納/微機械系統(tǒng)等各個領(lǐng)域。該系統(tǒng)的經(jīng)濟高效性使其優(yōu)勢擴展到大學(xué)研究實驗室以外的領(lǐng)域,為半導(dǎo)體和醫(yī)療公司提供了利用其功能的機會。
在制備用于柔性顯示的納米壓印模板時,Polos 光刻機的亞微米級定位精度(±50nm)確保了圖案的均勻復(fù)制。某光電實驗室使用該設(shè)備,在石英基底上刻制出周期 100nm 的柱透鏡陣列,模板的圖案保真度達 99.8%,邊緣缺陷率低于 0.1%。基于此模板生產(chǎn)的柔性 OLED 背光模組,亮度均勻性提升至 98%,厚度減至 50μm,成功應(yīng)用于下一代折疊屏手機,相關(guān)技術(shù)已授權(quán)給三家面板制造商。無掩模激光光刻 (MLL) 是一種微加工技術(shù),用于在基板上以高精度和高分辨率創(chuàng)建復(fù)雜圖案。一個新加坡研究團隊通過無縫集成硬件和軟件組件,開發(fā)出一款緊湊且經(jīng)濟高效的 MLL 系統(tǒng)。通過與計算機輔助設(shè)計軟件無縫集成,操作員可以輕松輸入任意圖案進行曝光。該系統(tǒng)占用空間小,非常適合研究實驗室,并broad應(yīng)用于微流體、電子學(xué)和納/微機械系統(tǒng)等各個領(lǐng)域。該系統(tǒng)的經(jīng)濟高效性使其優(yōu)勢擴展到大學(xué)研究實驗室以外的領(lǐng)域,為半導(dǎo)體和醫(yī)療公司提供了利用其功能的機會。無掩模技術(shù)優(yōu)勢:摒棄傳統(tǒng)掩模,圖案實時調(diào)整,研發(fā)成本降低 70%,小批量生產(chǎn)經(jīng)濟性突出。
Polos-BESM XL Mk2專為6英寸晶圓設(shè)計,寫入?yún)^(qū)域達155×155 mm,平臺雙向重復(fù)性精度0.1 m,滿足工業(yè)級需求。其搭載20x/0.75 NA尼康物鏡和120 FPS高清攝像頭,支持實時觀測與多層對準。配套的BEAM Xplorer軟件簡化了復(fù)雜圖案設(shè)計流程,內(nèi)置高性能筆記本電腦實現(xiàn)快速數(shù)據(jù)處理,成為微機電系統(tǒng)(MEMS)和光子晶體研究的理想工具。無掩模光刻技術(shù)可以隨意進行納米級圖案化,無需使用速度慢且昂貴的光罩。這種便利對于科研和快速原型制作非常有用。POL0S@ Beam XL在性能上沒有任何妥協(xié)的情況下,將該技術(shù)帶到了桌面上,進一步提升了其優(yōu)勢。空間友好設(shè)計:占地面積小于 1.2㎡,小型實驗室也能部署高精度光刻系統(tǒng)。北京BEAM-XL光刻機不需要緩慢且昂貴的光掩模
亞微米級精度:0.8 mmost小線寬,支持高精度微流體芯片與MEMS器件制造。安徽BEAM-XL光刻機基材厚度可達到0.1毫米至8毫米
Polos-BESM在電子器件原型開發(fā)中展現(xiàn)高效性。例如,其軟件支持GDS文件直接導(dǎo)入,多層曝光疊加功能簡化了射頻器件(如IDC電容器)的制造流程。研究團隊利用同類設(shè)備成功制備了高頻電路元件,驗證了其在5G通信和物聯(lián)網(wǎng)硬件中的潛力。無掩模光刻技術(shù)可以隨意進行納米級圖案化,無需使用速度慢且昂貴的光罩。這種便利對于科研和快速原型制作非常有用。POL0S@ Beam XL在性能上沒有任何妥協(xié)的情況下,將該技術(shù)帶到了桌面上,進一步提升了其優(yōu)勢。無掩模光刻技術(shù)可以隨意進行納米級圖案化,無需使用速度慢且昂貴的光罩。這種便利對于科研和快速原型制作非常有用。POL0S@ Beam XL在性能上沒有任何妥協(xié)的情況下,將該技術(shù)帶到了桌面上,進一步提升了其優(yōu)勢。安徽BEAM-XL光刻機基材厚度可達到0.1毫米至8毫米