某材料實驗室利用 Polos 光刻機的亞微米級圖案化能力，在鋁合金表面制備出仿荷葉結構的超疏水涂層。其激光直寫技術在 20μm 間距的微柱陣列上疊加 500nm 的納米脊，使材料表面接觸角達 165°，滾動角小于 3°。該涂層在海水環境中浸泡 30 天后，防腐蝕性能較未處理表面提升 10 倍。其靈活的圖案編輯功能還支持在同一樣品上實現超疏水與超親水區域的任意組合，被用于微流控芯片的液滴定向輸運，液滴驅動電壓降低至傳統方法的 1/3。無掩模激光光刻 (MLL) 是一種微加工技術，用于在基板上以高精度和高分辨率創建復雜圖案。一個新加坡研究團隊通過無縫集成硬件和軟件組件，開發出一款緊湊且經濟高效的 MLL 系統。通過與計算機輔助設計軟件無縫集成，操作員可以輕松輸入任意圖案進行曝光。該系統占用空間小，非常適合研究實驗室，并broad應用于微流體、電子學和納/微機械系統等各個領域。該系統的經濟高效性使其優勢擴展到大學研究實驗室以外的領域，為半導體和醫療公司提供了利用其功能的機會。Polos-BESM XL：130mm×130mm 曝光幅面，STL 模型直接導入，微流控芯片制備周期縮短 40%。四川PSP光刻機光源波長405微米

在制備用于柔性顯示的納米壓印模板時，Polos 光刻機的亞微米級定位精度（±50nm）確保了圖案的均勻復制。某光電實驗室使用該設備，在石英基底上刻制出周期 100nm 的柱透鏡陣列，模板的圖案保真度達 99.8%，邊緣缺陷率低于 0.1%。基于此模板生產的柔性 OLED 背光模組，亮度均勻性提升至 98%，厚度減至 50μm，成功應用于下一代折疊屏手機，相關技術已授權給三家面板制造商。無掩模激光光刻 (MLL) 是一種微加工技術，用于在基板上以高精度和高分辨率創建復雜圖案。一個新加坡研究團隊通過無縫集成硬件和軟件組件，開發出一款緊湊且經濟高效的 MLL 系統。通過與計算機輔助設計軟件無縫集成，操作員可以輕松輸入任意圖案進行曝光。該系統占用空間小，非常適合研究實驗室，并broad應用于微流體、電子學和納/微機械系統等各個領域。該系統的經濟高效性使其優勢擴展到大學研究實驗室以外的領域，為半導體和醫療公司提供了利用其功能的機會。廣東桌面無掩模光刻機分辨率1.5微米高頻元件驗證：成功開發射頻器件與IDC電容器，加速國產芯片產業鏈突破。

德國 Polos 光刻機系列以其緊湊的設計，在有限的空間內發揮著巨大作用。對于研究實驗室，尤其是空間資源緊張的高校和初創科研機構來說，設備的空間占用是重要考量因素。Polos 光刻機占用空間小的特點，使其能夠輕松融入各類實驗室環境。 盡管體積小巧，但它的性能卻毫不遜色。無掩模激光光刻技術保障了高精度的圖案制作，低成本的優勢降低了科研投入門檻。在小型實驗室中，科研人員使用 Polos 光刻機，在微流體、電子學等領域開展研究，成功取得多項成果。從微納結構制造到新型器件研發，Polos 光刻機證明了小空間也能蘊藏大能量，為科研創新提供有力支持。

可編程微流控芯片需要集成電路控制與流體通道，傳統工藝需多次掩模對準，良率only 30%。Polos 光刻機的多材料同步曝光技術，支持在同一塊基板上直接制備金屬電極與 PDMS 通道，將良率提升至 85%。某微系統實驗室利用該特性，開發出可實時切換流路的生化分析芯片，通過軟件輸入不同圖案，10 分鐘內即可完成從 DNA 擴增到蛋白質檢測的模塊切換。該成果應用于 POCT 設備，使現場快速檢測系統的體積縮小 60%，檢測時間縮短至傳統方法的 1/3。無掩模激光光刻 (MLL) 是一種微加工技術，用于在基板上以高精度和高分辨率創建復雜圖案。一個新加坡研究團隊通過無縫集成硬件和軟件組件，開發出一款緊湊且經濟高效的 MLL 系統。通過與計算機輔助設計軟件無縫集成，操作員可以輕松輸入任意圖案進行曝光。該系統占用空間小，非常適合研究實驗室，并broad應用于微流體、電子學和納/微機械系統等各個領域。該系統的經濟高效性使其優勢擴展到大學研究實驗室以外的領域，為半導體和醫療公司提供了利用其功能的機會。Polos-BESM 光刻機：無掩模激光技術，成本降低 50%，任意圖案輕松輸入，適配實驗室微納加工。

某分析化學實驗室采用 Polos 光刻機開發了集成電化學傳感器的微流控芯片。其多材料同步曝光技術在 PDMS 通道底部直接制備出 10μm 寬的金電極，傳感器的檢測限達 1nM，較傳統電化學工作站提升 100 倍。通過軟件輸入不同圖案，可在 24 小時內完成從葡萄糖檢測到重金屬離子分析的模塊切換。該芯片被用于即時檢測（POCT）設備，使現場水質監測時間從 2 小時縮短至 10 分鐘，相關設備已通過歐盟 CE 認證。無掩模激光光刻 (MLL) 是一種微加工技術，用于在基板上以高精度和高分辨率創建復雜圖案。一個新加坡研究團隊通過無縫集成硬件和軟件組件，開發出一款緊湊且經濟高效的 MLL 系統。通過與計算機輔助設計軟件無縫集成，操作員可以輕松輸入任意圖案進行曝光。該系統占用空間小，非常適合研究實驗室，并broad應用于微流體、電子學和納/微機械系統等各個領域。該系統的經濟高效性使其優勢擴展到大學研究實驗室以外的領域，為半導體和醫療公司提供了利用其功能的機會。Polos-BESM XL：大尺寸加工空間，保留緊湊設計，科研級精度實現復雜結構一次性成型。四川PSP光刻機光源波長405微米

Polos-BESM XL：加大加工幅面，滿足中尺寸器件一次性成型需求。四川PSP光刻機光源波長405微米

某半導體實驗室采用 Polos 光刻機開發氮化鎵（GaN）基高電子遷移率晶體管（HEMT）。其激光直寫技術在藍寶石襯底上實現了 50nm 柵極長度的precise曝光，較傳統光刻工藝線寬偏差降低 60%。通過自定義多晶硅柵極圖案，器件的電子遷移率達 2000 cm/(Vs)，擊穿電壓提升至 1200V，遠超商用產品水平。該技術還被用于 SiC 基功率器件的臺面刻蝕，刻蝕深度均勻性誤差小于 ±3%，助力我國新能源汽車電控系統core器件的國產化突破。無掩模激光光刻 (MLL) 是一種微加工技術，用于在基板上以高精度和高分辨率創建復雜圖案。一個新加坡研究團隊通過無縫集成硬件和軟件組件，開發出一款緊湊且經濟高效的 MLL 系統。通過與計算機輔助設計軟件無縫集成，操作員可以輕松輸入任意圖案進行曝光。該系統占用空間小，非常適合研究實驗室，并broad應用于微流體、電子學和納/微機械系統等各個領域。該系統的經濟高效性使其優勢擴展到大學研究實驗室以外的領域，為半導體和醫療公司提供了利用其功能的機會。四川PSP光刻機光源波長405微米