某基因treatment團(tuán)隊(duì)采用 Polos 光刻機(jī)開發(fā)了微米級(jí) DNA 遞送載體。通過 STL 模型直接導(dǎo)入，在生物可降解聚合物表面刻制出 1-5μm 的蜂窩狀微孔結(jié)構(gòu)，載體的 DNA 負(fù)載量達(dá) 200μg/mg，較傳統(tǒng)電穿孔法提升 5 倍。動(dòng)物實(shí)驗(yàn)顯示，該載體在肝臟靶向遞送中，基因轉(zhuǎn)染效率達(dá) 65%，且免疫原性降低 70%。其無掩模特性支持根據(jù)不同細(xì)胞表面受體定制載體形貌，在 CAR-T 細(xì)胞treatment中，CAR 基因?qū)�入效率�?30% 提升至 75%，相關(guān)技術(shù)已申請(qǐng)國際patent。無掩模激光光刻 (MLL) 是一種微加工技術(shù)，用于在基板上以高精度和高分辨率創(chuàng)建復(fù)雜圖案。一個(gè)新加坡研究團(tuán)隊(duì)通過無縫集成硬件和軟件組件，開發(fā)出一款緊湊且經(jīng)濟(jì)高效的 MLL 系統(tǒng)。通過與計(jì)算機(jī)輔助設(shè)計(jì)軟件無縫集成，操作員可以輕松輸入任意圖案進(jìn)行曝光。該系統(tǒng)占用空間小，非常適合研究實(shí)驗(yàn)室，并broad應(yīng)用于微流體、電子學(xué)和納/微機(jī)械系統(tǒng)等各個(gè)領(lǐng)域。該系統(tǒng)的經(jīng)濟(jì)高效性使其優(yōu)勢(shì)擴(kuò)展到大學(xué)研究實(shí)驗(yàn)室以外的領(lǐng)域，為半導(dǎo)體和醫(yī)療公司提供了利用其功能的機(jī)會(huì)。德國工藝：精密制造基因，10 年以上使用壽命，維護(hù)成本低，設(shè)備殘值率達(dá) 60%。黑龍江德國PSP-POLOS光刻機(jī)基材厚度可達(dá)到0.1毫米至8毫米

某集成電路實(shí)驗(yàn)室利用 Polos 光刻機(jī)開發(fā)了基于相變材料的存算一體芯片。其激光直寫技術(shù)在二氧化硅基底上實(shí)現(xiàn)了 100nm 間距的電極陣列，器件的讀寫速度達(dá) 10ns，較傳統(tǒng) SRAM 提升 100 倍。通過在電極間集成 20nm 厚的 Ge2Sb2Te5 相變材料，芯片實(shí)現(xiàn)了計(jì)算與存儲(chǔ)的原位融合，能效比達(dá) 1TOPS/W，較傳統(tǒng)馮諾依曼架構(gòu)提升 1000 倍。該技術(shù)被用于邊緣計(jì)算設(shè)備，使圖像識(shí)別延遲從 50ms 縮短至 5ms，相關(guān)芯片已進(jìn)入小批量試產(chǎn)階段。無掩模激光光刻 (MLL) 是一種微加工技術(shù)，用于在基板上以高精度和高分辨率創(chuàng)建復(fù)雜圖案。一個(gè)新加坡研究團(tuán)隊(duì)通過無縫集成硬件和軟件組件，開發(fā)出一款緊湊且經(jīng)濟(jì)高效的 MLL 系統(tǒng)。通過與計(jì)算機(jī)輔助設(shè)計(jì)軟件無縫集成，操作員可以輕松輸入任意圖案進(jìn)行曝光。該系統(tǒng)占用空間小，非常適合研究實(shí)驗(yàn)室，并broad應(yīng)用于微流體、電子學(xué)和納/微機(jī)械系統(tǒng)等各個(gè)領(lǐng)域。該系統(tǒng)的經(jīng)濟(jì)高效性使其優(yōu)勢(shì)擴(kuò)展到大學(xué)研究實(shí)驗(yàn)室以外的領(lǐng)域，為半導(dǎo)體和醫(yī)療公司提供了利用其功能的機(jī)會(huì)。黑龍江德國PSP-POLOS光刻機(jī)基材厚度可達(dá)到0.1毫米至8毫米用戶案例broad：全球超500家科研機(jī)構(gòu)采用，覆蓋高校、研究所與企業(yè)實(shí)驗(yàn)室。

某半導(dǎo)體實(shí)驗(yàn)室采用 Polos 光刻機(jī)開發(fā)氮化鎵（GaN）基高電子遷移率晶體管（HEMT）。其激光直寫技術(shù)在藍(lán)寶石襯底上實(shí)現(xiàn)了 50nm 柵極長度的precise曝光，較傳統(tǒng)光刻工藝線寬偏差降低 60%。通過自定義多晶硅柵極圖案，器件的電子遷移率達(dá) 2000 cm/(Vs)，擊穿電壓提升至 1200V，遠(yuǎn)超商用產(chǎn)品水平。該技術(shù)還被用于 SiC 基功率器件的臺(tái)面刻蝕，刻蝕深度均勻性誤差小于 ±3%，助力我國新能源汽車電控系統(tǒng)core器件的國產(chǎn)化突破。無掩模激光光刻 (MLL) 是一種微加工技術(shù)，用于在基板上以高精度和高分辨率創(chuàng)建復(fù)雜圖案。一個(gè)新加坡研究團(tuán)隊(duì)通過無縫集成硬件和軟件組件，開發(fā)出一款緊湊且經(jīng)濟(jì)高效的 MLL 系統(tǒng)。通過與計(jì)算機(jī)輔助設(shè)計(jì)軟件無縫集成，操作員可以輕松輸入任意圖案進(jìn)行曝光。該系統(tǒng)占用空間小，非常適合研究實(shí)驗(yàn)室，并broad應(yīng)用于微流體、電子學(xué)和納/微機(jī)械系統(tǒng)等各個(gè)領(lǐng)域。該系統(tǒng)的經(jīng)濟(jì)高效性使其優(yōu)勢(shì)擴(kuò)展到大學(xué)研究實(shí)驗(yàn)室以外的領(lǐng)域，為半導(dǎo)體和醫(yī)療公司提供了利用其功能的機(jī)會(huì)。

石墨烯、二硫化鉬等二維材料的器件制備依賴高精度圖案轉(zhuǎn)移，Polos 光刻機(jī)的激光直寫技術(shù)避免了傳統(tǒng)濕法轉(zhuǎn)移的污染問題。某納米電子實(shí)驗(yàn)室在 SiO基底上直接曝光出 10nm 間隔的電極陣列，成功制備出石墨烯場(chǎng)效應(yīng)晶體管，其電子遷移率達(dá) 2×10 cm/(Vs)，接近理論極限。該技術(shù)支持快速構(gòu)建多種二維材料異質(zhì)結(jié)，使器件研發(fā)效率提升 5 倍，相關(guān)成果推動(dòng)二維材料在柔性電子、量子計(jì)算領(lǐng)域的應(yīng)用研究進(jìn)入快車道。無掩模激光光刻 (MLL) 是一種微加工技術(shù)，用于在基板上以高精度和高分辨率創(chuàng)建復(fù)雜圖案。一個(gè)新加坡研究團(tuán)隊(duì)通過無縫集成硬件和軟件組件，開發(fā)出一款緊湊且經(jīng)濟(jì)高效的 MLL 系統(tǒng)。通過與計(jì)算機(jī)輔助設(shè)計(jì)軟件無縫集成，操作員可以輕松輸入任意圖案進(jìn)行曝光。該系統(tǒng)占用空間小，非常適合研究實(shí)驗(yàn)室，并broad應(yīng)用于微流體、電子學(xué)和納/微機(jī)械系統(tǒng)等各個(gè)領(lǐng)域。該系統(tǒng)的經(jīng)濟(jì)高效性使其優(yōu)勢(shì)擴(kuò)展到大學(xué)研究實(shí)驗(yàn)室以外的領(lǐng)域，為半導(dǎo)體和醫(yī)療公司提供了利用其功能的機(jī)會(huì)。緊湊桌面設(shè)計(jì)：Polos-BESM系統(tǒng)only占桌面空間，適合實(shí)驗(yàn)室高效原型開發(fā)。

德國Polos-BESM系列光刻機(jī)采用無掩模激光直寫技術(shù)，突破傳統(tǒng)光刻對(duì)物理掩膜的依賴，支持用戶通過軟件直接輸入任意圖案進(jìn)行快速曝光。其亞微米分辨率（most小線寬0.8 m）和405 nm紫外光源，可在5英寸晶圓上實(shí)現(xiàn)高精度微納結(jié)構(gòu)加工18。系統(tǒng)體積緊湊，only占桌面空間，搭配閉環(huán)自動(dòng)對(duì)焦（1秒完成）和半自動(dòng)多層對(duì)準(zhǔn)功能，大幅提升實(shí)驗(yàn)室原型開發(fā)效率，適用于微流體芯片設(shè)計(jì)、電子元件制造等領(lǐng)域。無掩模光刻技術(shù)可以隨意進(jìn)行納米級(jí)圖案化，無需使用速度慢且昂貴的光罩。這種便利對(duì)于科研和快速原型制作非常有用。POL0S@ Beam XL在性能上沒有任何妥協(xié)的情況下，將該技術(shù)帶到了桌面上，進(jìn)一步提升了其優(yōu)勢(shì)。柔性電子：曲面 OLED 驅(qū)動(dòng)電路漏電降 70%，彎曲半徑達(dá) 1mm，適配可穿戴設(shè)備。上海POLOSBEAM-XL光刻機(jī)

微流體3D成型：復(fù)雜流道快速曝光，助力tumor篩查芯片與藥物遞送系統(tǒng)研發(fā)。黑龍江德國PSP-POLOS光刻機(jī)基材厚度可達(dá)到0.1毫米至8毫米

柔性電子是未來可穿戴設(shè)備的core方向，其電路圖案需適應(yīng)曲面基底。Polos 光刻機(jī)的無掩模技術(shù)在聚酰亞胺柔性基板上實(shí)現(xiàn)了 2μm 線寬的precise曝光，解決了傳統(tǒng)掩模對(duì)準(zhǔn)偏差問題。某柔性電子研究中心利用該設(shè)備，開發(fā)出可貼合皮膚的健康監(jiān)測(cè)貼片，其傳感器陣列的信號(hào)噪聲比提升 60%。相比光刻膠掩模工藝，Polos 光刻機(jī)將打樣時(shí)間從 72 小時(shí)壓縮至 8 小時(shí)，加速了柔性電路的迭代優(yōu)化，推動(dòng)柔性電子從實(shí)驗(yàn)室走向產(chǎn)業(yè)化落地。無掩模激光光刻 (MLL) 是一種微加工技術(shù)，用于在基板上以高精度和高分辨率創(chuàng)建復(fù)雜圖案。一個(gè)新加坡研究團(tuán)隊(duì)通過無縫集成硬件和軟件組件，開發(fā)出一款緊湊且經(jīng)濟(jì)高效的 MLL 系統(tǒng)。通過與計(jì)算機(jī)輔助設(shè)計(jì)軟件無縫集成，操作員可以輕松輸入任意圖案進(jìn)行曝光。該系統(tǒng)占用空間小，非常適合研究實(shí)驗(yàn)室，并broad應(yīng)用于微流體、電子學(xué)和納/微機(jī)械系統(tǒng)等各個(gè)領(lǐng)域。該系統(tǒng)的經(jīng)濟(jì)高效性使其優(yōu)勢(shì)擴(kuò)展到大學(xué)研究實(shí)驗(yàn)室以外的領(lǐng)域，為半導(dǎo)體和醫(yī)療公司提供了利用其功能的機(jī)會(huì)。黑龍江德國PSP-POLOS光刻機(jī)基材厚度可達(dá)到0.1毫米至8毫米