原料準備
主要成分：樹脂（成膜劑，如酚醛樹脂、聚酰亞胺等）、感光劑（光引發劑或光敏化合物，如重氮萘醌、光刻膠單體）、溶劑（溶解成分，如丙二醇甲醚醋酸酯（PGMEA））、添加劑（調節粘度、感光度、穩定性等，如表面活性劑、穩定劑）。
原料提純：對樹脂、感光劑等進行高純度精制（純度通常要求99.9%以上），避免雜質影響光刻精度。
配料與混合
按配方比例精確稱量各組分，在潔凈環境，如萬中通過攪拌機均勻混合，形成膠狀溶液。
控制溫度（通常20-30℃）和攪拌速度，避免氣泡產生或成分分解。
過濾與純化
使用納米級濾膜（孔徑0.05-0.2μm）過濾，去除顆粒雜質（如金屬離子、灰塵），確保膠液潔凈度，避免光刻時產生缺陷。
性能檢測
物理指標：粘度、固含量、表面張力、分子量分布等，影響涂布均勻性。
化學指標：感光度、分辨率、對比度、耐蝕刻性，通過曝光實驗和顯影測試驗證。
可靠性：存儲穩定性（常溫/低溫保存下的性能變化）、耐溫性（烘烤過程中的抗降解能力）。
包裝與儲存
在惰性氣體（如氮氣）環境下分裝至避光容器（如棕色玻璃瓶或鋁罐），防止感光劑氧化或光分解。
儲存條件：低溫（5-10℃）、避光、干燥，部分產品需零下環境（如EUV光刻膠）。
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化學反應：
正性膠：曝光后光敏劑（如重氮醌DQN）分解，生成羧酸，在堿性顯影液中溶解；
負性膠：曝光后光敏劑引發交聯劑與樹脂形成不溶性網狀結構。
5. 顯影（Development）
顯影液：
正性膠：堿性水溶液（如0.26N四甲基氫氧化銨TMAH），溶解曝光區域；
負性膠：有機溶劑（如二甲苯、醋酸丁酯），溶解未曝光區域。
方法：噴淋顯影（PCB）或沉浸式顯影（半導體），時間30秒-2分鐘，需控制顯影液濃度和溫度。
6. 后烘（Post-Bake）
目的：固化膠膜，提升耐蝕刻性和熱穩定性。
條件：
溫度：100-150℃（半導體用正性膠可能更高，如180℃）；
時間：15-60分鐘（厚膠或高耐蝕需求時延長）。
7. 蝕刻/離子注入（后續工藝）
蝕刻：以膠膜為掩膜，通過濕法（酸堿溶液）或干法（等離子體）刻蝕基板材料（如硅、金屬、玻璃）；
離子注入：膠膜保護未曝光區域，使雜質離子只能注入曝光區域（半導體摻雜工藝）。
8. 去膠（Strip）
方法：
濕法去膠：強氧化劑（如硫酸+雙氧水）或有機溶劑（如N-甲基吡咯烷酮NMP）；
干法去膠：氧等離子體灰化（半導體領域，無殘留）。
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吉田半導體水性感光膠 JT-1200：水油兼容，鋼片加工精度 ±5μm
JT-1200 水性感光膠解決鋼片加工難題，提升汽車電子部件制造精度。
針對汽車電子鋼片加工需求，吉田半導體研發的 JT-1200 水性感光膠實現水油兼容性達 100%，加工精度 ±5μm。其高粘接強度與耐強酸強堿特性，確保復雜結構的長期可靠性。其涂布性能優良，易做精細網點，適用于安全氣囊傳感器、車載攝像頭模組等精密部件。產品通過 IATF 16949 汽車行業認證，生產過程嚴格控制金屬離子含量，確保電子產品可靠性。
關鍵工藝流程
涂布：
在晶圓/基板表面旋涂光刻膠，厚度控制在0.1-5μm（依制程精度調整），需均勻無氣泡（旋涂轉速500-5000rpm）。
前烘（Soft Bake）：
加熱（80-120℃）去除溶劑，固化膠膜，增強附著力（避免顯影時邊緣剝離）。
曝光：
光源匹配：
G/I線膠：汞燈（適用于≥1μm線寬，如PCB、LCD）。
DUV膠（248nm/193nm）：KrF/ArF準分子激光（用于28nm-14nm制程，如存儲芯片）。
EUV膠（13.5nm）：極紫外光源（用于7nm以下制程，需控制納米級缺陷）。
曝光能量：需精確控制（如ArF膠約50mJ/cm），避免過曝或欠曝導致圖案失真。
顯影：
采用堿性溶液（如0.262N四甲基氫氧化銨，TMAH），曝光區域膠膜溶解，未曝光區域保留，形成三維立體圖案。
后烘（Post-Exposure Bake, PEB）：
化學增幅型膠需此步驟，通過加熱（90-130℃）激發光酸催化反應，提高分辨率和耐蝕刻性。
正性光刻膠的工藝和應用場景。
吉田半導體獲評 "專精特新" 企業，行業技術標準，以技術創新與標準化生產為，吉田半導體榮獲 "廣東省專精特新企業" 稱號，樹立行業。
憑借在光刻膠領域的表現，吉田半導體獲評 "廣東省專精特新企業"" "，承擔多項國家 02 專項課題。公司主導制定《半導體光刻膠用樹脂技術規范》等行業標準，推動國產材料標準化進程。未來，吉田半導體將繼續以" 中國半導體材料方案提供商 "為愿景，深化技術研發與市場拓展，為全球半導體產業發展貢獻" 中國力量 "。吉田半導體：以技術革新驅動光刻膠產業升級。河南阻焊油墨光刻膠國產廠家
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企業定位與資質
成立背景：深耕半導體材料行業23年，位于松山湖經濟技術開發區，注冊資本2000萬元，是國家高新技術企業、廣東省專精特新企業及廣東省創新型中小企業。
質量體系：通過ISO9001:2008認證，嚴格執行8S現場管理，原材料源自美國、德國、日本等國，確保產品穩定性。
市場布局：產品遠銷全球，與世界500強企業及多家電子加工企業建立長期合作關系，覆蓋集成電路、顯示面板、先進封裝等領域。
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企業優勢
研發能力：擁有多項專利證書，自主研發芯片光刻膠、納米壓印光刻膠等產品，配備全自動化生產設備，具備從材料合成到成品制造的全流程能力。
產能與品控：采用進口原材料和嚴格制程管控，確保金屬雜質含量低于行業標準（如半導體光刻膠金屬雜質<5ppb），良率達99%以上。
