原料準備
主要成分：樹脂（成膜劑，如酚醛樹脂、聚酰亞胺等）、感光劑（光引發劑或光敏化合物，如重氮萘醌、光刻膠單體）、溶劑（溶解成分，如丙二醇甲醚醋酸酯（PGMEA））、添加劑（調節粘度、感光度、穩定性等，如表面活性劑、穩定劑）。
原料提純：對樹脂、感光劑等進行高純度精制（純度通常要求99.9%以上），避免雜質影響光刻精度。
配料與混合
按配方比例精確稱量各組分，在潔凈環境，如萬中通過攪拌機均勻混合，形成膠狀溶液。
控制溫度（通常20-30℃）和攪拌速度，避免氣泡產生或成分分解。
過濾與純化
使用納米級濾膜（孔徑0.05-0.2μm）過濾，去除顆粒雜質（如金屬離子、灰塵），確保膠液潔凈度，避免光刻時產生缺陷。
性能檢測
物理指標：粘度、固含量、表面張力、分子量分布等，影響涂布均勻性。
化學指標：感光度、分辨率、對比度、耐蝕刻性，通過曝光實驗和顯影測試驗證。
可靠性：存儲穩定性（常溫/低溫保存下的性能變化）、耐溫性（烘烤過程中的抗降解能力）。
包裝與儲存
在惰性氣體（如氮氣）環境下分裝至避光容器（如棕色玻璃瓶或鋁罐），防止感光劑氧化或光分解。
儲存條件：低溫（5-10℃）、避光、干燥，部分產品需零下環境（如EUV光刻膠）。
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關鍵工藝流程
涂布：
在晶圓/基板表面旋涂光刻膠，厚度控制在0.1-5μm（依制程精度調整），需均勻無氣泡（旋涂轉速500-5000rpm）。
前烘（Soft Bake）：
加熱（80-120℃）去除溶劑，固化膠膜，增強附著力（避免顯影時邊緣剝離）。
曝光：
光源匹配：
G/I線膠：汞燈（適用于≥1μm線寬，如PCB、LCD）。
DUV膠（248nm/193nm）：KrF/ArF準分子激光（用于28nm-14nm制程，如存儲芯片）。
EUV膠（13.5nm）：極紫外光源（用于7nm以下制程，需控制納米級缺陷）。
曝光能量：需精確控制（如ArF膠約50mJ/cm），避免過曝或欠曝導致圖案失真。
顯影：
采用堿性溶液（如0.262N四甲基氫氧化銨，TMAH），曝光區域膠膜溶解，未曝光區域保留，形成三維立體圖案。
后烘（Post-Exposure Bake, PEB）：
化學增幅型膠需此步驟，通過加熱（90-130℃）激發光酸催化反應，提高分辨率和耐蝕刻性。
西安PCB光刻膠納米壓印光刻膠哪家強？吉田半導體附著力提升 30%！
憑借綠色產品與可持續生產模式，吉田半導體的材料遠銷全球，并與多家跨國企業建立長期合作。其環保焊片與靶材被廣泛應用于光伏、儲能等清潔能源領域，助力客戶實現產品全生命周期的環境友好。公司通過導入國際標準認證（如 ISO14001 環境管理體系），進一步強化了在環保領域的競爭力。
未來，廣東吉田半導體材料有限公司將繼續以技術創新為驅動，深化綠色制造戰略，為半導體產業的低碳化、可持續發展貢獻力量。以品質為依托，深化全球化布局，為半導體產業發展注入持續動力。
廣東吉田半導體材料有限公司多種光刻膠產品，主要涵蓋厚板、負性、正性、納米壓印及光刻膠等類別，以滿足不同領域的需求。
厚板光刻膠：JT-3001 型號，具有優異的分辨率和感光度，抗深蝕刻性能良好，符合歐盟 ROHS 標準，保質期 1 年。適用于對精度和抗蝕刻要求高的厚板光刻工藝，如特定電路板制造。
負性光刻膠
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SU-3 負性光刻膠：分辨率優異，對比度良好，曝光靈敏度高，光源適應，重量 100g。常用于對曝光精度和光源適應性要求較高的微納加工、半導體制造等領域。
正性光刻膠
吉田半導體光刻膠，45nm 制程驗證，國產替代方案！
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LCD 正性光刻膠 YK-200：具有較大曝光、高分辨率、良好涂布和附著力，重量 100g。適用于液晶顯示領域的光刻工藝，確保 LCD 生產中圖形精確轉移和良好涂布效果。
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半導體正性光刻膠 YK-300：具備耐熱耐酸、耐溶劑性、絕緣阻抗和緊密性，重量 100g。主要用于半導體制造工藝，滿足半導體器件對光刻膠在化學穩定性和電氣性能方面的要求。
納米壓印光刻膠
微納光學器件制造：制作衍射光學元件、微透鏡陣列等微納光學器件時，納米壓印光刻膠可實現高精度的微納結構復制。通過納米壓印技術，將模板上的微納圖案轉移到光刻膠上，再經過后續處理，可制造出具有特定光學性能的微納光學器件，應用于光通信、光學成像等領域。
生物芯片制造：在 DNA 芯片、蛋白質芯片等生物芯片的制造中，需要在芯片表面構建高精度的微納結構，用于生物分子的固定和檢測。納米壓印光刻膠可幫助實現這些精細結構的制作，提高生物芯片的檢測靈敏度和準確性。
光刻膠的關鍵應用領域。江蘇LCD光刻膠廠家
吉田半導體材料的綠色環保與可持續發展。西安PCB光刻膠
吉田半導體的自研產品已深度融入國內半導體產業鏈：
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芯片制造：YK-300 光刻膠服務中芯國際、長江存儲，支持國產 14nm 芯片量產。
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顯示面板：YK-200 LCD 光刻膠市占率達 15%，成為京東方、華星光電戰略合作伙伴。
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新能源領域：無鹵無鉛焊片通過 UL 認證，批量應用于寧德時代儲能系統，年供貨量超 500 噸。
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研發投入：年研發費用占比超 15%，承擔國家 02 專項課題，獲 “國家技術發明二等獎”。
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產能規模：光刻膠年產能 5000 噸，納米壓印光刻膠占全球市場份額 15%。
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質量體系：通過 ISO9001、IATF 16949 等認證，生產過程執行 8S 管理，批次穩定性達 99.5%。
吉田半導體將繼續聚焦光刻膠研發，加速 EUV 光刻膠與木基材料技術突破，目標在 2027 年前實現 7nm 制程材料量產。同時，深化國產供應鏈協同，構建 “材料 - 設備 - 工藝” 一體化生態圈，為中國半導體產業自主化貢獻 “吉田力量”。
從突破國際壟斷到行業標準，吉田半導體以自研自產為引擎，走出了一條中國半導體材料企業的崛起之路。未來，公司將以更具競爭力的產品與技術，助力中國半導體產業邁向更高臺階。
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