三極管是流控型器件，MOS管是壓控型器件，可控硅不單單是流控型器件，稍微復(fù)雜一點(diǎn)。分別介紹。三極管的控制方式三極管是常用的電子元器件，可以用作開(kāi)關(guān)，也可以用作信號(hào)放大。三極管分為NPN型和PNP型，杭州場(chǎng)效應(yīng)管按需定制，當(dāng)三極管的PN結(jié)正向偏置之后，三極管導(dǎo)通。對(duì)于NPN三極管而言：在基極是高電平時(shí)，三極管導(dǎo)通；在基極是低電平時(shí)，三極管截至，杭州場(chǎng)效應(yīng)管按需定制。對(duì)于PNP三極管而言：在基極是高電平時(shí)，三極管截至；在基極是低電平時(shí)，三極管導(dǎo)通。MOS管的控制方式MOS管是壓控型的器件，與三極管相比較，其過(guò)電流能力會(huì)更大。MOS管分為NMOS管和PMOS管。其導(dǎo)通條件不一樣。NMOS管，在Vgs>0時(shí)導(dǎo)通，Vgs<><0時(shí)導(dǎo)通，vgs>0截至；可控硅的控制方式可控硅的控制方式稍微復(fù)雜一點(diǎn)，可控硅共有四個(gè)工作象限，而且可控硅一旦導(dǎo)通，移除門(mén)極觸發(fā)信號(hào)后，依然導(dǎo)通不會(huì)關(guān)斷。可控硅的導(dǎo)通條件：門(mén)極存在滿(mǎn)足條件的觸發(fā)電流，T1和T2存在大于管壓降的電壓。可控硅的截至條件：門(mén)極觸發(fā)信號(hào)移除，杭州場(chǎng)效應(yīng)管按需定制，T1和T2之間的電流小于維持電流。盟科有插件封裝形式的場(chǎng)效應(yīng)管。杭州場(chǎng)效應(yīng)管按需定制

場(chǎng)效應(yīng)管和晶閘管都是電子電路中常用的開(kāi)關(guān)型器件，但是兩者存在本質(zhì)的區(qū)別。場(chǎng)效應(yīng)管包括結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管JFET和金屬-氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)管MOSFET。而晶閘管一般是指可控硅，可控硅按照導(dǎo)通方向可以分為單向可控硅SCR和雙向可控硅Triac。這里主要介紹MOSFET。MOSFET有三個(gè)電極，分別為柵極G、源極S和漏極D，其中柵極G為控制端，源極S和漏極D為輸出端。PMOS的襯底為N型半導(dǎo)體，在VGS《0時(shí)，會(huì)形成P溝道，所以叫做P溝道MOS；而NMOS的襯底為P型半導(dǎo)體，在VGS》0時(shí)，會(huì)形成N溝道，所以叫做N溝道MOS。MOS管是電壓驅(qū)動(dòng)型的器件，主要用作可控整流、功率開(kāi)關(guān)、信號(hào)放大等，應(yīng)用比較多方面。MOS管的通道依靠VGS的電平，對(duì)于NMOS而言，VGS》0時(shí)，NMOS導(dǎo)通，否則NMOS截止；對(duì)于PMOS而言，VGS《0，PMOS導(dǎo)通，否則截止。晶閘管又稱(chēng)可控硅，其與場(chǎng)效應(yīng)管一樣，皆為半導(dǎo)體器件，它們的外形封裝也基本一樣，但它們?cè)陔娐分械挠猛緟s不一樣。惠州SOT-23場(chǎng)效應(yīng)管按需定制盟科MK6409參數(shù)是可以替代萬(wàn)代AO6409的參數(shù)。

場(chǎng)效應(yīng)管在mpn中，它的長(zhǎng)相和我們常面講的三極管非常像，所以有不少修朋友好長(zhǎng)時(shí)間還分不清楚，統(tǒng)一的把這些長(zhǎng)相相同的三極管、場(chǎng)效應(yīng)管、雙二極管、還有各種穩(wěn)壓IC統(tǒng)統(tǒng)稱(chēng)作“三個(gè)腳的管管”，呵呵，如果這樣麻木不分的話(huà)，你的維修技術(shù)恐怕很難快速提高的哦！關(guān)于它的構(gòu)造原理由于比較抽象，我們是通俗化講它的使用，所以不去多講，由于根據(jù)使用的場(chǎng)合要求不同做出來(lái)的種類(lèi)繁多，特性也都不盡相同;我們?cè)趍pn中常用的一般是作為電源供電的電控之開(kāi)關(guān)使用，所以需要通過(guò)電流比較大，所以是使用的比較特殊的一種制造方法做出來(lái)了增強(qiáng)型的場(chǎng)效應(yīng)管(MOS型)。

書(shū)上說(shuō)，MOS管的主要作用是放大。不過(guò)實(shí)際在智能硬件產(chǎn)品開(kāi)發(fā)和物聯(lián)網(wǎng)產(chǎn)品開(kāi)發(fā)中，幾乎沒(méi)有用到放大用的MOS管，絕大部分是用來(lái)做開(kāi)關(guān)的。偶爾有些放大作用的MOS管，也是集成在芯片里面的。可以毫不夸張的講，只要不是做IC設(shè)計(jì)的，幾乎用不到MOS管的放大功能。自己搭出來(lái)的MOS放大電路，性能不可能有專(zhuān)業(yè)芯片公司做的好的。MOS管在常用的數(shù)字電路板上的用法：用作開(kāi)關(guān)的時(shí)候，不管是N-MOS還是P-MOS，記住一句話(huà)即可：VGS有電壓差，MOS管就導(dǎo)通。VGS沒(méi)有電壓差，MOS管就關(guān)閉。MOS管常見(jiàn)的主要用途有以下幾種負(fù)極開(kāi)關(guān)（N-MOS）：設(shè)備控制LED燈控制電路馬達(dá)控制電路N-MOS廣泛應(yīng)用于設(shè)備通斷的控制。例如LED燈控制和電動(dòng)馬達(dá)的控制。GPIO口拉高，MOS管就導(dǎo)通，LED燈亮、馬達(dá)轉(zhuǎn)動(dòng)。GPIO拉低，MOS管就關(guān)閉，LED燈滅，馬達(dá)就停止轉(zhuǎn)動(dòng)。在普通的低電壓數(shù)字電路上，這種控制方式對(duì)MOS管本身沒(méi)有什么特定高要求，隨便抓一個(gè)N-MOS也可以用。NPN的三極管也可以用。正極開(kāi)關(guān)（P-MOS）：電源控制P-MOS通常用作電源的開(kāi)關(guān)，控制設(shè)備的電源打開(kāi)或者關(guān)閉。盟科MK6802參數(shù)是可以替代AO6802的。

近些年來(lái)，隨著電子電腦技術(shù)的不斷發(fā)展，各種電子合成器、各種音頻效果器和膽音效果器軟件以及虛擬揚(yáng)聲器技術(shù)層出不窮。這使得音頻放大器硬件的發(fā)展和普及遠(yuǎn)遠(yuǎn)趕不上軟件的速度，在精確度上硬件往往也趕不上軟件，如電腦模擬3D效果逼真度很大超過(guò)真實(shí)3D效果，不受聽(tīng)音室的空間以及聲源合成的限制，同時(shí)也節(jié)省投入硬件的開(kāi)支。綠色音響、雙料發(fā)燒一一電腦音響很有可能會(huì)成為未來(lái)音響的主流，硬件不行軟件來(lái)，實(shí)行軟硬兼施，功能強(qiáng)悍，集中體現(xiàn)了高效、便捷、神奇以及經(jīng)濟(jì)的特點(diǎn)。如在電腦中設(shè)置虛擬光驅(qū)，每次播放樂(lè)曲時(shí)，就不必啟動(dòng)物理光驅(qū)，這樣不僅減少等待曲目時(shí)間及物理光驅(qū)的磨損，更重要的是消除了物理光驅(qū)的噪聲，實(shí)現(xiàn)高保真放音。再如，膽管功放放音柔和耐聽(tīng)，而制作成本不薄，并且取得靚音的要件比較多，而通過(guò)膽音效果器軟件，可為我們?cè)陔娔X中造就一個(gè)“軟膽”，就可以模擬出膽機(jī)的音色。mos管代工盟科電子做得很不錯(cuò)。汕尾品質(zhì)場(chǎng)效應(yīng)管

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柵極電壓（UGs）對(duì)漏極電流（ID）的控制作用稱(chēng)為轉(zhuǎn)移特性，反映這兩者之間關(guān)系的曲線稱(chēng)為轉(zhuǎn)移特性曲線。下圖1-60所示為N溝道結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管的轉(zhuǎn)移特性曲線。當(dāng)柵極電壓UGs取不同的電壓值時(shí)，漏極電流ID將隨之改變。當(dāng)ID=0時(shí),UGS的值為場(chǎng)效應(yīng)管的夾斷電壓Uq；當(dāng)UGs=0時(shí)，ID的值為場(chǎng)效應(yīng)管的飽和漏極電流Idss。在Ugs一定時(shí)，反映ID與Uds之間的關(guān)系曲線為輸出特性曲線，也稱(chēng)為漏極特性曲線。上圖1-61所示為N溝道結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管的輸出特性曲線。由圖可見(jiàn)，它分為三個(gè)區(qū)：飽和區(qū)、擊穿區(qū)和非飽和區(qū)。起放大作用時(shí)，應(yīng)工作在飽和區(qū)（這一點(diǎn)與前面講的普通三極管不同）。注意，此處的“飽和區(qū)”對(duì)應(yīng)普通三極管的“放大區(qū)”。杭州場(chǎng)效應(yīng)管按需定制

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