可控硅模塊采用陶瓷覆銅工藝，電流承載能力大，熱循環負載次數是國標的進10倍，焊接工藝獨特，絕緣強度高，導熱性能好。可控硅模塊的工作場所應干燥、無性氣體、通風、無塵，環境溫度范圍-25℃--45℃，下面為大家介紹可控硅模塊的安裝步驟： 1、散熱器和風機按通風要求裝配于機箱合適位置。散熱器表面必須平整光潔。在模塊導熱底板與散熱器表面均勻涂覆一層導熱硅脂，然后用螺釘把模塊固定于散熱器上，四個螺釘用力要均等。
2、用接線端頭環帶將銅線扎緊，浸錫，套上絕緣熱縮管，用熱風或熱水加熱收縮，導線截面積按電流密度<4A/mm2選取，廣東可控硅模塊，禁止將銅線直接壓接在可控硅模塊電上。
3、 將接線端頭平放于可控硅模塊電上用螺釘緊固，廣東可控硅模塊，廣東可控硅模塊，保持良好的平面壓力接觸。
4、可控硅模塊的電易掀起折斷，接線時應防止重力將電拉起折斷。 淄博正高電氣有限公司真誠希望與您攜手、共創輝煌。廣東可控硅模塊
過電壓會對可控硅模塊造成損壞，如果要想保護可控硅不受其損壞，就要了解過電壓的產生原因，從而去避免防止受損，下面正高電氣就來講講過電壓會對可控硅模塊造成怎樣的損壞？以及過電壓產生的原因。
可控硅模塊對過電壓非常敏感，當正向電壓超過udrm值時，可控硅會誤導并導致電路故障；當施加的反向電壓超過urrm值時，可控硅模塊會立即損壞。因此，需要研究過電壓產生的原因和過電壓的方法。
過電壓主要是由于供電電源或系統儲能的急劇變化，使系統轉換太晚，或是系統中原本積聚的電磁能量消散太晚。主要研究發現，由于外界沖擊引起的過電壓主要有兩種類型，如雷擊和開關開啟和關閉引起的沖擊電壓。雷擊或高壓斷路器動作產生的過電壓是幾微秒到幾毫秒的電壓尖峰，對可控硅模塊非常危險。
日照雙向可控硅模塊組件淄博正高電氣有限公司推行現代化管理制度。
雙向可控硅第 一陽A1與第二陽A2間，無論所加電壓性是正向還是反向，只要控制G和第 一陽A1間加有正負性不同的觸發電壓，就可觸發導通呈低阻狀態。此時A1、A2間壓降也約為1V。雙向可控硅一旦導通，即使失去觸發電壓，也能繼續保持導通狀態。只有當第 一陽A1、第二陽A2電流減小，小于維持電流或A1、A2間當電壓性改變且沒有觸發電壓時，雙向可控硅才截斷，此時只有重新加觸發電壓方可導通。
淄博正高電氣有限公司，生產各類規格型號的晶閘管智能模塊、固態繼電器模塊、橋臂模塊、整流橋模塊、各類控制柜和配套模塊使用的觸發板、控制板等產品，真誠期待與各公司和采購人員的合作，提供價格低廉、質量可靠的電子元件。
正高可控硅分單向可控硅、雙向可控硅。單向可控硅有陽A、陰K、控制G三個引出腳。雙向可控硅有兩個陽：一陽A1(T1)，二陽A2(T2)、控制G三個引出腳。
只有當單向可控硅陽A與陰K之間加有正向電壓，同時控制G與陰間加上所需的正向觸發電壓時，方可被觸發導通。此時A、K間呈低阻導通狀態，陽A與陰K間壓降約1V。單向可控硅導通后，控制器G即使失去觸發電壓，只要陽A和陰K之間仍保持正向電壓，單向可控硅繼續處于低阻導通狀態。只有把陽A電壓拆除或陽A、陰K間電壓性發生改變(交流過零)時，單向可控硅才由低阻導通狀態轉換為高阻截止狀態。單向可控硅一旦截止，即使陽A和陰K間又重新加上正向電壓，仍需在控制G和陰K間有重新加上正向觸發電壓方可導通。單向可控硅的導通與截止狀態相當于開關的閉合與斷開狀態，用它可制成無觸點開關。 淄博正高電氣有限公司歡迎朋友們指導和業務洽談。
正高可控硅擁有體積小、重量輕、結構緊湊、可靠性高、外接線簡單、互換性好、便于維修和安裝；結構重復性好，裝置的機械設計可以簡化，價格比分立器件低等諸多優點，受到了眾多客戶的喜愛和歡迎。目前，正高可控硅以其穩定的性能等特點，應用于各行業，暢銷省內外地區。
可控硅模塊的分類
可控硅模板從X芯片上看，可以分為可控模塊和整流模塊兩大類，從具體的用途上區分，可以分為：普通晶閘管模塊（MTC\MTX)、普通整流管模塊(MDC)、普通晶閘管、整流管混合模塊(MFC)、快速晶閘管、整流管及混合模塊（MKC\MZC)、非絕緣型晶閘管、整流管及混合模塊（也就是通常所說的電焊機模塊MTG\MDG)、三相整流橋輸出可控硅模塊（MDS)、單相（三相）整流橋模塊（MDQ)、單相半控橋（三相全控橋）模塊(MTS)以及肖特基模塊等。 淄博正高電氣有限公司是多層次的組織與管理模式。日照雙向可控硅模塊組件
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相信大家對于可控硅模塊并不陌生了，現代在電氣行業的不斷發展，可控硅模塊的使用范圍越來越廣，但是你對可控硅模塊的了解有多少呢，它的主要參數有哪些你知道嗎？下面為大家講解。
可控硅模塊的主要參數有：
(1) 額定通態平均電流IT在一定條件下，陽---陰間可以連續通過的50赫茲正弦半波電流的平均值。
(2) 正向阻斷峰值電壓VPF 在控制開路未加觸發信號，陽正向電壓還未超過導能電壓時，可以重復加在可控硅模塊兩端的正向峰值電壓。可控硅模塊承受的正向電壓峰值，不能超過手冊給出的這個參數值。
(3) 反向陰斷峰值電壓VPR當可控硅加反向電壓，處于反向關斷狀態時，可以重復加在可控硅模塊兩端的反向峰值電壓。使用時，不能超過手冊給出的這個參數值。 廣東可控硅模塊
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