可控硅模塊是有PNPN四層半導體構成的元件，有三個電，陽a，陰K和控制機G所構成的，濰坊反并聯可控硅模塊供應商。
可控硅模塊的應用領域模塊應用詳細說明介紹：
可控硅模塊應用于控溫、調光、勵磁、電鍍、電解、充放電，濰坊反并聯可控硅模塊供應商，濰坊反并聯可控硅模塊供應商、電焊機、等離子拉弧、逆變電源等需對電力能量大小進行調整和變換的場合，如工業、通訊、等各類電氣控制、電源等，根據還可通過可控硅模塊的控制端口與多功能控制板連接，實現穩流、穩壓、軟啟動等功能，并可實現過流、過壓、過溫、缺相等保護功能。 淄博正高電氣有限公司不斷提高產品的質量。濰坊反并聯可控硅模塊供應商
您知道可控硅模塊的導通條件是什么嗎？
可控硅模塊導通的條件是陽承受正電壓，只有當正向觸發電壓時，可控硅才能導通。由門級施加的正向觸發脈沖的較小寬度應使陽電流達到維持直通狀態所需的較小的陽電流，即高于電流IL。可控硅導通后的電壓降很小。
接通可控硅模塊的條件是將流過可控硅模塊的電流減小到較小的值，即保持電流IH。有兩種方法：
1.將正電壓降低至數值，或添加反向陽電壓。
*.增加負載電路中的電阻。
以上是可控硅模塊的導通狀態，希望能幫助您 濰坊反并聯可控硅模塊供應商淄博正高電氣有限公司敢于承擔、克難攻堅。
可控硅模塊特點：
1 對耐壓級別的選擇：通常把VDRM(斷態重復峰值電壓)和VRRM(反向重復峰值電壓)中較小的值標作該器件的額定電壓。
* 對電流的確定：由于雙向可控硅模塊通常用在交流電路中，因此不能用平均值而用有效值來表示它的額定電流值。由于可控硅的過載能力比一般電磁器件小，因而一般家電中選用可控硅模塊的電流值為實際工作電流值的*~3倍。同時，可控硅承受斷態重復峰值電壓VDRM和反向重復峰值電壓VRRM 時的峰值電流應小于器件規定的IDRM和IRRM。
3 對通態電壓VTM的選擇：它是可控硅模塊通以規定倍數額定電流時的瞬態峰值壓降。為了減少可控硅的熱損耗，應盡可能選擇VTM小的可控硅。
4 對維持電流：IH是維持可控硅模塊保持通態所必 需的小主電流，它與結溫有關，結溫越高，則IH越小。
5 對電壓上升率的：dv/dt指的是在關斷狀態下電壓的上升斜率，這是防止誤觸發的一個關鍵參數。由于雙向可控硅模塊的制造工藝決定了A*與G之間會存在寄生電容。
可控硅模塊選購注意事項:
(1)注明您需要的產品的型號、結構（螺栓、凹臺、凸臺）、配置散熱器型號。
(*)注明您關注的參數要求。
(3)選擇電流電壓時要留有適當的余量；
可控硅模塊使用注意事項：
(1)線路中須有過壓過流保護措施，串并聯使用時必須有均流措施。
(*)用萬用表簡單判斷器件是否損壞： 門陰間電阻，應有十幾或幾十Ω，否則門已短路或開路。陰陽間電阻，應大于1MΩ，（整流管正向除外），電阻小于1MΩ表明器件間絕緣性能不良，電阻近零時表明器件已擊穿。發現有短路或斷路現象時，應立即更換。
(3)嚴禁用兆歐表（即搖表）檢查元件的絕緣情況。
(4)電流為5A以上的可控硅模塊要裝散熱器，并且所規定的冷卻條件。為散熱器與可控硅模塊管心接觸良好，它們之間應涂上一薄層有機硅油或硅脂，以幫于良好的散熱。
(5)按規定對主電路中的可控硅模塊采用過壓及過流保護裝置。
(6)要防止可控硅模塊控制的正向過載和反向擊穿。
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滿足可控硅模塊工作的必要條件：
（1）+1*V直流電源：可控硅模塊內部控制電路的工作電源。
①可控硅模塊輸出電壓要求：+1*V電源：1*±0.5V ，紋波電壓小于*0mv 。
②可控硅模塊輸出電流要求：標稱電流小于500安培產品：I+1*V＞0.5A，標稱電流大于500安培產品：I+1*V＞ 1A。
（*）可控硅模塊控制信號：0～10V或4～*0mA控制信號，用于對輸出電壓大小進行調整的控制信號，正接CON10V或CON*0mA，負接GND1。
（3）可控硅模塊供電電源和負載：供電電源一般為電網電源，電壓460V以下的或者供電變壓器，接可控硅模塊的輸入端子；負載為用電器，接可控硅模塊的輸出端子。 淄博正高電氣有限公司以發展求壯大，就一定會贏得更好的明天。濰坊反并聯可控硅模塊供應商
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可控硅模塊的分類：
1、以關斷、導通及控制方式來分類：可控硅按其關斷、導通及控制方式可分為普通可控硅、雙向可控硅、逆導可控硅、門關斷可控硅（GTO）、BTG可控硅、溫控可控硅和光控可控硅等多種。
*、以引腳和性來分類：可控硅按其引腳和性可分為二可控硅、三可控硅和四可控硅。
3、以封裝形式來分類：可控硅按其封裝形式可分為金屬封裝可控硅、塑封可控硅和陶瓷封裝可控硅三種類型。其中，金屬封裝可控硅又分為螺栓形、平板形、圓殼形等多種；塑封可控硅又分為帶散熱片型和不帶散熱片型兩種。
4、以電流容量來分類：可控硅按電流容量可分為大功率可控硅、中功率可控硅和小功率可控硅三種。通常，大功率可控硅多采用金屬殼封裝，而中、小功率可控硅則多采用塑封或陶瓷封裝。
5、以關斷速度來分類：可控硅按其關斷速度可分為普通可控硅和高頻（快速）可控硅。
6、過零觸發，一般是調功，即當正弦交流電交流電電壓相位過零點觸發，必須是過零點才觸發，導通可控硅參數介紹
7、非過零觸發，無論交流電電壓在什么相位的時候都可觸發導通可控硅，常見的是移相觸發。
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