對其它情況電阻值均為無窮大。由此可迅速判定G、K，剩下的就是A。2．檢查觸發能力如圖2(a)所示，先將表Ⅰ的黑表筆接A，紅表筆接K，電阻為無窮大；然后用黑表筆尖也同時接觸G，加上正向觸發信號，表針向右偏轉到低阻值即表明GTO已經導通；脫開G，只要GTO維持通態，就說明被測管具有觸發能力。3．檢查關斷能力現采用雙表法檢查GTO的關斷能力，如圖2(b)所示，表Ⅰ的檔位及接法保持不變。將表Ⅱ撥于R×10檔，紅表筆接G，黑表筆接K，施以負向觸發信號，如果表Ⅰ的指針向左擺到無窮大位置，證明GTO具有關斷能力。4．估測關斷增益βoff進行到第3步時，先不接入表Ⅱ，記下在GTO導通時表Ⅰ的正向偏轉格數n1；再接上表Ⅱ強迫GTO關斷，記下表Ⅱ的正向偏轉格數n2。根據讀取電流法按下式估算關斷增益：βoff=IATM/IGM≈IAT/IG＝K1n1/K2n2式中K1一表Ⅰ在R×1檔的電流比例系數；K2一表Ⅱ在R×10檔的電流比例系數。βoff≈10×n1/n2此式的優點是，不需要具體計算IAT、IG之值，只要讀出二者所對應的表針正向偏轉格數，即可迅速估測關斷增益值。注意事項：（1）在檢查大功率GTO器件時，山東MTAC150晶閘管智能模塊，建議在R×1檔外邊串聯一節′，山東MTAC150晶閘管智能模塊，山東MTAC150晶閘管智能模塊，以提高測試電壓和測試電流，使GTO可靠地導通。。正高電氣生產的產品受到用戶的一致稱贊。山東MTAC150晶閘管智能模塊
限流作用的強弱調節使靜止的。無接觸的。非機械式的，這就為微電子技術打開了大門。所以，在工作原理上磁控軟起動和晶閘管軟起動是完全相同的。說磁飽和軟起動能實現軟停止，能夠具有晶閘管軟起動所具有的幾乎全部功能，其原因概出于此。高壓磁飽和電抗器在原理和結構上與低壓（380V）磁飽和電抗器沒有本質的區別，只是在某些方面需要采取一些特殊的處理罷了。磁飽和電抗器具有，這使磁控軟起動的快速性比晶閘管慢一個數量級。對于電動機系統的大慣性來說，磁控軟起動的慣性是不足為慮的。有人說磁控軟起動不產生高次諧波，這是錯誤的。只要飽和。就一定會有非線性，就一定會引起高次諧波，只是磁飽和電抗器產生的高次諧波會比工作于斬波狀態的晶閘管要小一些。磁控軟起動裝置需要有相對較大功率的輔助電源，噪聲較大則是其不足之處。三、晶閘管軟起動晶閘管軟起動產品的問世是當今電力電子器件長足進步的結果。在很多年以前電氣工程界就有人指出，晶閘管軟起動將引發軟起動行業的一場革命。晶閘管軟啟動器主要性能優于液阻軟起動。與液阻軟起動相比，它體積小，結構緊湊，維護量小，功能齊全，菜單豐富，起動重復性好，保護周全，這些都是液阻軟起動難以望其項背的。山東MTAC150晶閘管智能模塊正高電氣愿和各界朋友真誠合作一同開拓。
滿足晶閘管模塊工作的必要條件
晶閘管模塊使用中一定要具有以下條件：
（1）+12V直流電源：模塊內部控制電路的工作電源。
①輸出電壓要求：+12V電源：12±0.5V ，紋波電壓小于20mv 。
②輸出電流要求：標稱電流小于500安培產品：I+12V＞0.5A，標稱電流大于500安培產品：I+12V＞ 1A。
（2）控制信號： 0～10V或4～20mA控制信號，用于對輸出電壓大小進行調整的控制信號，正接CON10V或CON20mA，負接GND1。
（3）供電電源和負載：供電電源一般為電網電源，電壓460V以下的或者供電變壓器，接模塊的輸入端子；負載為用電器，接模塊的輸出端子。
逆變橋進入工作狀態，開始起振，若不起振，表現為它激信號反復作掃頻動作，可調節中頻電壓互感器的相位，即把中頻電壓互感器20V繞組的輸出線對調一下。若把中頻電壓互感器20V繞組的輸出線對調后，仍然起動不起來。此時應確認一下槽路的諧振頻率是否正確，可以用電容/電感表測量一下電熱電容器的電容量及感應器的電感量，計算出槽路的諧振頻率，當槽路的諧振頻率處在比較高它激頻率的，起動應該是很容易的。再著就是檢查一下逆變晶閘管是否有損壞的。（W3W4）逆變起振后，可做整定逆變引前然的工作，把DIP開關均打在OFF位置，用示波器觀察電壓互感器100V繞組的波形，調節主控板上W4微調電位器，使逆變換相引前角在22°左右，此時中頻輸出電壓與直流電壓的比為（若換相重疊角較大，可適當增大逆變換相引前角），此步整定的是小逆變引前角，一般期望它盡可能的小，當然，過小的逆變換相此前角會使逆變換相失敗，表現為中頻電壓升高時，會出現重復起動。再把DIP-2開關打在ON位置，調節主控板上W3微調電位器，整定比較大逆變換相引前角。根據不同的中頻輸出電壓的要求，比較大逆變換相引前角亦不同，如中頻裝置三相輸入電壓為380V，額定中頻輸出電壓為750V時。正高電氣熱忱歡迎新老客戶惠顧。
[1]單結管即單結晶體管，又稱為雙基二管，是一種具有一個PN結和兩個歐姆電的負阻半導體器件。常見的有陶瓷封裝和金屬殼封裝的單結晶體管。[2]單結晶體管可分為N型基單結管和P型基單結管兩大類。單結晶體管的文字符號為“VT”，圖形符號如圖所示。[3]單結晶體管的主要參數有：①分壓比η，指單結晶體管發射E至基B1間的電壓（不包括PN結管壓降）在兩基間電壓中所占的比例。②峰點電壓UP，是指單結晶體管剛開始導通時的發射E與基B1的電壓，其所對應的發射電流叫做峰點電流IP。③谷點電壓UV，是指單結晶體管由負阻區開始進入飽和區時的發射E與基B1間的電壓，其所對應的發射電流叫做谷點電流IV。[4]單結晶體管共有三個管腳，分別是：發射E、基B1和第二基B2。圖示為兩種典型單結晶體管的管腳電。[5]單結晶體管重要的特性是具有負阻性，其基本工作原理如圖示（以N基單結管為例）。當發射電壓UE大于峰點電壓UP時，PN結處于正向偏置，單結管導通。隨著發射電流IE的增加，大量空穴從發射注入硅晶體，導致發射與基間的電阻急劇減小，其間的電位也就減小，呈現出負阻特性。[6]檢測單結晶體管時，萬用表置于“R×1k”擋。正高電氣具有一支經驗豐富、技術力量過硬的技術人才管理團隊。山東MTAC150晶閘管智能模塊
我公司生產的產品、設備用途非常多。山東MTAC150晶閘管智能模塊
傳統的電加熱行業使用的功率器件一般采用分離晶閘管+晶閘管觸發板的方式來完成對變壓器初級或次級的調壓；加熱行業往往工作環境很惡劣，粉塵飛揚，溫度變化較大，濕度較高，長時間工作后會出現觸發板工作失常，造成晶閘管擊穿，導致設備停產，產品報廢等，給生產造成嚴重損失。并且普通電工無法完成維修工作，必須人員進行操作。為了避免出現上述問題，比較好采用密封性好，工作環境適應能力強，安裝維修方便的晶閘管智能模塊來替代傳統的方式。晶閘管智能模塊是把晶閘管主電路與移向觸發系統（即觸發板）集成共同封裝在一個塑料外殼內，從而省去了觸發板與晶閘管之間的連接線、晶閘管與晶閘管之間的連接線，減小了接線錯誤的幾率，維護方便，普通電工即可完成操作，省去人員成本。把觸發板封裝到模塊內，環境中的粉塵、濕氣等都不會對其產生影響，增加了可靠性。 山東MTAC150晶閘管智能模塊
淄博正高電氣有限公司是一家有著雄厚實力背景、信譽可靠、勵精圖治、展望未來、有夢想有目標，有組織有體系的公司，堅持于帶領員工在未來的道路上大放光明，攜手共畫藍圖，在山東省淄博市等地區的電子元器件行業中積累了大批忠誠的客戶粉絲源，也收獲了良好的用戶口碑，為公司的發展奠定的良好的行業基礎，也希望未來公司能成為行業的翹楚，努力為行業領域的發展奉獻出自己的一份力量，我們相信精益求精的工作態度和不斷的完善創新理念以及自強不息，斗志昂揚的的企業精神將正高電氣供應和您一起攜手步入輝煌，共創佳績，一直以來，公司貫徹執行科學管理、創新發展、誠實守信的方針，員工精誠努力，協同奮取，以品質、服務來贏得市場，我們一直在路上！
