單向可控硅模塊有陽A、陰K、控制G三個(gè)引出腳。雙向可控硅有一陽A1(T1)，二陽A2(T2)、控制G三個(gè)引出腳。 只有當(dāng)單向可控硅陽A與陰K之間加有正向電壓，同時(shí)控制G與陰間加上所需的正向觸發(fā)電壓時(shí)，方可被觸發(fā)導(dǎo)通。此時(shí)A、K間呈低阻導(dǎo)通狀態(tài)，陽A與陰K間壓降約1V。

單向可控硅導(dǎo)通后，控制器G即使失去觸發(fā)電壓，只要陽A和陰K之間仍保持正向電壓，單向可控硅繼續(xù)處于低阻導(dǎo)通狀態(tài)。只有把陽A電壓拆除或陽A、陰K間電壓性發(fā)生改變(交流過零)時(shí)，濱州小功率可控硅模塊組件，單向可控硅才由低阻導(dǎo)通狀態(tài)轉(zhuǎn)換為高阻截止?fàn)顟B(tài)。單向可控硅一旦截止，即使陽A和陰K間又重新加上正向電壓，濱州小功率可控硅模塊組件，仍需在控制G和陰K間有重新加上正向觸發(fā)電壓方可導(dǎo)通。單向可控硅的導(dǎo)通與截止?fàn)顟B(tài)相當(dāng)于開關(guān)的閉合與斷開狀態(tài)，用它可制成無觸點(diǎn)開關(guān)，濱州小功率可控硅模塊組件。 淄博正高電氣有限公司過硬的產(chǎn)品質(zhì)量、的售后服務(wù)、認(rèn)真嚴(yán)格的企業(yè)管理，贏得客戶的信譽(yù)。濱州小功率可控硅模塊組件

可控硅模塊規(guī)格的選擇方法：考慮到可控硅產(chǎn)品一般為非正弦電流，存在導(dǎo)通角問題，負(fù)載電流存在一些波動(dòng)和不穩(wěn)定因素，晶閘管芯片抗電流沖擊能力差，在選擇模塊電流規(guī)格時(shí)必須留出一定的裕度。

選擇方法可按照以下公式計(jì)算：I＞K×I負(fù)載×U∕U實(shí)際

K ：安全系數(shù)，阻性負(fù)載K= 1.5，感性負(fù)載K= 2；

I負(fù)載：負(fù)載流過的強(qiáng)大電流； U實(shí)際：負(fù)載上的小電壓；

U強(qiáng)大 模塊能輸出的強(qiáng)大電壓；（三相整流模塊為輸入電壓的1.35倍，單相整流模塊為輸入電壓的0.9倍，其余規(guī)格均為1.0倍）；

I：需要選擇模塊的小電流,模塊標(biāo)稱的電流必須大于該值。 濱州小功率可控硅模塊組件誠(chéng)信是企業(yè)生存和發(fā)展的根本。

您知道可控硅模塊的導(dǎo)通條件是什么嗎？

可控硅模塊導(dǎo)通的條件是陽承受正電壓，只有當(dāng)正向觸發(fā)電壓時(shí)，可控硅才能導(dǎo)通。由門級(jí)施加的正向觸發(fā)脈沖的較小寬度應(yīng)使陽電流達(dá)到維持直通狀態(tài)所需的較小的陽電流，即高于電流IL。可控硅導(dǎo)通后的電壓降很小。

接通可控硅模塊的條件是將流過可控硅模塊的電流減小到較小的值，即保持電流IH。有兩種方法：

1.將正電壓降低至數(shù)值，或添加反向陽電壓。

2.增加負(fù)載電路中的電阻。

以上是可控硅模塊的導(dǎo)通狀態(tài)，希望能幫助您

可控硅模塊的接線方法

可控硅模塊在電力工業(yè)中占有重要地位。很多人知道可控硅模塊的優(yōu)點(diǎn)和使用方法，但不知道如何連接可控硅模塊。我們來談?wù)効煽毓枘�塊的連接方法。

單個(gè)晶閘管反向并聯(lián)。記得增加RC保護(hù)電路。控制交流電，單向晶閘管一定要反向并聯(lián)，因此2和3應(yīng)短接使用。

可控硅的介紹：

這是一種由三個(gè)晶閘管引起的共正晶閘管模塊，主要用于三相半波整流電路。

或者三相全控橋可以由一個(gè)普通的負(fù)三相半波整流器構(gòu)成。

調(diào)速器：紅色，藍(lán)色，黑色，3根電線，紅色電池正，黑色電池負(fù)，藍(lán)色連接電機(jī)負(fù)，電機(jī)正帶一根線到電池正。 淄博正高電氣有限公司是您可信賴的合作伙伴！

正高可控硅分單向可控硅、雙向可控硅。單向可控硅有陽A、陰K、控制G三個(gè)引出腳。雙向可控硅有兩個(gè)陽：一陽A1(T1)，二陽A2(T2)、控制G三個(gè)引出腳。

  只有當(dāng)單向可控硅陽A與陰K之間加有正向電壓，同時(shí)控制G與陰間加上所需的正向觸發(fā)電壓時(shí)，方可被觸發(fā)導(dǎo)通。此時(shí)A、K間呈低阻導(dǎo)通狀態(tài)，陽A與陰K間壓降約1V。單向可控硅導(dǎo)通后，控制器G即使失去觸發(fā)電壓，只要陽A和陰K之間仍保持正向電壓，單向可控硅繼續(xù)處于低阻導(dǎo)通狀態(tài)。只有把陽A電壓拆除或陽A、陰K間電壓性發(fā)生改變(交流過零)時(shí)，單向可控硅才由低阻導(dǎo)通狀態(tài)轉(zhuǎn)換為高阻截止?fàn)顟B(tài)。單向可控硅一旦截止，即使陽A和陰K間又重新加上正向電壓，仍需在控制G和陰K間有重新加上正向觸發(fā)電壓方可導(dǎo)通。單向可控硅的導(dǎo)通與截止?fàn)顟B(tài)相當(dāng)于開關(guān)的閉合與斷開狀態(tài)，用它可制成無觸點(diǎn)開關(guān)。 歡迎各界朋友蒞臨參觀。濱州小功率可控硅模塊組件

淄博正高電氣有限公司始終以適應(yīng)和促進(jìn)發(fā)展為宗旨。濱州小功率可控硅模塊組件

可控硅模塊與其它功率器件一樣，工作時(shí)由于自身功耗而發(fā)熱。如果不采取適當(dāng)措施將這種熱量散發(fā)出去，就會(huì)引起模塊管芯PN結(jié)溫度急劇上升。致使器件特性惡化，直至完全損壞。晶閘管的功耗主要由導(dǎo)通損耗、開關(guān)損耗、門損耗三部分組成。在工頻或400Hz以下頻率的應(yīng)用中相當(dāng)主要的是導(dǎo)通損耗。為了確保器件長(zhǎng)期可靠地工作，設(shè)計(jì)時(shí)散熱器及其冷卻方式的選擇與電力半導(dǎo)體模塊的電流電壓的額定值選擇同等重要，千萬不可大意！散熱器的常用散熱方式有：自然風(fēng)冷、強(qiáng)迫風(fēng)冷、熱管冷卻、水冷、油冷等。考慮散熱問題的總原則是：控制模塊中管芯的結(jié)溫Tj不超過產(chǎn)品數(shù)據(jù)表給定的額定結(jié)溫濱州小功率可控硅模塊組件

淄博正高電氣有限公司是一家有著雄厚實(shí)力背景、信譽(yù)可靠、勵(lì)精圖治、展望未來、有夢(mèng)想有目標(biāo)，有組織有體系的公司，堅(jiān)持于帶領(lǐng)員工在未來的道路上大放光明，攜手共畫藍(lán)圖，在山東省淄博市等地區(qū)的電子元器件行業(yè)中積累了大批忠誠(chéng)的客戶粉絲源，也收獲了良好的用戶口碑，為公司的發(fā)展奠定的良好的行業(yè)基礎(chǔ)，也希望未來公司能成為行業(yè)的翹楚，努力為行業(yè)領(lǐng)域的發(fā)展奉獻(xiàn)出自己的一份力量，我們相信精益求精的工作態(tài)度和不斷的完善創(chuàng)新理念以及自強(qiáng)不息，斗志昂揚(yáng)的的企業(yè)精神將正高電氣供應(yīng)和您一起攜手步入輝煌，共創(chuàng)佳績(jī)，一直以來，公司貫徹執(zhí)行科學(xué)管理、創(chuàng)新發(fā)展、誠(chéng)實(shí)守信的方針，員工精誠(chéng)努力，協(xié)同奮取，以品質(zhì)、服務(wù)來贏得市場(chǎng)，我們一直在路上！