發(fā)貨地點(diǎn):山東省淄博市
發(fā)布時(shí)間:2025-03-09
晶閘管模塊產(chǎn)品特點(diǎn):
1、芯片與基板電絕緣,電壓2500V;
2、 標(biāo)準(zhǔn)封裝;
3、壓接結(jié)構(gòu),優(yōu)良的溫度特性和動力循環(huán)能力;
4、輸入-輸出端之間隔離耐壓≥2500VAC;
5、200A以下為強(qiáng)制風(fēng)冷,300A以上模塊,可以選擇風(fēng)冷或水冷,電磁吸盤可控硅集成調(diào)壓模塊,電磁吸盤可控硅集成調(diào)壓模塊。
6、安裝簡單,使用維修方便,體積小,重量輕。
典型應(yīng)用:
直流電源、交流開關(guān)、焊接設(shè)備、電機(jī)控制、調(diào)光、變頻器、UPS電源、無觸點(diǎn)開關(guān)、電機(jī)軟起動、蓄電池充放電,電磁吸盤可控硅集成調(diào)壓模塊、靜態(tài)無功功率補(bǔ)償、工業(yè)加熱控制、各種整流電源。 正高電氣為消費(fèi)者帶來更高品質(zhì)的生活空間。電磁吸盤可控硅集成調(diào)壓模塊
另外在化工、煤礦、鋼鐵和等一些要求特殊的裝置和惡劣的工作環(huán)境中,以及要求工作高可靠的場合中,LSR都比傳統(tǒng)的繼電器有無可比擬的優(yōu)越性。交流固態(tài)繼電器工作原理:LSR實(shí)際是一個(gè)受控的電力電子開關(guān),其等效電路如圖1。圖2普通型交流LSR內(nèi)部結(jié)構(gòu)框圖一般情況下,萬用表不能判別LSR的好壞,正確的方法采用圖3的測試電路:當(dāng)輸入電流為零時(shí),電壓表測出的電壓為電網(wǎng)電壓,電燈不亮(燈泡功率須25W以上);當(dāng)輸入電流達(dá)到一定值以后,電燈亮,電壓表測出的電壓為LSR導(dǎo)通壓降(在2V以下)。因LSR內(nèi)部有RC回路而帶來漏電流,因此不能等同于普通觸點(diǎn)式的繼電器、接觸器,不能作隔離開關(guān)用。圖3LSR測試電路㈡LSR特點(diǎn)交流固態(tài)繼電器與通常的電磁繼電器不同:無觸點(diǎn)、輸入電路與輸出電路之間光(電)隔離、由分立元件.半導(dǎo)體微電子電路芯片和電力電子器件組裝而成,以阻燃型環(huán)氧樹脂為原料,采用灌封技術(shù)持其封閉在外殼中、使與外界隔離,具有良好的耐壓、防腐、防潮抗震動性能。主要不足是存在通態(tài)壓降(需相應(yīng)散熱措施),有斷態(tài)漏電流,觸點(diǎn)組數(shù)少,另外過電流、過電壓及電壓上升率、電流上升率等指標(biāo)差。㈢LSR的分類交流固體繼電器按開關(guān)方式分有電壓過零導(dǎo)通型。電磁吸盤可控硅集成調(diào)壓模塊正高電氣竭誠為您服務(wù),期待與您的合作,歡迎大家前來!
它可以用控制移相觸發(fā)脈沖來方便地改變負(fù)載的交流工作電壓,從而應(yīng)用于地調(diào)溫、調(diào)光等阻性負(fù)載及部分感性負(fù)載場合。⑵雙向可控硅輸出的普通型與單向可控硅反并聯(lián)輸出的增強(qiáng)型的區(qū)別在感性負(fù)載的場合,當(dāng)LSR由通態(tài)關(guān)斷時(shí),由于電流、電壓的相位不一致,將產(chǎn)生一個(gè)很大的電壓上升率dv/dt(換向dv/dt)加在雙向可控硅兩端,如此值超過雙向可控硅的換向dv/dt指標(biāo)(典型值為10V/μs)則將導(dǎo)致延時(shí)關(guān)斷,甚至失敗。而單向可控硅為單性工作狀態(tài),只受靜態(tài)電壓上升率dv/dt(典型值為100V/μs)影響,由兩只單向可控硅反并聯(lián)構(gòu)成的增強(qiáng)型LSR比由一只雙向可控硅構(gòu)成的普通型LSR的換向dv/dt有了很大提高,因此在感性或容性負(fù)載場合宜選取增強(qiáng)型LSR。㈣繼電器負(fù)載輸出端電流等級及型號如下表:電流普通型2A普通型4A普通型8A普通型16A普通型25A普通型40A增強(qiáng)型15A增強(qiáng)型35A型號LSR-3Z02D3LSR-3Z02D2LSR-3Z02A3LSR-3P02D1-3Z04D3-3Z04D2-3Z04A3-3P04D1-3Z08D3-3Z08D2-3Z08A3-3P08D1-3Z16D3-3Z16D2-3Z16A3-3P16D1-3Z25D3-3Z25D2-3Z25A3-3P25D1-3Z40D3-3Z40D2-3Z40A3-3P40D1LSR-H3Z15D3LSR-H3Z15D2LSR-H3Z15A3LSR-H3P15D1-H3Z35D3-H3Z35D2-H3Z35A3-H3P35D1電流增強(qiáng)型50A增強(qiáng)型70A增強(qiáng)型90A。
1(1)晶閘管智能控制模塊均采用本公司獨(dú)立開發(fā)的全數(shù)字移相觸發(fā)集成電路,實(shí)現(xiàn)了控制電路與晶閘管主電路集成一體化,使模塊具備了弱電控制強(qiáng)電的電力調(diào)控功能。2(2)晶閘管智能模塊采用進(jìn)口方形芯片、高級芯片支撐板,模塊壓降小、功耗低,效率高,節(jié)電效果好。3(3)晶閘管智能模塊采用進(jìn)口貼片元件,了觸發(fā)控制電路的可靠性。4(4)晶閘管智能模塊采用(DBC)陶瓷覆銅板,經(jīng)獨(dú)特處理方法和特殊焊接工藝,焊接層無空洞,導(dǎo)熱性能好。熱循環(huán)負(fù)載次數(shù)高于國家標(biāo)準(zhǔn)近10倍。5(5)晶閘管智能模塊采用高級導(dǎo)熱絕緣封裝材料,絕緣、防潮性能優(yōu)良。6(6)晶閘管模塊采用觸發(fā)控制電路、主電路與導(dǎo)熱底板相互隔離,導(dǎo)熱底板不帶電.絕緣強(qiáng)度≥2500V(RMS),人身安全。正高電氣我們將用穩(wěn)定的質(zhì)量,合理的價(jià)格,良好的信譽(yù)。
晶體閘流管工作過程編輯晶閘管是四層三端器件,它有J1、J2、J3三個(gè)PN結(jié)圖1,可以把它中間的NP分成兩部分,構(gòu)成一個(gè)PNP型三管和一個(gè)NPN型三管的復(fù)合管當(dāng)晶閘管承受正向陽電壓時(shí),為使晶閘管導(dǎo)通,必須使承受反向電壓的PN結(jié)J2失去阻擋作用。因此,兩個(gè)互相復(fù)合的晶體管電路,當(dāng)有足夠的門電流Ig流入時(shí),就會形成強(qiáng)烈的正反饋,造成兩晶體管飽和導(dǎo)通,晶體管飽和導(dǎo)通。設(shè)PNP管和NPN管的集電電流相應(yīng)為Ic1和Ic2;發(fā)射電流相應(yīng)為Ia和Ik;電流放大系數(shù)相應(yīng)為a1=Ic1/Ia和a2=Ic2/Ik,設(shè)流過J2結(jié)的反相漏電電流為Ic0,晶閘管的陽電流等于兩管的集電電流和漏電流的總和:Ia=Ic1+Ic2+Ic0或Ia=a1Ia+a2Ik+Ic0若門電流為Ig,則晶閘管陰電流為Ik=Ia+Ig從而可以得出晶閘管陽電流為:I=(Ic0+Iga2)/(1-(a1+a2))(1一1)式硅PNP管和硅NPN管相應(yīng)的電流放大系數(shù)a1和a2隨其發(fā)射電流的改變而急劇變化如圖3所示。當(dāng)晶閘管承受正向陽電壓,而門未受電壓的情況下,式(1一1)中,Ig=0,(a1+a2)很小,故晶閘管的陽電流Ia≈Ic0晶閘關(guān)處于正向阻斷狀態(tài)。當(dāng)晶閘管在正向陽電壓下。從門G流入電流Ig,由于足夠大的Ig流經(jīng)NPN管的發(fā)射結(jié),從而提高起點(diǎn)流放大系數(shù)a2。正高電氣運(yùn)用高科技,不斷創(chuàng)新為企業(yè)經(jīng)營發(fā)展的宗旨。電磁吸盤可控硅集成調(diào)壓模塊
正高電氣展望未來,信心百倍,追求高遠(yuǎn)。電磁吸盤可控硅集成調(diào)壓模塊
晶閘管模塊
晶閘管模塊因其體積小、重量輕、結(jié)構(gòu)緊湊、可靠性高、外部接線簡單、互換性好、維護(hù)安裝方便等優(yōu)點(diǎn),自誕生以來就受到各大功率半導(dǎo)體制造商的青睞,并得到了大的發(fā)展。
晶閘管模塊一般對錯(cuò)正弦電流有疑問,存在導(dǎo)通角,負(fù)載電流具有一定的波動和不穩(wěn)定因素,晶閘管模塊芯片抗電流沖擊能力差,因此在選擇模塊的電流標(biāo)準(zhǔn)時(shí)一定要留出一定的余量。
模塊冷卻狀態(tài)的好壞直接關(guān)系到產(chǎn)品的使用壽命和短期過載能力。溫度越低,模塊輸出電流越大。因此,在運(yùn)行中必須配備散熱器和風(fēng)扇。建議選擇具有過熱維護(hù)功能的商品,有水冷條件的優(yōu)先采用水冷冷卻。 電磁吸盤可控硅集成調(diào)壓模塊
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