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云南反并聯(lián)可控硅模塊配件 淄博正高電氣供應(yīng)

發(fā)貨地點:山東省淄博市

發(fā)布時間:2025-03-07

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詳細信息

可控硅模塊的特性

單向晶閘管模塊具有其獨特的特性:當(dāng)陽連接到反向電壓時,或陽連接到正向電壓時,但控制不增加電壓,則不會導(dǎo)通,當(dāng)陽和控制同時連接到正向電壓時,將變?yōu)榻油顟B(tài)。一旦接通,云南反并聯(lián)可控硅模塊配件,控制電壓將失去控制作用。無論有無控制電壓,云南反并聯(lián)可控硅模塊配件,無論控制電壓的性如何,都將始終處于接通狀態(tài)。若要關(guān)閉,只能將陽電壓降到某個臨界值或反向。

雙向晶閘管模塊的管腳大多按T1、T2和G的順序從左到右排列(當(dāng)電管腳朝著帶有字符的一側(cè)向下時),云南反并聯(lián)可控硅模塊配件。當(dāng)改變施加到控制G的觸發(fā)脈沖的大小或時間時,其接通電流的大小可以改變。 歡迎各界朋友蒞臨參觀。云南反并聯(lián)可控硅模塊配件

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可控硅元件在電氣設(shè)備中發(fā)揮重大作用,但可控硅使用中必須要注意運行環(huán)境和相關(guān)指標(biāo),防止可控硅損壞而影響到設(shè)備的正常使用。對此,在選用可控硅的額定電壓時,應(yīng)參考實際工作條件下的峰值電壓的大小,并留出一定的余量。

1、選用可控硅的額定電流時,除了考慮通過元件的平均電流外,還應(yīng)注意正常工作時導(dǎo)通角的大小、散熱通風(fēng)條件等因素。在工作中還應(yīng)注意管殼溫度不超過相應(yīng)電流下的允許值。

2、使用可控硅之前,應(yīng)該用萬用表檢查可控硅是否良好。發(fā)現(xiàn)有短路或斷路現(xiàn)象時,應(yīng)立即更換。

3、嚴禁用兆歐表(即搖表)檢查元件的絕緣情況。

4、電流為5A以上的可控硅要裝散熱器,并且所規(guī)定的冷卻條件。為散熱器與可控硅管心接觸良好,它們之間應(yīng)涂上一薄層有機硅油或硅脂,以幫于良好的散熱。

5、按規(guī)定對主電路中的可控硅采用過壓及過流保護裝置。

6、要防止可控硅控制的正向過載和反向擊穿。

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可控硅模塊的作用和優(yōu)勢大家都知道,它的應(yīng)用范圍是非常廣的,在不同設(shè)備上的使用方法也是不一樣的,那么在整流電路中可控硅模塊的使用方法是什么呢?下面正高來講一下在整流電路中可控硅模塊的使用方法。


在正弦交流電壓U2的正半周期間,如果VS的控制沒有輸入觸發(fā)脈沖Ug,VS仍然不能導(dǎo)通,只有在U2處于正半周,在控制外加觸發(fā)脈沖Ug時,可控硅模塊被觸發(fā)導(dǎo)通。只有在觸發(fā)脈沖Ug到來時,負載RL上才有電壓UL輸出Ug到來得早,可控硅模塊導(dǎo)通的時間就早;Ug到來得晚,可控硅模塊導(dǎo)通的時間就晚。

可控硅模塊主要優(yōu)點如下:

(1)采用進口方形可控硅支撐板,降低了可控硅模塊的電壓,功耗低,效率高,節(jié)能效果好。

(2)采用進口插入元件,晶閘管模塊觸發(fā)控制電路的可靠性。

(3)(DCB)陶瓷銅板采用獨特的處理和特殊的焊接工藝,了晶閘管組件的焊接層無空腔,導(dǎo)熱性好。

(4)導(dǎo)熱絕緣包裝材料具有優(yōu)異的隔熱防潮性能。

(5)觸發(fā)控制電路、主電路和導(dǎo)熱基板相互隔離,導(dǎo)熱基板不帶電,介電強度≥2500V,安全。

(6)通過輸入0-10V直流控制信號,可以平滑地調(diào)節(jié)主電路的輸出電壓。

(7)可采用手動控制、儀表控制或微機控制。

(8)適用于電阻和電感負載。 淄博正高電氣有限公司價值不斷提升。

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可控硅模塊特點:

1 對耐壓級別的選擇:通常把VDRM(斷態(tài)重復(fù)峰值電壓)和VRRM(反向重復(fù)峰值電壓)中較小的值標(biāo)作該器件的額定電壓。

2 對電流的確定:由于雙向可控硅模塊通常用在交流電路中,因此不能用平均值而用有效值來表示它的額定電流值。由于可控硅的過載能力比一般電磁器件小,因而一般家電中選用可控硅模塊的電流值為實際工作電流值的2~3倍。同時,可控硅承受斷態(tài)重復(fù)峰值電壓VDRM和反向重復(fù)峰值電壓VRRM 時的峰值電流應(yīng)小于器件規(guī)定的IDRM和IRRM。

3 對通態(tài)電壓VTM的選擇:它是可控硅模塊通以規(guī)定倍數(shù)額定電流時的瞬態(tài)峰值壓降。為了減少可控硅的熱損耗,應(yīng)盡可能選擇VTM小的可控硅。

4 對維持電流:IH是維持可控硅模塊保持通態(tài)所必 需的小主電流,它與結(jié)溫有關(guān),結(jié)溫越高,則IH越小。

5 對電壓上升率的:dv/dt指的是在關(guān)斷狀態(tài)下電壓的上升斜率,這是防止誤觸發(fā)的一個關(guān)鍵參數(shù)。由于雙向可控硅模塊的制造工藝決定了A2與G之間會存在寄生電容。 淄博正高電氣有限公司以發(fā)展求壯大,就一定會贏得更好的明天。云南快恢復(fù)可控硅模塊組件

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可控硅鑒別三個的方法很簡單,根據(jù)P-N結(jié)的原理,用萬用表測量一下三個之間的電阻值就可以判斷出來。

  陽與陰之間的正向和反向電阻在幾百千歐以上,陽和控制之間的正向和反向電阻在幾百千歐以上(它們之間有兩個P-N結(jié),而且方向相反,因此陽和控制正反向都不通)。

  控制與陰之間是一個P-N結(jié),因此它的正向電阻大約在幾歐-幾百歐的范圍,反向電阻比正向電阻要大。可是控制二管特性是不太理想的,反向不是完全呈阻斷狀態(tài)的,可以有比較大的電流通過,因此,有時測得控制反向電阻比較小,并不能說明控制特性不好。另外,在測量控制正反向電阻時,萬用表應(yīng)放在R*10或R*1擋,防止電壓過高控制反向擊穿。

  若測得元件陰陽正反向已短路,或陽與控制短路,或控制與陰反向短路,或控制與陰斷路,說明元件已損壞。 云南反并聯(lián)可控硅模塊配件

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